114 地方特考三等 電子工程類科 電磁學 考古題詳解

114 年・地方特考・三等・電子工程類科
試題代碼 電磁學

第 一 題30 分

一傳遞高頻訊號的同軸電纜:內導體的半徑為 aa,外導體的半徑為 bb,兩導體的厚度可忽略;在內外導體之間,充斥介電常數 permittivity 為 ε\varepsilon、導磁係數 permeability 為 μ0\mu_0 的介電質;同軸電纜總長度為 LL。

(一) 請詳細推導同軸電纜單位長度的電容大小。(15 分)

(二) 請詳細推導同軸電纜單位長度的電感大小。(15 分)

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核心觀念

同軸電纜具有圓柱對稱性,電場與磁場都只隨徑向距離 rr 改變。單位長度電容由電荷與兩導體間電位差求得;單位長度電感則由磁場與電流的關係求得。

設內導體帶電量每單位長度為 λ\lambda,內導體電流為 II,並令 a<r<ba<r<b。介質的介電常數為 ε\varepsilon,導磁係數為 μ0\mu_0。題目所給總長度 LL 不影響單位長度參數;若要求全長電容或電感,再分別乘上 LL。

(一)單位長度電容

解題方法:以高斯定律求電場,再積分得到電位差。

取半徑為 rr、長度為 ℓ\ell 的同軸圓柱高斯面,其中 a<r<ba<r<b。由圓柱對稱性,電場在高斯面上大小相同,方向為徑向,因此

∮SD⋅dS=D(r)(2πrℓ)=λℓ.\oint_S \mathbf{D}\cdot d\mathbf{S} =D(r)(2\pi r\ell) =\lambda\ell .

又因 D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E},得

E(r)=D(r)ε=λ2πεr.E(r)=\frac{D(r)}{\varepsilon} =\frac{\lambda}{2\pi\varepsilon r}.

內、外導體間的電位差大小為

V=∫abE(r) dr=λ2πε∫abdrr=λ2πεln⁡ba.V=\int_a^b E(r)\,dr =\frac{\lambda}{2\pi\varepsilon}\int_a^b\frac{dr}{r} =\frac{\lambda}{2\pi\varepsilon}\ln\frac{b}{a}.

單位長度電容定義為單位長度電荷量除以兩導體間電位差,即 C′=λ/VC'=\lambda/V,故

C′=2πεln⁡(b/a) F/m.\boxed{C'=\frac{2\pi\varepsilon}{\ln(b/a)}\ \text{F/m}}.

若求長度為 LL 的電纜總電容,則

C=C′L=2πεLln⁡(b/a).C=C'L=\frac{2\pi\varepsilon L}{\ln(b/a)}.

(二)單位長度電感

解題方法:以安培定律求磁場,再積分磁通量求電感。

令內導體電流為 II,外導體承載大小相等、方向相反的回流。對半徑 rr、長度 ℓ\ell 的圓形安培迴路,其中 a<r<ba<r<b,安培定律給出

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第 二 題30 分

請詳述電磁場(包括電場強度、電通量密度、磁場強度、磁通量密度)在兩介質交界處的邊界條件:

(一) 介質 1 為介電質 dielectric、介質 2 為介電質。

(二) 介質 1 為介電質、介質 2 為完美導體。

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核心觀念

本題考查電磁場在介質交界面上的邊界條件。將場量分解成垂直界面的法向分量與平行界面的切向分量,再分別套用高斯定律與法拉第定律、安培定律,即可求得邊界關係。

令 n^\hat{\mathbf n} 為由介質 1 指向介質 2 的單位法向量,界面自由面電荷密度為 ρs\rho_s,自由面電流密度為 Js\mathbf J_s。場量下標 11、22 分別表示界面兩側的值。採用 D=ϵE\mathbf D=\epsilon\mathbf E、B=μH\mathbf B=\mu\mathbf H。

四個基本邊界式為:

n^⋅(D2−D1)=ρs\hat{\mathbf n}\cdot(\mathbf D_2-\mathbf D_1)=\rho_s n^×(E2−E1)=0\hat{\mathbf n}\times(\mathbf E_2-\mathbf E_1)=\mathbf 0 n^⋅(B2−B1)=0\hat{\mathbf n}\cdot(\mathbf B_2-\mathbf B_1)=0 n^×(H2−H1)=Js\hat{\mathbf n}\times(\mathbf H_2-\mathbf H_1)=\mathbf J_s

法向分量由穿越界面的薄柱高斯面取得;切向分量由跨界面的微小矩形迴路取得。這些關係分別反映電荷是電通量密度 D\mathbf D 的源、磁單極不存在,以及面電流會造成磁場強度 H\mathbf H 的切向跳變。

