115 一般警察特考二等 刑事警察人員類別電子監察組 電子學 考古題詳解

115 年・一般警察特考・二等・刑事警察人員類別電子監察組
試題代碼 電子學

第 一 題20 分

圖一二極體電路中,每個二極體的切入電壓(cut-in voltage)VγV_\gamma皆為 0.7 V0.7\ \mathrm{V}。試求 ID1I_{D1}、ID2I_{D2}、ID3I_{D3}及 vov_o。

已知輸入電壓 vI=3 Vv_I=3\ \mathrm{V},R1=4 kΩR_1=4\ \mathrm{k}\Omega、R2=8 kΩR_2=8\ \mathrm{k}\Omega、R3=6 kΩR_3=6\ \mathrm{k}\Omega、R4=4 kΩR_4=4\ \mathrm{k}\Omega,以及兩個電壓源 V1=1.0 VV_1=1.0\ \mathrm{V}、V2=2.0 VV_2=2.0\ \mathrm{V}。

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核心觀念

本題使用二極體的定電壓模型:

  • 二極體導通時,順向壓降為 Vγ=0.7 VV_\gamma=0.7\ \mathrm{V}。
  • 二極體截止時,視為開路,支路電流為 00。
  • 以底部公共節點為接地,輸出電壓 vov_o 即為上方公共節點電壓。

由圖中 V1V_1、V2V_2 的正端均接在二極體下方,可得到各支路的導通門檻:

D1:vo>0.7 VD_1:\quad v_o>0.7\ \mathrm{V}

D2:vo>0.7+V1=1.7 VD_2:\quad v_o>0.7+V_1=1.7\ \mathrm{V}

D3:vo>0.7+V2=2.7 VD_3:\quad v_o>0.7+V_2=2.7\ \mathrm{V}


解題方法

1. 判斷導通狀態

若只有 D1D_1 導通,則

3−vo4kΩ=vo−0.78kΩ\frac{3-v_o}{4\text{k}\Omega} = \frac{v_o-0.7}{8\text{k}\Omega}

解得

vo=2.233 Vv_o=2.233\ \mathrm{V}

但此時 vo>1.7 Vv_o>1.7\ \mathrm{V},因此 D2D_2 也必須導通。

另一方面,最後若算得 vo<2.7 Vv_o<2.7\ \mathrm{V},則 D3D_3 截止。故工作狀態為:

D1、D2 導通,D3 截止D_1、D_2\text{ 導通},\qquad D_3\text{ 截止}


2. 寫出各支路電流

D1D_1 支路

D1D_1 導通後,R2R_2 上端電壓為 vo−0.7v_o-0.7,因此

ID1=vo−0.78kΩI_{D1}=\frac{v_o-0.7}{8\text{k}\Omega}

D2D_2 支路

D2D_2 導通後,先扣除二極體壓降 0.7 V0.7\ \mathrm{V},再扣除電壓源 V1=1.0 VV_1=1.0\ \mathrm{V},故 R3R_3 上端電壓為

vo−0.7−1.0=vo−1.7v_o-0.7-1.0=v_o-1.7

因此

ID2=vo−1.76kΩI_{D2}=\frac{v_o-1.7}{6\text{k}\Omega}

D3D_3 支路

因為 D3D_3 截止,

ID3=0I_{D3}=0


3. 對上方節點套用 KCL

流經 R1R_1 的電流等於 D1D_1、D2D_2 兩支路電流之和:

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第 二 題20 分

圖二電晶體電路中,電晶體參數為 VTN=1 VV_{TN}=1\ \mathrm{V}、Kn=3 mA/V2K_n=3\ \mathrm{mA/V^2}、λ=0\lambda=0、Cgs=15 pFC_{gs}=15\ \mathrm{pF}、Cgd=4 pFC_{gd}=4\ \mathrm{pF}。試求靜態電流 IDI_D及靜態電壓 VDSV_{DS}、中頻帶電壓增益 vo/viv_o/v_i以及高頻上 3 dB3\ \mathrm{dB} 頻率(upper 3 dB3\ \mathrm{dB} frequency)。

