111 鐵路特考高員三級 電子工程 電磁學 考古題詳解

111 年・鐵路特考・高員三級・電子工程
試題代碼 電磁學

第 一 題20 分

如圖一所示,有一位於 x-yx\text{-}y 平面之半圓線電荷分布,其線電荷密度為 ρℓ\rho_\ell。試求在 zz 軸上任意點 (0,0,z)(0, 0, z) 之下列物理量: (一) 電位(VV)。(8分) (二) 電場強度(EE)。(12分)

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核心觀念

本題考查連續線電荷的電位與電場:

  • 線電荷微元:dq=ρℓ dldq=\rho_\ell\,dl
  • 電位: V=14πε0∫dqRV=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int\frac{dq}{R}
  • 電場:
E=14πε0∫dqR2aR=14πε0∫(r−r′)dqR3\mathbf E=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int\frac{dq}{R^2}\mathbf a_R =\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int\frac{( \mathbf r-\mathbf r')dq}{R^3}

依圖一,半圓位於 xx-yy 平面之下半部,半徑為 aa,圓心在原點,線電荷密度為均勻的 ρℓ\rho_\ell。


解題方法

以圓柱座標參數化半圓線電荷:

r′=acos⁡ϕ ax+asin⁡ϕ ay\mathbf r'=a\cos\phi\,\mathbf a_x+a\sin\phi\,\mathbf a_y

其中下半圓的角度範圍為

π≤ϕ≤2π\pi\leq \phi\leq 2\pi

且

dl=a dϕ,dq=ρℓa dϕdl=a\,d\phi,\qquad dq=\rho_\ell a\,d\phi

觀察場點為 P(0,0,z)P(0,0,z),因此

r=zaz\mathbf r=z\mathbf a_z

由源點至場點的向量為

R=r−r′=−acos⁡ϕ ax−asin⁡ϕ ay+zaz\mathbf R=\mathbf r-\mathbf r' =-a\cos\phi\,\mathbf a_x-a\sin\phi\,\mathbf a_y+z\mathbf a_z

其長度為

R=a2cos⁡2ϕ+a2sin⁡2ϕ+z2=a2+z2R=\sqrt{a^2\cos^2\phi+a^2\sin^2\phi+z^2} =\sqrt{a^2+z^2}

由於半圓上每一點到 zz 軸上場點的距離皆相同,積分可大幅簡化。


(一)電位 VV

V=14πε0∫π2πρℓa dϕa2+z2V=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0} \int_{\pi}^{2\pi}\frac{\rho_\ell a\,d\phi}{\sqrt{a^2+z^2}}

將常數提出:

V=ρℓa4πε0a2+z2∫π2πdϕV=\frac{\rho_\ell a}{4\pi\varepsilon_0\sqrt{a^2+z^2}} \int_{\pi}^{2\pi}d\phi

因為半圓弧的角度為 π\pi:

V(0,0,z)=ρℓa4ε0a2+z2\boxed{ V(0,0,z)= \frac{\rho_\ell a} {4\varepsilon_0\sqrt{a^2+z^2}} }

電位以無限遠處為零。


(二)電場強度 E\mathbf E

E=14πε0∫π2πRR3 dq\mathbf E =\frac{1}{4\pi\varepsilon_0} \int_{\pi}^{2\pi} \frac{\mathbf R}{R^3}\,dq

代入 R\mathbf R、RR 與 dqdq:

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第 二 題20 分

試求出下列結構之互電感(mutual inductance): (一) 空氣中一無限長直導線與其附近之一直角三角形導線,如圖二(a)所示。(10分) (二) 空氣中一無限長直導線與其附近之一等腰三角形導線,如圖二(b)所示。(10分)

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核心觀念

無限長直導線電流為 II 時,距離導線 xx 處的磁場為

B(x)=μ0I2πx,B(x)=\frac{\mu_0 I}{2\pi x},

其中空氣中 μ=μ0\mu=\mu_0。

三角形導線所在平面與磁場垂直,因此磁通量為

Φ=∫SB⋅dS=∫B(x) h(x) dx,\Phi=\int_S \mathbf B\cdot d\mathbf S =\int B(x)\,h(x)\,dx,

互電感定義為

M=ΦI.M=\frac{\Phi}{I}.