解題方法

先用一般邊界式,再依兩側材料與表面源條件化簡。題目未指定界面是否有自由面電荷或面電流,以下先列一般式,並明確標示無表面源時的常見結果。

(一)介質 1 為介電質、介質 2 為介電質

設兩側介電常數分別為 ϵ1,ϵ2\epsilon_1,\epsilon_2,磁導率分別為 μ1,μ2\mu_1,\mu_2。

電場強度 E\mathbf E

法拉第定律給出切向電場連續:

n^×(E2−E1)=0⟹E2t=E1t\hat{\mathbf n}\times(\mathbf E_2-\mathbf E_1)=\mathbf 0 \quad\Longrightarrow\quad \mathbf E_{2t}=\mathbf E_{1t}

法向分量則由電位移邊界式與 Di=ϵiEi\mathbf D_i=\epsilon_i\mathbf E_i 得:

ϵ2E2n−ϵ1E1n=ρs\epsilon_2 E_{2n}-\epsilon_1 E_{1n}=\rho_s

若無自由面電荷,ρs=0\rho_s=0,故

ϵ2E2n=ϵ1E1n\epsilon_2 E_{2n}=\epsilon_1 E_{1n}

所以一般而言,法向電場強度不連續。

電通量密度 D\mathbf D

法向分量滿足:

D2n−D1n=ρsD_{2n}-D_{1n}=\rho_s

若無自由面電荷,則 D2n=D1nD_{2n}=D_{1n}。切向分量由 Di=ϵiEi\mathbf D_i=\epsilon_i\mathbf E_i 及切向電場連續得:

D2tϵ2=D1tϵ1\frac{\mathbf D_{2t}}{\epsilon_2} = \frac{\mathbf D_{1t}}{\epsilon_1}

因此切向電通量密度一般不連續。

磁場強度 H\mathbf H

安培定律給出:

n^×(H2−H1)=Js\hat{\mathbf n}\times(\mathbf H_2-\mathbf H_1)=\mathbf J_s

若無自由面電流,H2t=H1t\mathbf H_{2t}=\mathbf H_{1t}。法向分量則須由 B=μH\mathbf B=\mu\mathbf H 配合磁通量密度的邊界式求得。

磁通量密度 B\mathbf B

磁高斯定律給出法向分量連續:

B2n=B1nB_{2n}=B_{1n}

若無自由面電流,切向磁場強度連續,因此

B2tμ2=B1tμ1\frac{\mathbf B_{2t}}{\mu_2} = \frac{\mathbf B_{1t}}{\mu_1}

即切向磁通量密度一般不連續。

(二)介質 1 為介電質、介質 2 為完美導體

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第 三 題20 分

在無損耗簡單介質(相對介電常數 relative permittivity 為 44,相對導磁係數 relative permeability 為 11,導電率為 00)中,有一均勻平面波朝 +z+z 方向傳遞,已知其磁場強度 H=ayHy\mathbf{H}=\mathbf{a}_y H_y,HyH_y 為頻率為 100 MHz100\ \mathrm{MHz} 的弦波函數,當 t=0t=0 且 z=18 mz=\frac{1}{8}\ \mathrm{m} 時有最大值 10−4 A/m10^{-4}\ \mathrm{A/m}。請詳細推導此均勻平面波磁場強度與電場強度的瞬時表示式。

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核心觀念

本題考均勻平面波在無損耗、非磁性介質中的傳播,以及電場與磁場之間的方向、振幅和相位關係。

介質參數為 ε=4ε0\varepsilon=4\varepsilon_0、μ=μ0\mu=\mu_0,且 σ=0\sigma=0。無損耗介質中的相速度、波長與本徵阻抗分別為

vp=1με,λ=vpf,η=με.v_p=\frac{1}{\sqrt{\mu\varepsilon}},\qquad \lambda=\frac{v_p}{f},\qquad \eta=\sqrt{\frac{\mu}{\varepsilon}}.

對朝 +z+z 方向傳播的均勻平面波,電場、磁場與傳播方向互相垂直,並符合

E×H 指向 +z,∣E∣∣H∣=η.\mathbf{E}\times\mathbf{H} \text{ 指向 } +z,\qquad \frac{|\mathbf{E}|}{|\mathbf{H}|}=\eta.

解題方法

已知磁場沿 yy 方向,且波朝 +z+z 傳播。為使 E×H\mathbf{E}\times\mathbf{H} 指向 +z+z,電場必須沿 −x-x 方向,因為 (−ax)×ay=−az(-\mathbf{a}_x)\times\mathbf{a}_y=-\mathbf{a}_z。

先求介質中的相速度、波長及阻抗:

vp=1μ0(4ε0)=c2=1.5×108 m/s,v_p=\frac{1}{\sqrt{\mu_0(4\varepsilon_0)}} =\frac{c}{2} =1.5\times10^8\ \mathrm{m/s}, λ=vpf=1.5×108100×106=1.5 m,\lambda=\frac{v_p}{f} =\frac{1.5\times10^8}{100\times10^6} =1.5\ \mathrm{m}, β=2πλ=4π3 rad/m,ω=2πf=2π×108 rad/s,\beta=\frac{2\pi}{\lambda} =\frac{4\pi}{3}\ \mathrm{rad/m}, \qquad \omega=2\pi f=2\pi\times10^8\ \mathrm{rad/s}, η=μ04ε0=η02=60π Ω.\eta=\sqrt{\frac{\mu_0}{4\varepsilon_0}} =\frac{\eta_0}{2} =60\pi\ \Omega.

