112 身心障礙特考五等 電子工程 電子學大意 考古題詳解

核心觀念

本題考積體電路（IC）依整合程度的分類。分類依據是單一晶片內包含的邏輯閘數目；整合程度由低至高依序為 SSI、MSI、LSI、VLSI。

解題方法

比較四種分類的整合程度即可。VLSI 是「超大型積體電路」，整合程度高於 LSI、MSI 與 SSI，因此包含的邏輯閘數目最多。

選項分析

核心觀念

平均電壓是訊號在指定時間區間內的積分，除以區間長度：

本題的 $v_2(t)=v_1(t)f(t)$，圖中 $f(t)$ 在 $0\le t<4$ 時為 $3$，在 $4\le t\le8$ 時為 $-2$。

解題方法

依照 $f(t)$ 的分段，分別計算乘積訊號的積分：

利用

可得

核心觀念

本題考二極體的定電壓降模型與導通狀態判斷。每顆導通二極體的壓降為 $0.6\ \mathrm{V}$；沿著二極體箭頭方向導通時，串聯的壓降相加。判斷各支路是否導通後，再用歐姆定律計算電阻電流。

解題方法

以接地端為 $0\ \mathrm{V}$。右側水平支路有三顆方向朝右的二極體，導通時，電阻右端節點電壓為

再檢查向下的三顆二極體支路。電池正端為 $+2\ \mathrm{V}$，要使這三顆二極體由上往下導通，節點電壓至少要達到

但節點已由右側支路箝位在 $1.8\ \mathrm{V}$，低於 $3.8\ \mathrm{V}$，因此向下支路截止。電流由 $5\ \mathrm{V}$ 電源經 $20\ \mathrm{k}\Omega$ 電阻，再通過右側三顆導通二極體流向接地。

核心觀念

蕭特基二極體由金屬與半導體形成接面，屬於多數載子元件。它的導通與切換不以少數載子的注入、儲存及復合為主，因此具有切換速度快、適用於高頻電路等特性。矽基蕭特基二極體的順向切入電壓通常也低於矽 PN 接面二極體。

解題方法

判斷各選項是否符合蕭特基二極體的接面結構、載子特性及電氣特性。特別要分清楚多數載子與少數載子：蕭特基二極體的導電主要由多數載子主導，因此「少數載子所主導」的敘述錯誤。

選項分析

• (A) 正確。 蕭特基二極體以金屬與半導體接觸形成蕭特基障壁，構成整流接面。
• **(B) 正確。

核心觀念

本題考查電晶體共基極電流增益 $\alpha$ 與共射極電流增益 $\beta$ 的關係：

其中 $\alpha=I_C/I_E$，$\beta=I_C/I_B$，且電流關係為 $I_E=I_C+I_B$。

解題方法

將兩個 $\alpha$ 值分別代入公式：

當 $\alpha=0.98$ 時，

當 $\alpha=0.99$ 時，

因此，$\beta$ 值由 $49$ 變為 $99$。

選項分析

• (A) 由 $88$ 變為 $49$：錯誤。 $\alpha$ 增加時，依公式 $\beta=\alpha/(1-\alpha)$，$\beta$ 也會增加；

核心觀念

這題考互補式射極隨耦器的直流分析。Q1 為上方 NPN 電晶體，輸出 $V_E$ 接在射極，並經 $1\,\text{k}\Omega$ 電阻接地；基極則由 $V_I$ 經 $10\,\text{k}\Omega$ 電阻驅動。

採用矽晶體管近似 $V_{BE}=0.7\,\text{V}$，且

由於 $\beta=199$，因此 $\beta+1=200$。

解題方法

當 $V_I=2.7\,\text{V}$ 時，Q1 導通，Q2 截止。Q1 的基極電壓約為

$10\,\text{k}\Omega$ 電阻上的電流就是 Q1 的基極電流：

射極電流流經 $1\,\text{k}\Omega$ 負載，因此

代入得

整理：

核心觀念

本題考查 n 通道增強型 MOSFET 的共源極電路。圖中 Q1 的源極接地、汲極經負載電阻 $R_D$ 接至 $V_{DD}$，輸出 $v_o$ 取自汲極；輸入 $v_i=V_{DD}$，使閘極電壓固定在高電位，MOSFET 導通。