以下求互電感大小;若指定線圈繞行方向,則依楞次定律決定正負號。


二、(一) 直角三角形導線

由圖二(a),三角形左端距離無限長直導線為 dd,右端距離為 d+bd+b,且底角為 60∘60^\circ。

在距離直導線 xx 處,三角形的高度為

h(x)=(x−d)tan⁡60∘=3(x−d),h(x)=(x-d)\tan60^\circ =\sqrt{3}(x-d),

其中

d≤x≤d+b.d\le x\le d+b.

因此磁通量為

Φa=∫dd+bμ0I2πx3(x−d) dx.\Phi_a =\int_d^{d+b} \frac{\mu_0 I}{2\pi x}\sqrt{3}(x-d)\,dx.

整理得

Φa=μ0I32π∫dd+b(1−dx)dx.\Phi_a =\frac{\mu_0 I\sqrt{3}}{2\pi} \int_d^{d+b}\left(1-\frac{d}{x}\right)dx.

計算積分:

Φa=μ0I32π[x−dln⁡x]dd+b.\Phi_a =\frac{\mu_0 I\sqrt{3}}{2\pi} \left[ x-d\ln x \right]_d^{d+b}.

故

Φa=μ0I32π[b−dln⁡(d+bd)].\Phi_a =\frac{\mu_0 I\sqrt{3}}{2\pi} \left[ b-d\ln\left(\frac{d+b}{d}\right) \right].

所以互電感為

Ma=μ032π[b−dln⁡(d+bd)]\boxed{ M_a= \frac{\mu_0\sqrt{3}}{2\pi} \left[ b-d\ln\left(\frac{d+b}{d}\right) \right] }

二、(二) 等腰三角形導線

由圖二(b),等腰三角形頂點距離直導線為 dd,垂直底邊距離為 d+bd+b,頂角為 120∘120^\circ。

頂角兩側與水平線的夾角為

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第 三 題20 分

如圖三所示,有一介電物質其形狀是由部分圓柱幾何曲線(粗線部分)所定義出的,其介電係數為 ϵ\epsilon。根據下列情況,試求其物理量: (一) 如果置於 ϕ=0\phi = 0 面及 ϕ=α\phi = \alpha 面的導體,其電位分別維持在 V=0V = 0 及 V=V0V = V_0,求該結構的電容值為何?(10分) (二) 如果該介電物質改為一導電物質,其導電係數為 σ\sigma,其電位的邊界條件與(一)相同,求該結構的電阻值為何?(10分)

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純量函數 ff 之梯度運算(gradient)在圓柱座標的表示式為: ∇f=∂f∂ρρ^+1ρ∂f∂ϕϕ^+∂f∂zz^\nabla f = \frac{\partial f}{\partial \rho} \hat{\rho} + \frac{1}{\rho} \frac{\partial f}{\partial \phi} \hat{\phi} + \frac{\partial f}{\partial z} \hat{z}

拉普拉斯方程式(Laplace's equation)在圓柱座標的表示式為: ∇2V=1ρ∂∂ρ(ρ∂V∂ρ)+1ρ2∂2V∂ϕ2+∂2V∂z2=0\nabla^2 V = \frac{1}{\rho} \frac{\partial}{\partial \rho}\left(\rho \frac{\partial V}{\partial \rho}\right) + \frac{1}{\rho^2} \frac{\partial^2 V}{\partial \phi^2} + \frac{\partial^2 V}{\partial z^2} = 0

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核心觀念

本題是「圓柱座標中的電位分布、電容與電阻」問題。介電物質為一段圓柱形扇形區域,其範圍為

ρ1≤ρ≤ρ2,0≤ϕ≤α,0≤z≤ℓ.\rho_1\le \rho\le \rho_2,\qquad 0\le \phi\le \alpha,\qquad 0\le z\le \ell .

兩個導體位於 ϕ=0\phi=0 與 ϕ=α\phi=\alpha 面,且電位分別為 00 與 V0V_0。

由於兩導體面為等電位面,電位只隨 ϕ\phi 變化,因此可令

V=V(ϕ).V=V(\phi).

