110 經濟部聯招(台電、中油、台水、台糖)新進職員 電機(二) MOD- 國營事業聯招 -電路學、電子學 考古題詳解

110 年・經濟部聯招(台電、中油、台水、台糖)・新進職員・電機(二)
試題代碼 MOD-110年國營事業聯招 電機(二)-電路學、電子學

第 1 題

若一台吹風機的額定操作功率為 1200 W1200\text{ W},試問將其連續操作 50 分鐘50\text{ 分鐘}後,將消耗多少度電能?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查電能消耗量的計算。電費所稱的「1 度電」,即:

1 度=1 kWh1\text{ 度}=1\text{ kWh}

電能消耗量可由下式求得:

E=PtE=Pt

其中:

  • EE:消耗電能,單位為 kWh\text{kWh}
  • PP:操作功率,單位為 kW\text{kW}
  • tt:操作時間,單位為小時

計算時,功率與時間的單位必須先換算一致。

解題方法

吹風機額定功率為:

1200 W=1.2 kW1200\text{ W}=1.2\text{ kW}

連續操作時間為:

50 分鐘=5060 小時=56 小時50\text{ 分鐘}=\frac{50}{60}\text{ 小時}=\frac{5}{6}\text{ 小時}

因此消耗的電能為:

E=PtE=Pt E=1.2×56E=1.2\times\frac{5}{6} E=1.0 kWhE=1.0\text{ kWh}

由於 1 kWh=11\text{ kWh}=1 度電,所以消耗:

E=1 度E=1\text{ 度}

選項分析

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第 2 題

某一電器之輸入電壓及輸入電流分別為 110 V110\text{ V} 及 10 A10\text{ A},而輸出電壓及輸出電流分別為 100 V100\text{ V} 及 8.8 A8.8\text{ A},則此電器效率為下列何者?

這一題的完整詳解

核心觀念

電器效率定義為輸出功率與輸入功率之比:

η=PoutPin×100%\eta=\frac{P_{\text{out}}}{P_{\text{in}}}\times 100\%

若輸入、輸出電壓與電流已知,且題目未涉及功率因數,依一般考試假設:

P=VIP=VI

其中:

  • PinP_{\text{in}}:輸入功率
  • PoutP_{\text{out}}:輸出功率
  • VV:電壓
  • II:電流

解題方法

1. 計算輸入功率

Pin=VinIinP_{\text{in}}=V_{\text{in}}I_{\text{in}}

代入題目數據:

Pin=110×10=1100 WP_{\text{in}}=110\times 10=1100\text{ W}

2. 計算輸出功率

Pout=VoutIoutP_{\text{out}}=V_{\text{out}}I_{\text{out}} Pout=100×8.8=880 WP_{\text{out}}=100\times 8.8=880\text{ W}

3. 計算效率

η=8801100×100%\eta=\frac{880}{1100}\times100\% η=0.8×100%=80%\eta=0.8\times100\%=80\%

因此電器效率為 80%80\%。


選項分析

  • (A) 70%70\%:錯誤。 輸出功率與輸入功率之比為 8801100=0.8\frac{880}{1100}=0.8,並非 0.70.7。
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第 3 題

將 110 V/400 W110\text{ V}/400\text{ W} 的電燈泡接上電源,使用 6 小時6\text{ 小時}後,如電費每度 1 元1\text{ 元},總共將支出多少電費?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查電能消耗與電費的計算。

電器消耗的電能為:

E=PtE=Pt

其中:

  • EE:消耗電能
  • PP:電功率
  • tt:使用時間

電費通常以「度」計算,而 11 度電等於 1 kWh1\text{ kWh}。因此,功率必須換算成千瓦,時間以小時代入。

解題方法

電燈泡功率為:

400 W=0.4 kW400\text{ W}=0.4\text{ kW}

使用時間為 66 小時,因此消耗電能:

E=Pt=(0.4 kW)(6 h)=2.4 kWhE=Pt=(0.4\text{ kW})(6\text{ h}) =2.4\text{ kWh}

所以共使用:

2.4 度電2.4\text{ 度電}

每度電 11 元,總電費為:

電費=2.4×1=2.4 元\text{電費}=2.4\times 1=2.4\text{ 元}

題目中的 110 V110\text{ V} 是電燈泡的額定電壓;既然電燈泡接上適當電源,功率即可直接採用額定功率 400 W400\text{ W},不需再利用電壓計算電流。

選項分析

  • (A) 2.42.4 元:正確。 400 W=0.4 kW400\text{ W}=0.4\text{ kW},使用 66 小時消耗 2.4 kWh2.4\text{ kWh},電費為 2.42.4 元。
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第 4 題

下列對於導線電阻值的敘述,何者正確?

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核心觀念

導線的電阻值由導線本身的電阻率、長度及截面積決定,基本公式為

R=ρLAR=\rho\frac{L}{A}

其中:

  • RR:導線電阻,單位為 Ω\Omega
  • ρ\rho:材料的電阻率,單位為 Ω⋅m\Omega\cdot\text{m}
  • LL:導線長度
  • AA:導線截面積

在材料、溫度及其他條件固定時:

  • 電阻 RR 與長度 LL 成正比
  • 電阻 RR 與截面積 AA 成反比

解題方法

直接由公式

R=ρLAR=\rho\frac{L}{A}

判斷各物理量的比例關係:

  1. 導線越長,電子通過的路徑越長,碰撞機會增加,因此電阻越大。
  2. 導線截面積越大,電子可通過的有效面積越大,因此電阻越小。

所以,電阻與長度成正比,正確選項為(D)。

選項分析

(A) 電阻與截面積無關

錯誤。由公式可知

R∝1AR\propto\frac{1}{A}
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第 5 題

兩電阻 R1R_1、R2R_2 並聯,其等效電阻為下列何者?

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核心觀念

本題考查兩個電阻並聯時的等效電阻公式。

並聯電路的特性是:各電阻兩端電壓相同,總電流等於各支路電流總和。依歐姆定律:

I=VR1+VR2I=\frac{V}{R_1}+\frac{V}{R_2}

若以等效電阻 ReqR_{\mathrm{eq}} 表示總電路,則:

I=VReqI=\frac{V}{R_{\mathrm{eq}}}

因此:

VReq=VR1+VR2\frac{V}{R_{\mathrm{eq}}} = \frac{V}{R_1}+\frac{V}{R_2}

約去 VV:

1Req=1R1+1R2=R1+R2R1R2\frac{1}{R_{\mathrm{eq}}} = \frac{1}{R_1}+\frac{1}{R_2} = \frac{R_1+R_2}{R_1R_2}

取倒數可得:

Req=R1R2R1+R2R_{\mathrm{eq}} = \frac{R_1R_2}{R_1+R_2}

解題方法

兩電阻並聯的標準公式為:

Req=R1R2R1+R2R_{\mathrm{eq}}=\frac{R_1R_2}{R_1+R_2}

所以正確選項為 (B)。

選項分析

  • (A) R1+R2R1R2\dfrac{R_1+R_2}{R_1R_2}:錯誤。 這是並聯電阻的「等效電阻倒數」:
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第 6 題

某電路如圖所示,電流 II 為多少安培?

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核心觀念

本題考查理想電壓源的節點電壓與歐姆定律。

兩個 3 V3\text{ V} 理想電壓源的負端均接到底部公共節點,因此兩個電壓源的正端電位皆為:

V=3 VV=3\text{ V}

上方兩端電阻的兩端電位相同,故其電壓為 00。

解題方法

設底部公共節點為參考電位 0 V0\text{ V}。

左側電壓源使左上端電位為 3 V3\text{ V};右側電壓源使右上端電位也為 3 V3\text{ V}。因此上方 10Ω10\Omega 電阻兩端電壓:

VR=3−3=0 VV_R=3-3=0\text{ V}

依歐姆定律:

I=VRR=010=0 AI=\frac{V_R}{R} =\frac{0}{10} =0\text{ A}

所以箭頭所示電流為 0 A0\text{ A}。

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第 7 題

試求圖所示的直流電路中,跨於 20 Ω20\text{ }\Omega 的電阻器兩端之電壓為多少?