汲極迴路的電壓關係為：

解題方法

在 $v_i=V_{DD}$ 固定時，$V_{GS}$ 固定。增大 $R_D$ 會使電阻上承受較大的電壓降，汲極輸出電壓 $v_o$ 因而降低。若考慮工作點隨電阻改變，$I_D$ 也會跟著調整；以負載線觀察，$R_D$ 增大時，導通狀態下的工作點仍會往較低的汲極電壓移動。

因此，$R_D$ 變大時，$v_o$ 降低。

選項分析

核心觀念

本題是承接前一題的電路，考查輸入電壓為零時，輸出電壓是否受汲極負載電阻 $R_D$ 影響。官方答案為「不變」。

解題方法

當 $v_i=0$ 時，依承上題電路的偏壓條件，電晶體截止，汲極電流 $I_D=0$。$R_D$ 上的壓降為

因此，輸出端電壓由電源電壓決定；改變 $R_D$ 不會改變 $v_o$，故輸出電壓不變。

選項分析

核心觀念

本題考查 NPN 雙極性接面電晶體（BJT）中，基極摻雜濃度對電流增益與 Early 效應的影響。

電流增益可用共射極電流增益 $\beta$ 表示：

基極濃度增高時，基極內的電子與電洞復合增加，基極電流相對變大，因此 $\beta$ 下降。

Early 效應則是集極—基極接面反向偏壓增加，使空乏區向基極擴展、有效基極寬度縮小，進而使集極電流隨集極—射極電壓增加而上升的現象。基極摻雜濃度提高，基極較不易被空乏區侵入，有效基極寬度的變化較小，因此 Early 效應較不明顯。

解題方法

依序判斷兩個影響：

1. **電流增益：**基極摻雜濃度提高，基極復合增加，基極電流增加；在集極電流相近的條件下，$\beta=I_C/I_B$ 下降。
2. **Early 效應：**集極—基極接面空乏區向基極延伸時，高摻雜基極的空乏區延伸較少，基極寬度調變較小，因此集極電流受集極電壓變化的影響較小，Early 效應較不明顯。

核心觀念

本題比較四種放大器的輸入阻抗。輸入阻抗是由輸入端看進電路所呈現的阻抗；比較時要看輸入端是否直接接到低阻抗的電晶體接面，或由高阻抗的閘極輸入。

• BJT 的輸入端是基極，會有基極電流，因此輸入阻抗有限。
• JFET、MOSFET 的輸入端是閘極，閘極電流通常很小，輸入阻抗高。
• MOSFET 的閘極與通道之間由氧化層隔離，理想狀況下閘極直流電流近乎為零，因此輸入阻抗特別高。

解題方法

逐一辨認各組態的輸入端及其電流路徑：

1. 射極隨耦器與達令頓組態都以 BJT 基極作為輸入端，基極需要電流，輸入阻抗有限。
2. JFET 共閘極組態由源極輸入。源極是通道端，輸入阻抗不如由閘極輸入的組態高。
3. MOSFET 共源極組態由閘極輸入。閘極與通道隔著氧化層，閘極電流近乎為零，因此輸入阻抗最大。

選項分析

(A) BJT 射極隨耦器：錯誤。 訊號由基極輸入，基極有電流。射極負載反映至基極時，輸入阻抗約為

核心觀念

理想運算放大器在負回授且未飽和時，符合虛短與輸入端電流為零：

$V_-=V_+,\qquad I_-=I_+=0$

本題先用 $R_3$、$R_4$ 求非反相端電壓，再對反相端套用節點電流定律。官方答案 A 所採用的倍率是 $R_2/R_1=2$。

解題方法

非反相端由 $V_2$ 經 $R_3$、$R_4$ 分壓：

因此 $V_-=1\ \mathrm{V}$。在反相端套用 KCL：

$\frac{V_--V_1}{R_1}+\frac{V_--V_o}{R_2}=0$

整理得：

$V_o=\left(1+\frac{R_2}{R_1}\right)V_- -\frac{R_2}{R_1}V_1$

依官方答案採用的倍率 $R_2/R_1=2$：

$V_o=(1+2)(1)-2(2)=-1\ \mathrm{V}$

輸出為 $-1\ \mathrm{V}$，落在電源電壓 $\pm15\ \mathrm{V}$ 範圍內，沒有飽和。

選項分析

核心觀念

理想運算放大器具有下列特性：

• 輸入阻抗 $Z_i\to\infty$，使輸入端幾乎不取電流。
• 輸出阻抗 $Z_o\to 0$，使輸出電壓不易受負載影響。
• 開迴路電壓增益 $A_{ol}\to\infty$。

