114 高普考高考三級 電信工程 電子學 考古題詳解
第 一 題25 分
如圖一所示之運算放大器電路,若採用一個 的可變電阻調整此電路的電壓增益,且 。試求:
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(一) 請推導出電壓增益 與 的關係式。(10 分)
(二) 說明如何在 的可變電阻旁加入一個固定電阻 ,使得電路的電壓增益 的範圍在 至 之間,並計算此電阻值 。(15 分)
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核心觀念
本題考查理想運算放大器的負回授電路:
- 輸入端電流為零。
- 負回授正常工作時,。
- 圖一為非反相放大器的可變回授電阻結構。
可變電阻總值為 ,左側接地部分為 ,右側接輸出部分為 。
(一)推導 與 的關係
由於運算放大器為理想且有負回授:
可變電阻兩端分別接地與輸出端,因此流過可變電阻的電流為
反相端位於可變電阻左側,至接地端的電阻為
故反相端電壓為
又因為 ,所以
因此電壓增益為
當 時,
在 時,理想模型下增益趨近無限大。
(二)加入固定電阻,使增益範圍為 至
接法
將固定電阻 接在可變電阻左側電阻段的兩端,也就是:
- 一端接可變電阻滑動端;
- 另一端接地。
因此,固定電阻 與左側的 並聯。
此時:
右側回授電阻為
這是非反相放大器,因此
代入可得
第 二 題25 分
如圖二所示電路, 為輸入的交流小信號,BJT 操作在作用區(active region),若 、,請計算下列各項參數:
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(一) 集極直流電位 。
(二) 。
(三) 。
(四) 。
(五) 。
其中 與 為電晶體小信號參數。(25 分)
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核心觀念
本題考查 PNP BJT 共射極放大器的:
- 直流偏壓分析
- 與 的定義
- 基極輸入電阻
- 含信號源內阻 的電壓增益
圖中射極旁的電容在交流小信號分析時視為短路,因此射極為交流接地;電源端對交流而言也是接地。
(一) 集極直流電位
電流源提供射極電流:
由
可得集極電流:
集極接有 電阻至地,因此:
(二) 跨導
BJT 的跨導為:
代入 、:
因此:
(三) 小信號電阻
BJT 的混合 型模型中:
所以:
亦可直接使用:
因此:
(四) 輸入電阻
交流分析時, 電源為交流接地,因此基極端看到:
- 晶體管輸入電阻
- 偏壓電阻
兩者並聯:
第 三 題25 分
如圖三所示之回授放大電路,其中 、、、、、,請計算下列各項參數:
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(一) 開路增益(open-loop gain)。
(二) 回授因子(feedback factor)。
(三) 閉路增益(closed-loop gain)。
(四) 。
(五) 。(25 分)
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核心觀念
本題是電流串聯回授(current-series feedback)放大器,使用下列定義:
負回授會使閉迴路增益降低,並使輸出電阻增加:
其中 會造成 輸出電流分流,因此計算 時必須納入 與 的影響。
解題方法
令 汲極、 閘極的交流電壓為 。由於 的源極電壓為 ,因此
又因為 , 汲極接至 ,故
的輸出端接有 ,且 與負載共同作用。輸出電流為
代入 :
因此開路增益為
(一) 開路增益
所以
(二) 回授因子
由圖可知 流經 ,故
因此
(三) 閉路增益
負回授關係為
且 ,所以
第 四 題25 分
如圖四所示之 MOSFET 電路,若 、、 之參數分別如下:
,,
試求:
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(一) 說明此數位電路之邏輯函數名稱。(5 分)
(二) 當 、,____。(10 分)
(三) 當 ,____。(10 分)
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核心觀念
本題考查「耗盡型 MOSFET 負載之 NMOS 邏輯閘」:
- 、 為增強型 NMOS,下拉網路為並聯結構。
- 為耗盡型 NMOS,且閘極與源極接於輸出端,因此 。
- 因為 ,即使 , 仍然導通,作為上拉負載。
只要 或 為高電位,對應的下拉 NMOS 即導通,使輸出為低電位。因此邏輯功能為:
這是 NOR 閘(或非閘),更精確地說是耗盡型負載 NMOS NOR gate。
解題方法與 MOSFET 工作區域
假設忽略通道長度調變,且三個 NMOS 的 相同。
MOSFET 電流公式為:
飽和區
三極區
令
對 而言:
因此
當輸出電壓很低時, 的
故 工作於飽和區,其電流為
(一)邏輯函數名稱
、 為並聯下拉電晶體:
- 或 時,至少有一個 NMOS 導通,輸出被拉低。
- 時,兩個下拉 NMOS 均截止,輸出由 拉高。
因此:
為 NOR 邏輯閘(或非閘)。
(二)、
此時:
- 導通;
- 截止;
- 下拉網路只有一個 的 NMOS 導通。
對 :
由於輸出電壓很低, 工作於三極區,且
所以