對沿 +z+z 傳播的波,磁場可寫成

H(z,t)=ayH0cos⁡(ωt−βz+ϕ).\mathbf{H}(z,t) =\mathbf{a}_y H_0\cos(\omega t-\beta z+\phi).

題目給定在 t=0t=0、z=18 mz=\frac18\ \mathrm{m} 時磁場為最大值 10−4 A/m10^{-4}\ \mathrm{A/m},故振幅為 H0=10−4 A/mH_0=10^{-4}\ \mathrm{A/m}。採用餘弦表示時,該點相位須為 2π2\pi 的整數倍:

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第 四 題20 分

有一電路,包含一個內阻為 50 Ω50\ \Omega、能產生電壓為 10 V10\ \mathrm{V}、頻率為 300 MHz300\ \mathrm{MHz} 的訊號產生器;訊號產生器連接一長度為 2 m2\ \mathrm{m}、阻抗為 50 Ω50\ \Omega 的傳輸線;傳輸線末端接上一阻抗為 (30−40j) Ω(30-40j)\ \Omega 的負載。請詳細推導此電路中的相位常數、傳輸線連接負載處的反射係數、傳輸線上電壓的表示式。以及若要讓負載端接收到最大的平均功率,其阻抗應設定為多少?(20 分)

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核心觀念

本題考查無損傳輸線的相位常數、負載端反射係數與電壓駐波,以及最大平均功率傳輸條件。主要公式為

β=2πλ,λ=vpf\beta=\frac{2\pi}{\lambda},\qquad \lambda=\frac{v_p}{f} ΓL=ZL−Z0ZL+Z0\Gamma_L=\frac{Z_L-Z_0}{Z_L+Z_0}

以負載端為座標原點、朝訊號源方向量測距離 zz 時,線上電壓相量為

V~(z)=V0+(ejβz+ΓLe−jβz)\widetilde V(z)=V_0^+\left(e^{j\beta z}+\Gamma_L e^{-j\beta z}\right)

題目未指定傳輸線的介質與相速度,以下依常見考題假設為空氣中傳播,取 vp=c=3×108 m/sv_p=c=3\times10^8\ \mathrm{m/s};並以 10 V10\ \mathrm{V} 作為訊號源相量電壓。若題目所稱 10 V10\ \mathrm{V} 為峰值或有效值,電壓相量的幅度解讀需採相同慣例。

解題方法

一、相位常數

頻率為 f=300 MHz=3×108 Hzf=300\ \mathrm{MHz}=3\times10^8\ \mathrm{Hz},故波長為

λ=vpf=3×1083×108=1 m\lambda=\frac{v_p}{f} =\frac{3\times10^8}{3\times10^8} =1\ \mathrm{m}

因此

β=2πλ=2π rad/m\beta=\frac{2\pi}{\lambda}=2\pi\ \mathrm{rad/m}

傳輸線長度 l=2 ml=2\ \mathrm{m},所以

βl=(2π)(2)=4π rad\beta l=(2\pi)(2)=4\pi\ \mathrm{rad}

也就是線長恰為兩個波長。

二、負載端反射係數

傳輸線特性阻抗為 Z0=50 ΩZ_0=50\ \Omega,負載為 ZL=30−40j ΩZ_L=30-40j\ \Omega。代入反射係數公式:

ΓL=(30−40j)−50(30−40j)+50=−20−40j80−40j=−j2\Gamma_L =\frac{(30-40j)-50}{(30-40j)+50} =\frac{-20-40j}{80-40j} =-\frac{j}{2}

因此

ΓL=−j0.5\boxed{\Gamma_L=-j0.5}

其大小與相位分別為

∣ΓL∣=0.5,∠ΓL=−90∘|\Gamma_L|=0.5,\qquad \angle\Gamma_L=-90^\circ

三、傳輸線上的電壓

訊號源內阻 Zg=50 ΩZ_g=50\ \Omega,與傳輸線特性阻抗相等,因此源端反射係數為

Γg=Zg−Z0Zg+Z0=0\Gamma_g=\frac{Z_g-Z_0}{Z_g+Z_0}=0

源端輸出的入射電壓由 10 V10\ \mathrm{V} 訊號源與 50 Ω50\ \Omega 內阻、50 Ω50\ \Omega 傳輸線分壓:

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