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核心觀念

本題為 NMOS 共閘極放大器:

  • 閘極接交流地,因此 vgs=−vsv_{gs}=-v_s。
  • 直流分析時,C1、C2C_1、C_2 視為開路。
  • 中頻時,C1、C2C_1、C_2 視為短路。
  • 採用 MOSFET 飽和區公式
ID=Kn(VGS−VTN)2I_D=K_n(V_{GS}-V_{TN})^2 gm=2Kn(VGS−VTN)g_m=2K_n(V_{GS}-V_{TN})

且 λ=0\lambda=0,所以 ro=∞r_o=\infty。


一、靜態工作點

令過驅電壓為

VOV=VGS−VTNV_{OV}=V_{GS}-V_{TN}

因閘極接地,

VGS=0−VS=−VSV_{GS}=0-V_S=-V_S

因此

VS=−(1+VOV)V_S=-(1+V_{OV})

源極電阻 RS=10 kΩR_S=10\text{ k}\Omega 接至 −5 V-5\text{ V},故

ID=VS−(−5)10 kΩ=4−VOV10 mAI_D=\frac{V_S-(-5)}{10\text{ k}\Omega} =\frac{4-V_{OV}}{10}\text{ mA}

另一方面,

ID=3VOV2 mAI_D=3V_{OV}^2\text{ mA}

聯立得

3VOV2=0.4−0.1VOV3V_{OV}^2=0.4-0.1V_{OV} 3VOV2+0.1VOV−0.4=03V_{OV}^2+0.1V_{OV}-0.4=0

取正根:

VOV=0.3489 VV_{OV}=0.3489\text{ V}

所以

ID=3(0.3489)2≈0.365 mAI_D=3(0.3489)^2 \approx 0.365\text{ mA}

靜態源極電壓為

VS=−1−VOV=−1.3489 VV_S=-1-V_{OV} =-1.3489\text{ V}

汲極電壓:

VD=5−IDRDV_D=5-I_DR_D VD=5−(0.365 mA)(5 kΩ)≈3.174 VV_D=5-(0.365\text{ mA})(5\text{ k}\Omega) \approx 3.174\text{ V}

因此

VDS=VD−VS=3.174−(−1.349)≈4.523 VV_{DS}=V_D-V_S =3.174-(-1.349) \approx 4.523\text{ V}

檢查飽和區條件:

VDS>VOVV_{DS}>V_{OV} 4.523>0.3494.523>0.349

確實工作於飽和區。


二、中頻帶電壓增益

跨導為

gm=2KnVOV=2(3)(0.3489)≈2.093 mSg_m=2K_nV_{OV} =2(3)(0.3489) \approx 2.093\text{ mS}

交流時,源極看到的輸入電阻為

Rin=1gm∥RSR_{\text{in}} =\frac{1}{g_m}\parallel R_S Rin=12.093 mS∥10 kΩ≈456ΩR_{\text{in}} =\frac{1}{2.093\text{ mS}}\parallel10\text{ k}\Omega \approx456\Omega

輸入端 Ri=2 kΩR_i=2\text{ k}\Omega 造成分壓,因此源極交流電壓為

vsvi=RinRi+Rin=4562000+456≈0.1857\frac{v_s}{v_i} =\frac{R_{\text{in}}}{R_i+R_{\text{in}}} =\frac{456}{2000+456} \approx0.1857

汲極交流負載為

RD∥RL=5 kΩ∥4 kΩ=2.222 kΩR_D\parallel R_L =5\text{ k}\Omega\parallel4\text{ k}\Omega =2.222\text{ k}\Omega

共閘極級的電壓增益為正,因此

vovi=gm(RD∥RL)RinRi+Rin\frac{v_o}{v_i} =g_m(R_D\parallel R_L) \frac{R_{\text{in}}}{R_i+R_{\text{in}}}

代入:

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第 三 題20 分

圖三振盪器電路中,運算放大器為理想元件。

(一) 試求振盪頻率數學式。(15分)