解題方法

在本結構中,電位與 ρ,z\rho,z 無關,拉普拉斯方程式化為

1ρ2d2Vdϕ2=0,\frac{1}{\rho^2}\frac{d^2V}{d\phi^2}=0,

因此

d2Vdϕ2=0.\frac{d^2V}{d\phi^2}=0.

積分得

V=Aϕ+B.V=A\phi+B.

套用邊界條件:

V(0)=0,V(α)=V0,V(0)=0,\qquad V(\alpha)=V_0,

可得

B=0,A=V0α.B=0,\qquad A=\frac{V_0}{\alpha}.

所以區域內電位分布為

V(ϕ)=V0αϕ.\boxed{V(\phi)=\frac{V_0}{\alpha}\phi}.

利用圓柱座標中的梯度公式,

∇V=1ρ∂V∂ϕϕ^,\nabla V=\frac{1}{\rho}\frac{\partial V}{\partial\phi}\hat{\phi},

故電場為

E=−∇V=−V0αρϕ^.\mathbf E=-\nabla V =-\frac{V_0}{\alpha\rho}\hat{\phi}.

電場方向由高電位面 ϕ=α\phi=\alpha 指向低電位面 ϕ=0\phi=0。


(一)求電容值

介電物質中的電位移為

D=ϵE=−ϵV0αρϕ^.\mathbf D=\epsilon\mathbf E =-\frac{\epsilon V_0}{\alpha\rho}\hat{\phi}.

在 ϕ=0\phi=0 導體面上,面積元素為

dS=dρ dz.dS=d\rho\,dz.

因此導體上的總電荷量大小為

Q=∫0ℓ∫ρ1ρ2ϵV0αρ dρ dz.Q=\int_0^\ell\int_{\rho_1}^{\rho_2} \frac{\epsilon V_0}{\alpha\rho}\,d\rho\,dz.

計算得

Q=ϵℓV0αln⁡(ρ2ρ1).Q=\frac{\epsilon \ell V_0}{\alpha} \ln\left(\frac{\rho_2}{\rho_1}\right).

由電容定義 C=Q/V0C=Q/V_0,

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第 四 題24 分

如圖四所示之一矩形波導管,其內部之電磁場(電場 EE 及磁場 HH)如下列式子所給定: E=−Cωμ0b2πsin⁡(2πyb)sin⁡(ωt−βz)x^E = -C \frac{\omega \mu_0 b}{2\pi} \sin\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \sin(\omega t - \beta z) \hat{x} H=Cβb2πsin⁡(2πyb)sin⁡(ωt−βz)y^+Ccos⁡(2πyb)cos⁡(ωt−βz)z^H = C \frac{\beta b}{2\pi} \sin\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \sin(\omega t - \beta z) \hat{y} + C \cos\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \cos(\omega t - \beta z) \hat{z} 其中 CC 為常數,β\beta 為相位常數,ω=2πf\omega = 2\pi f 且 ff 為激發頻率。假設波導管的四面金屬牆均為理想導體,試求出四面內牆上的面電荷密度(surface charge density)及面電流密度(surface current density)。(24分)

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核心觀念

矩形波導管內部為真空,四面金屬牆為理想導體,因此導體內部:

Emetal=Hmetal=0\mathbf E_{\text{metal}}=\mathbf H_{\text{metal}}=0

在理想導體表面,使用邊界條件:

ρs=n^⋅D=ϵ0n^⋅E\rho_s=\hat{\mathbf n}\cdot \mathbf D =\epsilon_0\hat{\mathbf n}\cdot\mathbf E

Ks=n^×H\mathbf K_s=\hat{\mathbf n}\times\mathbf H

其中 n^\hat{\mathbf n} 定義為「由金屬牆指向波導管內部」的單位法向量。

由圖可知波導管內部範圍為:

0≤x≤a,0≤y≤b0\le x\le a,\qquad 0\le y\le b

四面內牆為 x=0, x=a, y=0, y=bx=0,\ x=a,\ y=0,\ y=b。

為簡化表示,令

u=2πyb,θ=ωt−βzu=\frac{2\pi y}{b},\qquad \theta=\omega t-\beta z

則

E=−Cωμ0b2πsin⁡usin⁡θ x^\mathbf E =-C\frac{\omega\mu_0b}{2\pi}\sin u\sin\theta\,\hat{\mathbf x} H=Cβb2πsin⁡usin⁡θ y^+Ccos⁡ucos⁡θ z^\mathbf H =C\frac{\beta b}{2\pi}\sin u\sin\theta\,\hat{\mathbf y} +C\cos u\cos\theta\,\hat{\mathbf z}

一、x=0x=0 牆面

在 x=0x=0 面,金屬指向波導內部,故

n^=+x^\hat{\mathbf n}=+\hat{\mathbf x}

面電荷密度

ρs=ϵ0x^⋅E\rho_s=\epsilon_0\hat{\mathbf x}\cdot\mathbf E

因此

ρs∣x=0=−ϵ0Cωμ0b2πsin⁡(2πyb)sin⁡(ωt−βz)\boxed{ \rho_s\big|_{x=0} =-\epsilon_0C\frac{\omega\mu_0b}{2\pi} \sin\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \sin(\omega t-\beta z) }

面電流密度

Ks=x^×H\mathbf K_s=\hat{\mathbf x}\times\mathbf H

利用

x^×y^=z^,x^×z^=−y^\hat{\mathbf x}\times\hat{\mathbf y}=\hat{\mathbf z}, \qquad \hat{\mathbf x}\times\hat{\mathbf z}=-\hat{\mathbf y}

可得

Ks∣x=0=−Ccos⁡(2πyb)cos⁡(ωt−βz) y^+Cβb2πsin⁡(2πyb)sin⁡(ωt−βz) z^\boxed{ \mathbf K_s\big|_{x=0} =-C\cos\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \cos(\omega t-\beta z)\,\hat{\mathbf y} +C\frac{\beta b}{2\pi} \sin\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \sin(\omega t-\beta z)\,\hat{\mathbf z} }

二、x=ax=a 牆面

在 x=ax=a 面,金屬指向波導內部,故

n^=−x^\hat{\mathbf n}=-\hat{\mathbf x}

面電荷密度

ρs=−ϵ0x^⋅E\rho_s=-\epsilon_0\hat{\mathbf x}\cdot\mathbf E

所以

ρs∣x=a=+ϵ0Cωμ0b2πsin⁡(2πyb)sin⁡(ωt−βz)\boxed{ \rho_s\big|_{x=a} =+\epsilon_0C\frac{\omega\mu_0b}{2\pi} \sin\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \sin(\omega t-\beta z) }

面電流密度

Ks=−x^×H\mathbf K_s=-\hat{\mathbf x}\times\mathbf H

因此

Ks∣x=a=+Ccos⁡(2πyb)cos⁡(ωt−βz) y^−Cβb2πsin⁡(2πyb)sin⁡(ωt−βz) z^\boxed{ \mathbf K_s\big|_{x=a} =+C\cos\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \cos(\omega t-\beta z)\,\hat{\mathbf y} -C\frac{\beta b}{2\pi} \sin\left(\frac{2\pi y}{b}\right) \sin(\omega t-\beta z)\,\hat{\mathbf z} }

三、y=0y=0 牆面

在 y=0y=0 面,金屬指向波導內部,故

n^=+y^\hat{\mathbf n}=+\hat{\mathbf y}

因為電場只有 xx 分量,沒有 yy 分量,所以

ρs∣y=0=0\boxed{\rho_s\big|_{y=0}=0}

面電流密度為

Ks=y^×H\mathbf K_s=\hat{\mathbf y}\times\mathbf H

其中

y^×z^=x^\hat{\mathbf y}\times\hat{\mathbf z}=\hat{\mathbf x}

且在 y=0y=0 時:

sin⁡0=0,cos⁡0=1\sin 0=0,\qquad \cos 0=1

故

Ks∣y=0=Ccos⁡(ωt−βz) x^\boxed{ \mathbf K_s\big|_{y=0} =C\cos(\omega t-\beta z)\,\hat{\mathbf x} }
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第 五 題16 分