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核心觀念

本題考查:

  • 基爾霍夫電流定律(KCL)
  • 節點電壓法
  • 歐姆定律 V=IRV=IR

以下端點電壓以電路下方公共導線為參考點,令其電位為 0 V0\text{ V}。

解題方法

左側 50 V50\text{ V} 電壓源上端電位為:

VL=50 VV_L=50\text{ V}

設 20Ω20\Omega 電阻上端節點電壓為 VV,右側上端節點電壓為 VRV_R。

右側 10 A10\text{ A} 電流源方向向上,表示有 10 A10\text{ A} 電流流入右側節點。由於右側節點只連接電流源與右側 5Ω5\Omega 電阻,因此 10 A10\text{ A} 必須經由右側 5Ω5\Omega 電阻流向中央節點。

因此,從中央節點流向右側節點的電流為 −10 A-10\text{ A},故:

V−VR5=−10\frac{V-V_R}{5}=-10

整理得:

VR=V+50V_R=V+50

對中央節點套用KCL:

V−505+V−VR5+V20=0\frac{V-50}{5}+\frac{V-V_R}{5}+\frac{V}{20}=0

代入 V−VR5=−10\dfrac{V-V_R}{5}=-10:

V−505−10+V20=0\frac{V-50}{5}-10+\frac{V}{20}=0
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第 8 題

有關理想電壓源的敘述,下列何者正確?

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核心觀念

理想電壓源的特性是「端電壓固定」,不論外部負載電流如何變化,理想電壓源兩端電壓皆維持設定值。

實際電壓源可用理想電壓源串聯內阻 rr 表示,其端電壓為

V端=Vs−IrV_{\text{端}}=V_s-Ir

其中 VsV_s 為理想電壓源電壓,II 為輸出電流,rr 為內阻。

理想電壓源的內阻為零,因此

r=0r=0

代入可得

V端=VsV_{\text{端}}=V_s

表示端電壓固定,但輸出電流會依外部電路與負載大小而改變。

解題方法

本題直接依據理想電壓源的定義判斷:

  • 理想電壓源:電壓恆定、內阻為零。
  • 理想電流源:電流恆定、內阻為無限大。
  • 電感型、電容性是負載或電路阻抗的性質,不是理想電壓源的基本輸出分類。

因此正確敘述為「內阻為零」。

選項分析

(A) 電流恆定:錯誤。

理想電壓源維持的是電壓恆定,輸出電流由外部負載決定。例如接上電阻 RR 時,

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第 9 題

如圖所示電路,其中的電流 II 為何?

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核心觀念

本題考查電阻網路的等效電阻與節點電壓法。電路中:

  • 電壓源為 10 V10\text{ V}
  • 外框三個電阻皆為 3Ω3\Omega
  • 中央星形支路三個電阻皆為 1Ω1\Omega

要求電源輸出的總電流 II,可先設定電源上端電壓,再利用 Kirchhoff 電流定律求出內部節點電壓。

解題方法

令電源下端為接地:

VA=10 V,VB=0 VV_A=10\text{ V},\qquad V_B=0\text{ V}

其中 VCV_C 為右下節點電壓,VOV_O 為中央節點電壓。

對節點 CC 使用 KCL:

VC−103+VC−03+VC−VO1=0\frac{V_C-10}{3}+\frac{V_C-0}{3}+\frac{V_C-V_O}{1}=0

整理得:

5VC−3VO=105V_C-3V_O=10

對中央節點 OO 使用 KCL:

VO−101+VO−01+VO−VC1=0\frac{V_O-10}{1}+\frac{V_O-0}{1}+\frac{V_O-V_C}{1}=0

整理得:

3VO−VC=103V_O-V_C=10

聯立兩式:

VC=5 V,VO=5 VV_C=5\text{ V},\qquad V_O=5\text{ V}

因此由電源上端節點 AA 流出的電流,分別經由三條支路流出:

  1. 經由左側 3Ω3\Omega 電阻流向 BB:
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第 10 題

如圖所示,電路中的 V1V_1、V2V_2 電壓為何?