因此，判斷哪一組最接近理想運算放大器，要看 $Z_i$ 是否最大、$Z_o$ 是否最小，以及 $A_{ol}$ 是否最大。

解題方法

逐項比較各選項的三個參數：

(D) 的輸入阻抗與 (B) 同為最大，輸出阻抗與 (A) 同為最小，開迴路增益與 (C) 同為最大。它同時具備三項最接近理想值的條件。

選項分析

核心觀念

本題考二極體的擴散電容。PN 接面加上順向偏壓時，載子會跨越接面注入另一側，並在接面附近形成儲存電荷。偏壓改變時，儲存電荷也跟著改變，因而呈現電容效應，稱為擴散電容。

擴散電容常用下式表示：

其中 $Q$ 是儲存在接面附近的少數載子電荷，$V$ 是二極體電壓。順向偏壓越大，注入與儲存的載子越多，擴散電容通常也越明顯。

解題方法

判斷「擴散電容」時，抓住載子注入與儲存這個特徵即可：PN 接面在順向偏壓下，載子跨越接面並累積，電壓變化會帶動儲存電荷變化，因此形成擴散電容。

選項分析

核心觀念

稽納二極體在反向崩潰區工作時，會將兩端電壓維持在稽納電壓 $V_Z$。本題中稽納二極體與 $20\,\mathrm{k\Omega}$ 負載並聯，因此兩者電壓皆為 $20\,\mathrm{V}$。流過 $2\,\mathrm{k\Omega}$ 串聯電阻的電流，則分流至負載與稽納二極體。

解題方法

先確認稽納二極體處於穩壓狀態，節點電壓為 $V_Z=20\,\mathrm{V}$。串聯電阻上的電壓為 $40-20=20\,\mathrm{V}$，故其電流為

負載電流為

依據節點電流定律，串聯電阻電流等於負載電流與稽納電流之和：

核心觀念

平均電壓是波形在一個週期內的平均值。圖中的波形最低為 $10\ \mathrm{V}$、最高為 $20\ \mathrm{V}$，每個波峰可視為疊加在 $10\ \mathrm{V}$ 直流基準上的全波整流正弦波，峰值為 $10\ \mathrm{V}$。

全波整流正弦波的平均值為峰值的 $\frac{2}{\pi}$ 倍。

解題方法

將圖示電壓寫成直流基準與整流波形的總和：

因此，一週期平均值為：

也就是說，先取波形的 $10\ \mathrm{V}$ 基準，再加上由 $10\ \mathrm{V}$ 峰值的全波整流正弦波所貢獻的平均值。

選項分析

核心觀念

本題考中心抽頭全波整流器、變壓器匝數比，以及電阻負載的平均功率。電阻的平均功率要用輸出電壓的均方根值計算：

圖中次級繞組有中心抽頭，兩顆二極體輪流導通；每半週只有一顆二極體串入負載，因此每次導通只扣除一個二極體壓降 $0.7\ \mathrm{V}$。

解題方法

輸入電壓有效值為 $\frac{120}{\sqrt{2}}\ \mathrm{V}$，所以輸入峰值為 $120\ \mathrm{V}$。變壓器匝數比為 $4:1$，次級全繞組的峰值為：

中心抽頭將次級分成兩半，因此每半繞組的峰值為 $15\ \mathrm{V}$。整流後負載電壓的峰值約為：

全波整流不改變正弦波的均方根值。忽略二極體壓降時，負載電壓有效值為 $15/\sqrt{2}\ \mathrm{V}$，功率約為：

核心觀念

主動濾波器以具有放大能力的有源元件，搭配電阻、電容等被動元件構成。常見有源元件包括運算放大器（OP 放大器）與電晶體。這類濾波器可提供訊號增益，也常用於低通、高通、帶通或帶拒濾波電路。

相對地，被動濾波器只使用電阻、電容、電感等被動元件，不能提供功率增益。

解題方法

判斷「主動濾波器」的關鍵，是看電路是否採用具有放大能力的元件。題目問的是主要使用何種元件；選項中，OP 放大器與電晶體都屬於有源元件，因此選擇列出這些元件的選項。