一右手圓形極化平面波可用下列相量(phasor)來表示, E(z)=E0(x^−jy^)e−jβzE(z) = E_0 (\hat{x} - j\hat{y}) e^{-j\beta z} 其中 β\beta 為相位常數。若該平面波正向入射在位於 z=0z=0 的理想導體牆,試回答下列問題: (一) 決定其反射波的極化。(4分) (二) 找出該理想導體牆上感應的電流。(6分) (三) 寫出總電場以正弦參考時間(sine time reference)為基礎的瞬間表示式。(6分)

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核心觀念

  1. 圓形極化(Circular Polarization)與極化旋向:
  • 平面波電場在空間旋轉的特性稱為極化。若波沿 +z+z 方向傳播,定義時間為 tt,當手掌大拇指指向波傳播方向(+z+z),其餘四指彎曲方向符合電場向量隨時間旋轉的方向時,即為右手圓形極化(RHCP);反之則為左手圓形極化(LHCP)。
  1. 理想導體(PEC)邊界條件與反射:
  • 平面波正向入射至位於 z=0z=0 的理想導體牆(Perfect Electric Conductor, PEC)時,切向電場在導體表面必須為零(E⃗tangential∣z=0=0\vec{E}_{\text{tangential}}\big|_{z=0} = 0)。
  • 電場反射係數為 ΓE=−1\Gamma_E = -1;磁場反射係數為 ΓH=+1\Gamma_H = +1。
  • 理想導體牆表面感應電流密度 J⃗s\vec{J}_s 由邊界條件決定: J⃗s=n^×H⃗total∣z=0\vec{J}_s = \hat{n} \times \vec{H}_{\text{total}}\big|_{z=0} 其中 n^=−z^\hat{n} = -\hat{z} 為理想導體表面指向場區域(z<0z < 0)的單位外法向量。
  1. 正弦參考時間(Sine Time Reference)之時域轉換:
  • 相量(Phasor)轉換至瞬間時域表示式時,一般預設採用「餘弦參考時間」(Re{E⃗ejωt}\mathcal{R}e\{ \vec{E} e^{j\omega t} \})。
  • 本題特別指定採用「正弦參考時間」(Sine Time Reference),其轉換公式為取虛部: E⃗(z,t)=Im{E⃗(z)ejωt}\vec{\mathcal{E}}(z, t) = \mathcal{I}m\left\{ \vec{E}(z) e^{j\omega t} \right\}

解題方法

(一) 決定反射波的極化

  1. 求反射波電場相量 E⃗r(z)\vec{E}_r(z): 已知入射波沿 +z+z 方向傳播,電場相量為: E⃗i(z)=E0(x^−jy^)e−jβz\vec{E}_i(z) = E_0 (\hat{x} - j\hat{y}) e^{-j\beta z} 因正向入射於 z=0z=0 之理想導體牆(ΓE=−1\Gamma_E = -1),反射波沿 −z-z 方向傳播,其電場相量為: E⃗r(z)=ΓE⋅E0(x^−jy^)e+jβz=−E0(x^−jy^)e+jβz=E0(−x^+jy^)e+jβz\vec{E}_r(z) = \Gamma_E \cdot E_0 (\hat{x} - j\hat{y}) e^{+j\beta z} = -E_0 (\hat{x} - j\hat{y}) e^{+j\beta z} = E_0 (-\hat{x} + j\hat{y}) e^{+j\beta z}

  2. 判定極化旋向: 將反射波電場轉至時域(取標準時間參考): E⃗r(z,t)=Re{E⃗r(z)ejωt}=E0[−x^cos⁡(ωt+βz)−y^sin⁡(ωt+βz)]\vec{\mathcal{E}}_r(z, t) = \mathcal{R}e\left\{ \vec{E}_r(z) e^{j\omega t} \right\} = E_0 \left[ -\hat{x} \cos(\omega t + \beta z) - \hat{y} \sin(\omega t + \beta z) \right] 在觀察點 z=0z = 0 處: E⃗r(0,t)=E0[−x^cos⁡(ωt)−y^sin⁡(ωt)]\vec{\mathcal{E}}_r(0, t) = E_0 \left[ -\hat{x} \cos(\omega t) - \hat{y} \sin(\omega t) \right]