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核心觀念

本題考查電阻電路的節點電壓法與基爾霍夫電流定律(KCL)。

以電池負端為接地點,電池正端電壓為 1 V1\text{ V}。設中間節點電壓為 V1V_1,右側節點電壓為 V2V_2。所有電阻皆為 1Ω1\Omega。

解題方法

左側節點由理想 1 V1\text{ V} 電壓源固定為 1 V1\text{ V}。

對中間節點套用 KCL:

V1−11+V1−V21+V1−01=0\frac{V_1-1}{1}+\frac{V_1-V_2}{1}+\frac{V_1-0}{1}=0

整理得:

3V1−V2=13V_1-V_2=1

對右側節點套用 KCL:

V2−11+V2−V11+V2−01=0\frac{V_2-1}{1}+\frac{V_2-V_1}{1}+\frac{V_2-0}{1}=0

整理得:

−V1+3V2=1-V_1+3V_2=1

兩式相減:

4V1−4V2=04V_1-4V_2=0

因此:

V1=V2V_1=V_2

代回 3V1−V2=13V_1-V_2=1:

2V1=12V_1=1 V1=0.5 V,V2=0.5 VV_1=0.5\text{ V},\qquad V_2=0.5\text{ V}

選項分析

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第 11 題

試求圖中雙埠網路的 YY 參數,Y12Y_{12} 和 Y22Y_{22} 之值為何?

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核心觀念

本題考查雙埠網路的 YY 參數定義:

[I1I2]=[Y11Y12Y21Y22][V1V2]\begin{bmatrix} I_1\\ I_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} Y_{11} & Y_{12}\\ Y_{21} & Y_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} V_1\\ V_2 \end{bmatrix}

其中 I1、I2I_1、I_2 均以流入雙埠網路為正。題圖為對稱 TT 型網路,左右串聯電阻皆為 1Ω1\Omega,中央對地電阻為 1Ω1\Omega。

解題方法

設中央節點電壓為 VxV_x。由中央節點套用 KCL:

Vx−V11+Vx−V21+Vx1=0\frac{V_x-V_1}{1} + \frac{V_x-V_2}{1} + \frac{V_x}{1} =0

因此:

3Vx−V1−V2=03V_x-V_1-V_2=0 Vx=V1+V23V_x=\frac{V_1+V_2}{3}

由左、右端口電流定義:

I1=V1−Vx1=V1−V1+V23=23V1−13V2I_1=\frac{V_1-V_x}{1} =V_1-\frac{V_1+V_2}{3} =\frac{2}{3}V_1-\frac{1}{3}V_2 I2=V2−Vx1=V2−V1+V23=−13V1+23V2I_2=\frac{V_2-V_x}{1} =V_2-\frac{V_1+V_2}{3} =-\frac{1}{3}V_1+\frac{2}{3}V_2

與 YY 參數形式比較:

I2=Y21V1+Y22V2I_2=Y_{21}V_1+Y_{22}V_2
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第 12 題

試求圖中雙埠網路的 ZZ 參數,Z12Z_{12} 和 Z22Z_{22} 之值為何?