(二) 試求振盪發生時所需的 R2/R1R_2/R_1 值。(5分)

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核心觀念

圖三為 Wien bridge(文氏電橋)RC 振盪器,運算放大器採非反相組態。

振盪條件為 Barkhausen criterion:

  1. 迴路總相位為 0∘0^\circ。
  2. 迴路增益大小為 11。

運算放大器的電壓增益為

Av=1+R2R1A_v=1+\frac{R_2}{R_1}

RC 正回授網路決定振盪頻率與回授比例。


解題方法

令輸出電壓為 VoV_o,運算放大器正相端電壓為 V+V_+,中間節點電壓為 VxV_x,並令

s=jωs=j\omega

一、求 RC 回授網路傳遞函數

由於理想運算放大器輸入端不取電流,在正相端節點套用 KCL:

V+−VxR+sCV+=0\frac{V_+-V_x}{R}+sCV_+=0

因此

Vx=(1+sRC)V+V_x=(1+sRC)V_+

再於 VxV_x 節點套用 KCL:

Vx−V+R+VxR+sC(Vx−Vo)=0\frac{V_x-V_+}{R}+\frac{V_x}{R}+sC(V_x-V_o)=0

乘上 RR 後得

Vx−V++Vx+sRC(Vx−Vo)=0V_x-V_++V_x+sRC(V_x-V_o)=0

整理為

(2+sRC)Vx−V+−sRCVo=0(2+sRC)V_x-V_+-sRCV_o=0

代入 Vx=(1+sRC)V+V_x=(1+sRC)V_+:

[(2+sRC)(1+sRC)−1]V+=sRCVo\left[(2+sRC)(1+sRC)-1\right]V_+=sRCV_o

由於

(2+sRC)(1+sRC)−1=1+3sRC+s2R2C2(2+sRC)(1+sRC)-1 =1+3sRC+s^2R^2C^2

所以 RC 回授比例為

β(s)=V+Vo=sRCs2R2C2+3sRC+1\beta(s)=\frac{V_+}{V_o} =\frac{sRC}{s^2R^2C^2+3sRC+1}

二、利用相位條件求振盪頻率

令

Ω=ωRC\Omega=\omega RC

並代入 s=jωs=j\omega:

β(jω)=jΩ1−Ω2+j3Ω\beta(j\omega) =\frac{j\Omega}{1-\Omega^2+j3\Omega}

將其化為實部與虛部:

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第 四 題20 分

圖四運算放大器(operational amplifier)電路,假設運算放大器為理想元件,試求該電路電壓增益(voltage gain)vo/viv_o/v_i之數學式。

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核心觀念

本題考查理想運算放大器的負回授分析,使用:

  1. 理想運算放大器輸入端電流為零: i+=i−=0i_+=i_-=0
  2. 負回授線性工作時,虛短路: v+=v−=xv_+=v_-=x
  3. 以節點電壓法及電壓源超節點列寫 KCL。

令所有 R1R_1 電阻為 rr,所有 R2R_2 電阻為 RR。圖中輸入電壓極性為下端對上端,因此若上、下輸入端電位分別為 VT,VSV_T,V_S,則

VS−VT=viV_S-V_T=v_i

即

VT−VS=−viV_T-V_S=-v_i

設左上、左下兩節點電壓分別為 A,DA,D,運算放大器兩輸入端電壓皆為 xx。


解題方法

1. 非反相端節點

非反相端沒有輸入電流,因此由 DD 經 R1R_1 接至 xx,再經 R2R_2 接地:

x−Dr+xR=0\frac{x-D}{r}+\frac{x}{R}=0

整理得

D=x(1+rR)D=x\left(1+\frac{r}{R}\right)

令

q=rR=R1R2q=\frac{r}{R}=\frac{R_1}{R_2}

則

D=(1+q)xD=(1+q)x


2. 左側兩節點列 KCL

在節點 AA:

A−VTr+A−Dr+A−xr=0\frac{A-V_T}{r}+\frac{A-D}{r}+\frac{A-x}{r}=0

因此

3A−D−VT−x=0(1)3A-D-V_T-x=0 \tag{1}

在節點 DD:

D−VSr+D−Ar+D−xr+DR=0\frac{D-V_S}{r}+\frac{D-A}{r}+\frac{D-x}{r}+\frac{D}{R}=0

因此

3D−A−VS−x+qD=0(2)3D-A-V_S-x+qD=0 \tag{2}

由於輸入電壓源兩端形成超節點,超節點 KCL 為

VT−Ar+VS−Dr=0\frac{V_T-A}{r}+\frac{V_S-D}{r}=0

所以

VT+VS=A+D(3)V_T+V_S=A+D \tag{3}

又因為

VT−VS=−viV_T-V_S=-v_i

聯立可得

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第 五 題20 分

圖五 NMOS 邏輯電路,VDD=2.5 VV_{DD}=2.5\ \mathrm{V},電晶體參數為 kn′=100 μA/V2k'_n=100\ \mu\mathrm{A/V^2}、VTND=0.4 VV_{TND}=0.4\ \mathrm{V}、VTNL=−0.6 VV_{TNL}=-0.6\ \mathrm{V}、(W/L)D=8(W/L)_D=8、(W/L)L=1(W/L)_L=1,忽略本體效應(body effect),試求當輸入電壓 vA=vB=2.5 Vv_A=v_B=2.5\ \mathrm{V} 時的輸出電壓 vov_o。下標 DD指電晶體 MDAM_{DA}與 MDBM_{DB},下標 LL指電晶體 MLM_L。

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核心觀念

本題考查 NMOS 的工作區判斷與電流方程式:

  • 截止區:VGS<VTV_{GS}<V_T
  • 三極區: ID=kn′WL[(VGS−VT)VDS−VDS22]I_D=k_n'\frac WL\left[(V_{GS}-V_T)V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}\right]
  • 飽和區: ID=12kn′WL(VGS−VT)2I_D=\frac12 k_n'\frac WL(V_{GS}-V_T)^2

圖中 MLM_L 為閘極與源極相接的 depletion-load NMOS,且 VTNL=−0.6 VV_{TNL}=-0.6\ \mathrm V。

解題方法

設 MDAM_{DA} 與 MDBM_{DB} 的中間節點電壓為 vXv_X。

1. 求負載電晶體 MLM_L 的電流

由於 MLM_L 的閘極與源極均接於 vov_o:

VGSL=0V_{GSL}=0

因此:

VGSL−VTNL=0−(−0.6)=0.6 VV_{GSL}-V_{TNL}=0-(-0.6)=0.6\ \mathrm V

MLM_L 的汲極接 VDDV_{DD},其 VDSV_{DS} 為:

VDSL=VDD−voV_{DSL}=V_{DD}-v_o

只要 VDD−vo≥0.6 VV_{DD}-v_o\geq 0.6\ \mathrm V,MLM_L 即工作於飽和區。其電流為:

IL=12kn′(WL)L(0.6)2I_L=\frac12 k_n'\left(\frac WL\right)_L(0.6)^2

代入數值:

IL=12(100)(1)(0.6)2=18 μAI_L=\frac12(100)(1)(0.6)^2 =18\ \mu\mathrm A

因此電路穩態時:

IDA=IDB=18 μAI_{DA}=I_{DB}=18\ \mu\mathrm A

2. 求 MDBM_{DB} 的工作電壓

MDBM_{DB} 的源極接地、閘極接 2.5 V2.5\ \mathrm V,故:

VGS,DB=2.5 VV_{GS,DB}=2.5\ \mathrm V

其過驅電壓為:

VGS,DB−VTND=2.5−0.4=2.1 VV_{GS,DB}-V_{TND}=2.5-0.4=2.1\ \mathrm V

因電流僅為 18 μA18\ \mu\mathrm A,MDBM_{DB} 工作於三極區。令:

VDS,DB=vXV_{DS,DB}=v_X

則:

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