選項分析

核心觀念

本題考變壓器匝數比、中心抽頭全波整流，以及並聯濾波電容後的負載功率計算。理想二極體導通時，電容充至每半段次級繞組的峰值電壓；負載功率則依 $P_L=V_o^2/R_L$ 計算。

解題方法

輸入電壓為 $v_i(t)=32\sin(377t)\ \mathrm{V}$，因此輸入峰值為 $32\ \mathrm{V}$。變壓器匝數比為 $4:1$，次級全繞組的峰值為

次級有中心抽頭，負載接在中心抽頭與整流輸出端之間，所以每半段繞組的峰值為

兩顆二極體交替導通，形成全波整流；並聯濾波電容在理想二極體下充至每半段繞組的峰值。因此依題目慣例，假設濾波電容足以使漣波可忽略，$v_o\approx 4\ \mathrm{V}$。負載消耗功率為

核心觀念

半波電壓倍增器利用二極體的整流與電容的充放電，將輸入交流電壓的峰值逐級累加，以取得高於單一整流器輸出的直流電壓。電路運作仰賴箝位效應：電容先在交流某一半週充電，之後其電壓與輸入電壓疊加，使後續級的電容充到更高電位。

此類倍壓器適合高電壓、低電流的應用；級數增加雖能提高輸出電壓，但輸出電流能力與負載調整率較差。

解題方法

判斷各選項是否符合半波倍壓器的基本特性，並特別核對三倍壓電路所需的元件數。電壓倍增器的級數不能直接等同於二極體、電容各自所需的數量；三倍壓電路可由半波倍壓器的整流與電容串接配置形成，題目所稱「至少需要 4 個二極體及 4 個電容」不符一般三倍壓電路的元件需求。

選項分析

核心觀念

本題考二極體限幅電路。二極體未導通時，輸出端電壓隨輸入正弦波變化；輸出電壓達到二極體的順向切入電壓後，二極體導通，將電壓限制在約 $0.7\ \mathrm{V}$。

圖中兩顆二極體反向並聯在輸出端與地之間，因此分別限制正半週與負半週。串聯電阻 $R=3.1\ \mathrm{k}\Omega$ 用來限制二極體導通時的電流。

解題方法

輸入電壓範圍為 $-25\ \mathrm{V}$ 至 $+25\ \mathrm{V}$。

• 正半週時，$V_{out}$ 上升至約 $+0.7\ \mathrm{V}$，正向導通的二極體將輸出箝位在 $+0.7\ \mathrm{V}$。
• 負半週時，$V_{out}$ 下降至約 $-0.7\ \mathrm{V}$，另一顆二極體正向導通，將輸出箝位在 $-0.7\ \mathrm{V}$。

因此輸出電壓被限制在

選項分析

核心觀念

本題考查電容耦合的箝位電路。當 $RC$ 時間常數遠大於輸入訊號週期時，電容在一個週期內的電壓近似不變；二極體導通時，會把輸出波形的一個峰值箝位在約 $0.7\ \mathrm{V}$。

圖中二極體在輸出正峰值時導通，因此輸出正峰值被箝位在 $+0.7\ \mathrm{V}$。

解題方法

輸入正弦波峰值為 $18\ \mathrm{V}$。輸入達正峰值時，二極體導通，輸出約為 $+0.7\ \mathrm{V}$，所以電容上的電壓約為

二極體截止期間，電容電壓近似維持不變，因此輸出波形相對輸入波形向下平移 $17.3\ \mathrm{V}$。輸入正弦波的平均值為 $0$，故輸出的直流成分為

選項分析

核心觀念

箝位電路（clamper）的作用，是在不改變輸入波形峰對峰值大致不變的情況下，將整個交流波形向上或向下平移，讓某一端的峰值箝在指定電位附近。基本箝位電路需要電容儲存電荷，並以二極體提供單向導通路徑；電阻則提供放電路徑並影響電容電荷保持時間。

電感不是基本箝位電路的必要元件。

解題方法

辨認基本箝位電路的組成即可：典型電路由電容、二極體與電阻構成。電容藉由充放電建立直流位移；二極體在輸入的特定半週導通，使輸出波形的一端被箝定；電阻則與電容形成時間常數，影響箝位效果。