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核心觀念

雙埠網路的 ZZ 參數定義為

[V1V2]=[Z11Z12Z21Z22][I1I2]\begin{bmatrix} V_1\\ V_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} Z_{11} & Z_{12}\\ Z_{21} & Z_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} I_1\\ I_2 \end{bmatrix}

其中:

Z12=V1I2∣I1=0,Z22=V2I2∣I1=0Z_{12}=\left.\frac{V_1}{I_2}\right|_{I_1=0} ,\qquad Z_{22}=\left.\frac{V_2}{I_2}\right|_{I_1=0}

因此本題應採用「輸入埠開路」條件 I1=0I_1=0,再求 V1/I2V_1/I_2 與 V2/I2V_2/I_2。

解題方法

令右側輸入電流為 I2I_2,並令中間兩個節點電壓分別為 VaV_a、VbV_b。

因為 I1=0I_1=0,左端第一個 1Ω1\Omega 電阻沒有電流流過,因此左端電壓等於第一個節點電壓:

V1=VaV_1=V_a

在第一個節點 aa,只有下方 1Ω1\Omega 電阻及通往節點 bb 的 1Ω1\Omega 電阻。由於節點 aa 的電流只能流經下方 1Ω1\Omega 電阻,故由節點 bb 流向節點 aa 的電流為

Va1Ω=Va\frac{V_a}{1\Omega}=V_a

因此節點 bb 的電壓為

Vb=Va+Va=2VaV_b=V_a+V_a=2V_a

在節點 bb 套用 KCL:

I2=Vb1Ω+Vb−Va1ΩI_2=\frac{V_b}{1\Omega}+\frac{V_b-V_a}{1\Omega}

代入 Vb=2VaV_b=2V_a:

I2=2Va+Va=3VaI_2=2V_a+V_a=3V_a

所以

Va=I23V_a=\frac{I_2}{3}

因此

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第 13 題

兩個電容 C1C_1、C2C_2 並聯,其等效電容為下列何者?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查電容器的並聯等效電容。

電容器的基本關係式為:

Q=CVQ=CV

其中 QQ 為電荷量、CC 為電容值、VV 為兩端電壓。

兩個電容並聯時,兩個電容器的兩端分別接在同一對節點上,因此具有相同電壓:

V1=V2=VV_1=V_2=V

總電荷量等於各電容器電荷量之和:

Q=Q1+Q2Q=Q_1+Q_2

解題方法

設並聯後的等效電容為 CeqC_{\text{eq}},則:

Q=CeqVQ=C_{\text{eq}}V

各電容器所儲存的電荷分別為:

Q1=C1VQ_1=C_1V Q2=C2VQ_2=C_2V

由電荷守恆:

Q=Q1+Q2Q=Q_1+Q_2

代入後得:

CeqV=C1V+C2VC_{\text{eq}}V=C_1V+C_2V

因為 V≠0V\neq 0,兩邊同除以 VV:

Ceq=C1+C2C_{\text{eq}}=C_1+C_2

因此,電容並聯時,等效電容為各電容值直接相加。

選項分析

  • (A) C1C2C1+C2\dfrac{C_1C_2}{C_1+C_2}:錯誤。 此為兩個電容串聯時的等效電容公式:
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第 14 題

下列何種元件的儲存能量與電壓平方成正比?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查基本電路元件的能量儲存關係。

電容兩端電壓為 VV、電容量為 CC 時,所儲存的能量為

WC=12CV2W_C=\frac{1}{2}CV^2

因此,在電容量 CC 固定時,電容的儲存能量 WCW_C 與電壓平方 V2V^2 成正比。

解題方法

由電容的基本關係式:

q=CVq=CV

充電過程中,電壓由 00 增加至 VV,所需作功為

W=∫0qv dqW=\int_0^q v\,dq

由 q=CVq=CV 可得 dq=C dvdq=C\,dv,因此

W=∫0VvC dv=C∫0Vv dv=12CV2W=\int_0^V vC\,dv =C\int_0^V v\,dv =\frac{1}{2}CV^2

由上式可知,當 CC 不變時:

WC∝V2W_C\propto V^2

故符合題意的元件為電容。

選項分析

(A) 電感

電感儲存的能量為

WL=12LI2W_L=\frac{1}{2}LI^2
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第 15 題

A 電容器為 40 μF40\text{ }\mu\text{F},耐壓 500 V500\text{ V};B 電容器為 60 μF60\text{ }\mu\text{F},耐壓 100 V100\text{ V};C 電容器為 120 μF120\text{ }\mu\text{F},耐壓 200 V200\text{ V},將以上三個電容器串聯後耐壓為多少伏特?