  • 當 t=0t = 0 時,電場指向 −x^-\hat{x};
  • 當 ωt=π2\omega t = \frac{\pi}{2} 時,電場指向 −y^-\hat{y}。

電場向量在 xyxy 平面上隨時間由 −x^-\hat{x} 旋轉至 −y^-\hat{y}。 此時大拇指指向反射波傳播方向(−z^-\hat{z}),其餘四指依電場旋轉方向彎曲,符合左手定則。 故反射波為 左手圓形極化(LHCP)。


(二) 找出該理想導體牆上感應的電流

  1. 求解入射磁場相量 H⃗i(z)\vec{H}_i(z) 與反射磁場相量 H⃗r(z)\vec{H}_r(z): 利用平面波關係式 H⃗(z)=1ηk^×E⃗(z)\vec{H}(z) = \frac{1}{\eta} \hat{k} \times \vec{E}(z),其中 η\eta 為介質固有阻抗:
  • 入射波傳播方向 k^i=z^\hat{k}_i = \hat{z}: H⃗i(z)=1ηz^×[E0(x^−jy^)e−jβz]=E0η(y^+jx^)e−jβz=E0η(jx^+y^)e−jβz\vec{H}_i(z) = \frac{1}{\eta} \hat{z} \times \left[ E_0 (\hat{x} - j\hat{y}) e^{-j\beta z} \right] = \frac{E_0}{\eta} (\hat{y} + j\hat{x}) e^{-j\beta z} = \frac{E_0}{\eta} (j\hat{x} + \hat{y}) e^{-j\beta z}
  • 反射波傳播方向 k^r=−z^\hat{k}_r = -\hat{z}: H⃗r(z)=1η(−z^)×[−E0(x^−jy^)e+jβz]=E0η(y^+jx^)e+jβz=E0η(jx^+y^)e+jβz\vec{H}_r(z) = \frac{1}{\eta} (-\hat{z}) \times \left[ -E_0 (\hat{x} - j\hat{y}) e^{+j\beta z} \right] = \frac{E_0}{\eta} (\hat{y} + j\hat{x}) e^{+j\beta z} = \frac{E_0}{\eta} (j\hat{x} + \hat{y}) e^{+j\beta z}
  1. 求解介質區(z≤0z \le 0)的總磁場相量 H⃗total(z)\vec{H}_{\text{total}}(z): H⃗total(z)=H⃗i(z)+H⃗r(z)=E0η(jx^+y^)(e−jβz+e+jβz)=2E0η(jx^+y^)cos⁡(βz)\vec{H}_{\text{total}}(z) = \vec{H}_i(z) + \vec{H}_r(z) = \frac{E_0}{\eta} (j\hat{x} + \hat{y}) \left( e^{-j\beta z} + e^{+j\beta z} \right) = \frac{2E_0}{\eta} (j\hat{x} + \hat{y}) \cos(\beta z)

  2. 求理想導體牆(z=0z = 0)上的感應表面電流密度相量 J⃗s\vec{J}_s: 依據導體邊界條件,導體表面外法向量 n^=−z^\hat{n} = -\hat{z}: J⃗s=n^×H⃗total(0)=(−z^)×[2E0η(jx^+y^)]\vec{J}_s = \hat{n} \times \vec{H}_{\text{total}}(0) = (-\hat{z}) \times \left[ \frac{2E_0}{\eta} (j\hat{x} + \hat{y}) \right] 展計算式: (−z^)×jx^=−jy^(-\hat{z}) \times j\hat{x} = -j\hat{y} (−z^)×y^=x^(-\hat{z}) \times \hat{y} = \hat{x} 因此得感應表面電流密度相量為: J⃗s=2E0η(x^−jy^)(A/m)\vec{J}_s = \frac{2E_0}{\eta} (\hat{x} - j\hat{y}) \quad (\text{A/m})

若換算為正弦時間參考之瞬間電流密度:

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