113 身心障礙特考四等 電子工程 電子學概要 考古題詳解

113 年・身心障礙特考・四等・電子工程
試題代碼 電子學概要

第 一 題25 分

如圖一所示為一使用於振盪器之振幅控制限制器(limiter)電路,假設 R2=R3=R4=R5R_2=R_3=R_4=R_5。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

解釋其操作並繪其轉移特性曲線(transfer characteristic curve)。

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核心觀念

本題考運算放大器的反相回授、理想二極體導通判斷,以及二極體切換造成的分段轉移特性。令 R=R2=R3=R4=R5R=R_2=R_3=R_4=R_5,並假設運算放大器理想、二極體理想且未受輸出電壓限制。

運算放大器的非反相端接地,因此在線性負回授下,反相端為虛地,v−=0v_-=0。二極體關斷時,電路是反相放大器;二極體導通時,會改變回授路徑,使輸出對輸入的斜率變小。

解題方法

先假設二極體皆關斷,求輸出與二極體兩端電壓,再以導通條件判斷切換點;二極體導通時,將導通的理想二極體視為短路,重新列節點電流方程式。

  1. 二極體皆關斷

此時反相放大器的輸出為

vo=−RfR1vi.v_o=-\frac{R_f}{R_1}v_i.

上方節點 AA 位於 +V+V 與 vov_o 之間,兩側電阻相等;下方節點 BB 位於 vov_o 與 −V-V 之間,兩側電阻也相等,因此

vA=V+vo2,vB=vo−V2.v_A=\frac{V+v_o}{2},\qquad v_B=\frac{v_o-V}{2}.

由圖中二極體方向,D1D_1 在反相端電壓高於 AA 時導通;D2D_2 在 BB 高於反相端時導通。反相端為 00,所以二極體皆關斷的條件是 vA≥0v_A\ge 0 且 vB≤0v_B\le 0,即

−V≤vo≤V.-V\le v_o\le V.

代入反相放大器輸出,得到中央線性區:

−VR1Rf≤vi≤VR1Rf,vo=−RfR1vi.-\frac{VR_1}{R_f}\le v_i\le \frac{VR_1}{R_f}, \qquad v_o=-\frac{R_f}{R_1}v_i.
  1. 正輸入端:D1D_1 導通

當 vi>VR1Rfv_i>\frac{VR_1}{R_f},輸出試圖低於 −V-V,使 A<0A<0,故 D1D_1 導通。理想二極體導通後 vA=0v_A=0。

令 iD1i_{D1} 為由反相端流向 AA 的電流。在反相端及 AA 點列電流方程:

iD1=viR1+voRf,iD1=−V+voR.i_{D1}=\frac{v_i}{R_1}+\frac{v_o}{R_f}, \qquad i_{D1}=-\frac{V+v_o}{R}.

兩式相等,整理得

vo=−RfR+Rf(V+RR1vi),vi≥VR1Rf.v_o=-\frac{R_f}{R+R_f} \left(V+\frac{R}{R_1}v_i\right), \qquad v_i\ge\frac{VR_1}{R_f}.
  1. 負輸入端:D2D_2 導通

當 vi<−VR1Rfv_i<-\frac{VR_1}{R_f},輸出試圖高於 VV,使 B>0B>0,故 D2D_2 導通。此時 vB=0v_B=0。

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第 二 題25 分

如圖二所示之模擬電感電路,假設 A1A_1 及 A2A_2 為理想之運算放大器。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

試分析此電路並計算此電感電路之阻抗 Zin(s)Z_{in}(s)。

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核心觀念

本題考查以兩個理想運算放大器和五個阻抗組成的廣義阻抗轉換器(GIC),可用來合成電感。理想運算放大器在線性負回授下滿足 V+=V−V_+=V_-,且輸入端電流為零。此類電路的輸入阻抗為

Zin(s)=Z1Z3Z5Z2Z4.Z_{in}(s)=\frac{Z_1Z_3Z_5}{Z_2Z_4}.

分子、分母中的阻抗位置依圖中的 GIC 接法決定。

解題方法

依圖二的阻抗位置代入:

Z1=R1,Z2=R2,Z3=R3,Z4=1sC4,Z5=R5.Z_1=R_1,\qquad Z_2=R_2,\qquad Z_3=R_3,\qquad Z_4=\frac{1}{sC_4},\qquad Z_5=R_5.