因此，題目問「不是箝位電路所必備」時，選出不屬於上述基本組成的電感。

核心觀念

本題考查共射極 NPN 電晶體的直流偏壓，以及集極負載線。圖中 $R_B$ 由 $V_{CC}$ 接到基極，射極接地，集極經 $R_C$ 接到 $V_{CC}$。

基極電流約為

在電晶體仍工作於主動區時，集極電流約為 $I_C=\beta I_B$。集極迴路則滿足

此式所表示的直線就是集極負載線。

解題方法

$R_B$ 變小時，基極電流 $I_B$ 增加；在主動區內，$I_C$ 隨之增加。由 $V_{CE}=V_{CC}-I_C R_C$ 可知，$V_{CE}$ 下降，因此工作點沿著集極負載線移向飽和端。

核心觀念

本題考查 BJT 的直流偏壓、主動區與飽和區判斷。圖中為 NPN 電晶體，基極電壓固定為 $6.7\ \mathrm{V}$，發射極經 $3\ \mathrm{k\Omega}$ 接地，集極經 $3.8\ \mathrm{k\Omega}$ 接至 $+10\ \mathrm{V}$。

使用的關係式為：

進入飽和區時，另有 $V_{CE}=V_{CE(\mathrm{sat})}$。

解題方法

由基極電壓與 $V_{BE}$ 得：

因此發射極電流為：

先以主動區估算集極電流，約為 $I_C\approx\frac{\beta}{\beta+1}I_E=1.98\ \mathrm{mA}$。此時集極電壓約為：

這會使 $V_C<V_E$，與 NPN 電晶體處於主動區的條件不符，因此電晶體進入飽和區。依題目給定的飽和壓降：

集極電流為：

核心觀念

本題考查 MOSFET 的汲極至源極電壓定義，以及串聯電阻的歐姆定律：

$V_{DS}=V_D-V_S,\qquad V_R=IR$

由圖可讀出汲極電流 $I_D=0.4\ \mathrm{mA}$、汲極上方電阻為 $10\ \mathrm{k\Omega}$，電源為 $V_{DD}=+5\ \mathrm{V}$、$V_{SS}=-5\ \mathrm{V}$。

解題方法

先用上方 $10\ \mathrm{k\Omega}$ 電阻求汲極電壓：

$V_D=V_{DD}-I_D(10\ \mathrm{k\Omega})$

$V_D=5-(0.4\ \mathrm{mA})(10\ \mathrm{k\Omega})=1\ \mathrm{V}$

題目給定 $V_{DS}=4\ \mathrm{V}$，依 $V_{DS}=V_D-V_S$：

$V_S=V_D-V_{DS}=1-4=-3\ \mathrm{V}$

因此，$R_S$ 兩端電壓為 $V_S-V_{SS}=(-3)-(-5)=2\ \mathrm{V}$。流過 $R_S$ 的電流為 $I_D=0.4\ \mathrm{mA}$，所以：

核心觀念

本題考空乏型 p 通道 MOSFET 的直流偏壓分析。先由 $R_S$ 與指定的 $V_{SD}$ 求出汲極電流，再用空乏型 pMOS 的電流公式求閘極電壓，最後依分壓電流計算 $R_1$、$R_2$。

圖中汲極接地，故 $V_D=0$；給定 $V_{SD}=2.5\ \mathrm{V}$，所以 $V_S=2.5\ \mathrm{V}$。p 通道空乏型 MOSFET 在飽和區的電流式為

其中題目給的 $V_{tp}=1.5\ \mathrm{V}$ 是空乏型 pMOS 的臨界電壓大小。

解題方法

源極電阻 $R_S=2\ \mathrm{k\Omega}$ 接至 $+5\ \mathrm{V}$，因此

代入電流公式：

故

所以閘極電壓為

分壓電流是 $0.1I_D=0.125\ \mathrm{mA}$。$R_1$ 與 $R_2$ 串接於 $+5\ \mathrm{V}$、$-5\ \mathrm{V}$ 之間，因此：

核心觀念

本題考加強型 MOSFET 的通道形成、三極體區操作、截止條件，以及通道長度調變對汲極電流的影響。

以 n 通道加強型 MOSFET 為例，$V_{GS}$ 足以超過臨界電壓 $V_t$ 時會形成反轉通道。元件進入飽和區後，$V_{DS}$ 增加會使汲極端的通道逐漸縮短，稱為通道長度調變。通道變短會使 $I_D$ 略為增加，而非減少。

解題方法

逐一核對各選項描述的操作區與電流變化方向。通道長度調變是判斷關鍵：$V_{DS}$ 增加時，有效通道長度 $L$ 略減；由於通道電流與通道長度大致成反比，$L$ 減少會讓 $I_D$ 略增。因此，若選項說電流略減，便與此效應相反。

選項分析

(A) 錯誤。 通道長度調變發生於飽和區。$V_{DS}$ 增加時，汲極端耗盡區向源極方向擴展，有效通道長度縮短，使 $I_D$ 略為增加。選項將電流變化方向說成「略為減少」，因此錯誤。常用近似式為

核心觀念

本題考查 MOSFET 在飽和區的本質增益。長通道 MOSFET 的本質增益定義為

其中 $g_m$ 是跨導，$r_o$ 是小訊號輸出電阻。以通道長度調變係數 $\lambda$ 表示時，$r_o\approx 1/(\lambda I_D)$；又因 $V_A=1/\lambda$，所以 $r_o\approx V_A/I_D$。

解題方法

飽和區 MOSFET 的跨導可寫成

代入本質增益定義：

電流 $I_D$ 抵消後，代入題目給定的 $V_A=10\ \mathrm{V}$、$V_{OV}=0.1\ \mathrm{V}$：

核心觀念

BJT 的小訊號輸入電阻 $r_\pi$，也稱基極與射極間的小訊號電阻。混合 $\pi$ 模型中：

其中電流轉移電導 $g_m$ 為：

因此也可直接使用：

解題方法

代入題目給定的 $\beta=100$、$V_T=25\ \mathrm{mV}$ 與 $I_C=0.5\ \mathrm{mA}$：

故 $r_\pi$ 為 $5\ \mathrm{k\Omega}$。

選項分析

核心觀念

本題比較雙極性接面電晶體（BJT）三種基本放大器組態：共射極、共集極與共基極，重點是辨認各組態的電壓增益、電流增益與輸入、輸出阻抗。共射極放大器通常具有高電壓增益，也會使輸出訊號相對輸入訊號反相。

解題方法

共射極放大器的電壓增益大小可近似表示為

其中 $g_m$ 為電晶體跨導，$R_C$ 為集極電阻，$R_L$ 為負載電阻。適當設計時，共射極的電壓增益可大於 1，因此其典型特性是高電壓增益。電壓增益的正負號則反映輸出與輸入相位相差約 $180^\circ$。

選項分析

核心觀念

本題考 MOSFET 共源放大器的中頻電壓增益。中頻時，圖中標示為無限大的耦合與旁路電容可視為交流短路；因此源極為交流接地，理想直流電流源的小訊號電阻視為無限大。電晶體的輸出電阻 $r_o$ 則須與汲極電阻 $R_D$ 一起計入。

飽和區平方律模型的跨導與輸出電阻為：

共源級中頻電壓增益為：

負號表示輸出與輸入反相。

解題方法

由圖中的電流源可知汲極電流為 $I_D=1\ \mathrm{mA}$。先求跨導：

再求電晶體輸出電阻：

交流下，汲極電阻 $R_D=10\ \mathrm{k\Omega}$ 與 $r_o$ 並聯：

核心觀念

本題考場效電晶體（FET）三種基本放大電路的特性，重點是共汲極與共閘極電路的相位、輸入阻抗、電壓增益及頻率響應。

• 共汲極電路又稱源極隨耦器（source follower），輸出取自源極。輸入訊號使閘源電壓變化時，源極電壓會跟著同方向變化，因此輸入與輸出同相。其輸入阻抗高、電壓增益略小於 1，常用於緩衝及阻抗匹配。
• 共閘極電路的輸入由源極端送入，閘極作為交流接地端。它的輸入阻抗較低，且可有良好高頻響應，常用於高頻電路。

解題方法

逐項核對各電路的基本特性即可，不需計算。共汲極電路可先記作「源極跟隨閘極」：輸出電壓方向跟著輸入變化，但幅度不會高於輸入太多；共閘極則常見於高頻應用。

選項分析