因此

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第 三 題25 分

如圖三所示為一 NPNNPN 雙載子電晶體電路,假設電晶體共射極電流增益 β=99\beta=99、ICBO=10−11 AI_{CBO}=10^{-11}\,\mathrm{A},且 RC=2 kΩR_C=2\,\mathrm{k}\Omega。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

試計算 iCi_C、iEi_E 及 vCEv_{CE}。

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核心觀念

本題考查 NPN 電晶體在共射極組態下,如何由基極電流求出集極電流與射極電流,並利用集極電阻的壓降求 vCEv_{CE}。

考慮集極-基極截止漏電流 ICBOI_{CBO} 時:

iC=βiB+(β+1)ICBO,iE=iC+iBi_C=\beta i_B+(\beta+1)I_{CBO}, \qquad i_E=i_C+i_B

解題方法

由圖可知基極電流源提供 iB=20 μAi_B=20\,\mu\mathrm{A},射極接地;集極經 RC=2 kΩR_C=2\,\mathrm{k}\Omega 接至 10 V10\,\mathrm{V} 電源。

先計算集極電流:

iC=99(20 μA)+(99+1)(10−11 A)=1.980001 mA\begin{aligned} i_C &=99(20\,\mu\mathrm{A})+(99+1)(10^{-11}\,\mathrm{A})\\ &=1.980001\,\mathrm{mA} \end{aligned}

射極電流由電晶體電流關係求得:

iE=iC+iB=1.980001 mA+0.020 mA=2.000001 mA\begin{aligned} i_E&=i_C+i_B\\ &=1.980001\,\mathrm{mA}+0.020\,\mathrm{mA}\\ &=2.000001\,\mathrm{mA} \end{aligned}
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第 四 題25 分

如圖四所示為一頻率補償後之兩級式 CMOS 運算放大器電路,試回答:

(一) 為何此運算放大器需要加補償電容 CCC_C?(10 分)

(二) 補償後之極點頻率及零點頻率(如果有),頻率以小訊號參數表示。(15 分)

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核心觀念

此題考兩級 CMOS 運算放大器的米勒頻率補償。兩級放大器各自有高阻抗節點,會形成多個低頻極點;若極點造成的相位延遲累積過大,負回授下可能不穩定。跨接第一級輸出與總輸出端的補償電容 CCC_C,利用米勒效應增加第一級輸出端的等效電容,使主極點下降,並將非主極點推向較高頻率,以增加相位裕度。

圖中 CCC_C 直接跨接第二級共源放大器 Q6Q_6 的輸入與輸出,因此也會產生一個右半平面零點;圖中沒有消除該零點的串聯電阻。

解題方法

將電路簡化為兩個高阻抗節點的小訊號模型:

  • 第一級輸出節點:R1R_1 對地,等效寄生電容 C1C_1 對地。
  • 第二級輸出節點:R2R_2 對地,等效寄生電容 C2C_2 對地。
  • 第二級 Q6Q_6 的跨導為 gm6g_{m6},補償電容 CCC_C 跨接兩節點。

其中可取

R1≃ro2∥ro4,R2≃ro6∥ro7∥RLR_1 \simeq r_{o2}\parallel r_{o4},\qquad R_2 \simeq r_{o6}\parallel r_{o7}\parallel R_L

C1C_1、C2C_2 分別代表兩節點除 CCC_C 外的總等效寄生電容;C2C_2 可包含輸出負載電容。題目未提供元件尺寸與負載數值,因此以小訊號等效參數表示。

令 g1=1/R1g_1=1/R_1、g2=1/R2g_2=1/R_2。兩節點的特徵方程為

a2s2+a1s+a0=0a_2s^2+a_1s+a_0=0

其中

a2=C1C2+CC(C1+C2),a1=g1(C2+CC)+g2(C1+CC)+gm6CC,a0=g1g2.\begin{aligned} a_2&=C_1C_2+C_C(C_1+C_2),\\ a_1&=g_1(C_2+C_C)+g_2(C_1+C_C)+g_{m6}C_C,\\ a_0&=g_1g_2. \end{aligned}

因此兩個極點位於左半平面,其極點角頻率為

ωp1=a1−a12−4a2a02a2,ωp2=a1+a12−4a2a02a2\omega_{p1}=\frac{a_1-\sqrt{a_1^2-4a_2a_0}}{2a_2}, \qquad \omega_{p2}=\frac{a_1+\sqrt{a_1^2-4a_2a_0}}{2a_2}

其中 ωp1<ωp2\omega_{p1}<\omega_{p2}。換算為赫茲:

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