這一題的完整詳解

核心觀念

電容器串聯時:

  1. 各電容器所帶電荷量相同: QA=QB=QC=QQ_A=Q_B=Q_C=Q

  2. 各電容器的電壓為: Vi=QCiV_i=\frac{Q}{C_i}

  3. 電容器的耐壓限制,必須先換算成可承受的最大電荷量: Qmax⁡=CV耐壓Q_{\max}=CV_{\text{耐壓}}

整組串聯電容器的耐壓,是在任何一顆電容器都不超過額定耐壓的前提下,所能施加的最大總電壓。

解題方法

步驟一:計算各電容器可承受的最大電荷量

A 電容器:

QA,max⁡=40 μF×500 V=20000 μCQ_{A,\max}=40\ \mu\text{F}\times500\text{ V}=20000\ \mu\text{C}

B 電容器:

QB,max⁡=60 μF×100 V=6000 μCQ_{B,\max}=60\ \mu\text{F}\times100\text{ V}=6000\ \mu\text{C}

C 電容器:

QC,max⁡=120 μF×200 V=24000 μCQ_{C,\max}=120\ \mu\text{F}\times200\text{ V}=24000\ \mu\text{C}

串聯電路中的電荷量相同,因此整組電容器的最大電荷量由最小者決定:

Qmax⁡=min⁡(20000,6000,24000)=6000 μCQ_{\max}=\min(20000,6000,24000)=6000\ \mu\text{C}

可知 B 電容器最先達到耐壓上限。

步驟二:計算串聯總電容

串聯電容公式為:

1Ceq=140+160+1120\frac{1}{C_{\text{eq}}} =\frac{1}{40}+\frac{1}{60}+\frac{1}{120}

通分得:

1Ceq=3+2+1120=6120=120\frac{1}{C_{\text{eq}}} =\frac{3+2+1}{120} =\frac{6}{120} =\frac{1}{20}

因此:

Ceq=20 μFC_{\text{eq}}=20\ \mu\text{F}

步驟三:計算整組串聯電容器的耐壓

Vmax⁡=Qmax⁡Ceq=6000 μC20 μF=300 VV_{\max}=\frac{Q_{\max}}{C_{\text{eq}}} =\frac{6000\ \mu\text{C}}{20\ \mu\text{F}} =300\text{ V}

驗算各電容器分壓:

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第 16 題

一個 10 μF10\text{ }\mu\text{F} 電容器以 30 μA30\text{ }\mu\text{A} 之定電流源充電,若電容器充電前電壓為零,則充電 20 秒20\text{ 秒}後電容器上的電壓為多少伏特?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查電容器的基本關係式:

Q=CVQ=CV

其中:

  • QQ:電容器儲存的電荷量,單位為庫侖(C\text{C})
  • CC:電容量,單位為法拉(F\text{F})
  • VV:電容器兩端電壓,單位為伏特(V\text{V})

由於電流定義為單位時間內流入的電荷量:

I=dQdtI=\frac{dQ}{dt}

因此,定電流充電時,經過時間 tt 所累積的電荷量為:

Q=ItQ=It

本題未涉及法規,無須適用特定年度法規。

解題方法

已知:

C=10 μFC=10\ \mu\text{F} I=30 μAI=30\ \mu\text{A} t=20 st=20\ \text{s}

電容器充電前電壓為零,因此初始電荷量為零。定電流充電後:

Q=ItQ=It

代入數值:

Q=(30 μA)(20 s)=600 μCQ=(30\ \mu\text{A})(20\ \text{s}) =600\ \mu\text{C}

再由 Q=CVQ=CV 求電壓:

V=QC=600 μC10 μF=60 VV=\frac{Q}{C} =\frac{600\ \mu\text{C}}{10\ \mu\text{F}} =60\ \text{V}

也可直接使用定電流充電公式:

V(t)=V0+ICtV(t)=V_0+\frac{I}{C}t

因為初始電壓 V0=0V_0=0,所以:

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第 17 題

一個 200 μF200\text{ }\mu\text{F} 電容器已充電至 100 V100\text{ V},且電容器開關切開之瞬間電壓 V(0−)=100 VV(0^-) = 100\text{ V},請問電容器儲存能量與 V(0+)V(0^+) 為何?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查兩個基本觀念:

  1. 電容器儲存能量公式 WC=12CV2W_C=\frac{1}{2}CV^2

  2. 理想電容器的電壓連續性:電容器電壓不能在瞬間突變,因此開關切換瞬間有

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第 18 題

若圖中之電感電路已達穩態,試求全部電感之總儲存電能為何?

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這一題的完整詳解

核心觀念

直流電路達穩態時,理想電感視為短路,但電感仍儲存能量,其公式為

WL=12LI2W_L=\frac{1}{2}LI^2

本題三個電感皆為 10 H10\text{ H},需先求出各電感中的穩態電流,再分別計算儲能。

解題方法

達穩態後,三個 10 H10\text{ H} 電感皆以短路取代,因此電路化簡如下:

  • 左下方電感為短路,與電源回路串聯。
  • 右側上下兩個電感為短路。
  • 中間 20Ω20\Omega 電阻與右側 20Ω20\Omega 電阻並聯。

兩個 20Ω20\Omega 電阻的等效電阻為

Req=20∥20=20×2020+20=10ΩR_{\text{eq}}=20\parallel20 =\frac{20\times20}{20+20} =10\Omega

再與左上方的 10Ω10\Omega 電阻串聯,總電阻為

Rtotal=10+10=20ΩR_{\text{total}}=10+10=20\Omega

電源電流為

I=2020=1 AI=\frac{20}{20}=1\text{ A}

並聯部分兩個電阻相同,因此電流平均分配:

I1=I2=12=0.5 AI_1=I_2=\frac{1}{2}=0.5\text{ A}

所以三個電感的電流分別為:

  • 左下方電感:1 A1\text{ A}
  • 右上方電感:0.5 A0.5\text{ A}
  • 右下方電感:0.5 A0.5\text{ A}

全部電感的總儲存能量為

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第 19 題

一個元件的電壓及電流分別為 10cos⁡(3t+30∘) V10\cos(3t + 30^\circ)\text{ V} 與 −2sin⁡(3t+60∘) A-2\sin(3t + 60^\circ)\text{ A},其相位關係相差多少度?

這一題的完整詳解

核心觀念

正弦穩態訊號的相位必須先化成「同一種三角函數」且「振幅為正」的形式,才能直接比較相位。

基本關係式為:

sin⁡θ=cos⁡(θ−90∘)\sin \theta=\cos(\theta-90^\circ)

若訊號前有負號,需再利用:

−cos⁡θ=cos⁡(θ+180∘)-\cos\theta=\cos(\theta+180^\circ)

題目給定:

v(t)=10cos⁡(3t+30∘) Vv(t)=10\cos(3t+30^\circ)\ \text{V} i(t)=−2sin⁡(3t+60∘) Ai(t)=-2\sin(3t+60^\circ)\ \text{A}

兩者角頻率皆為 33,因此可以直接比較其相位角。

解題方法

電壓已是餘弦形式,其相位角為:

ϕv=30∘\phi_v=30^\circ

先將電流改寫為餘弦形式:

i(t)=−2sin⁡(3t+60∘)i(t)=-2\sin(3t+60^\circ)

利用 sin⁡θ=cos⁡(θ−90∘)\sin\theta=\cos(\theta-90^\circ):

i(t)=−2cos⁡(3t+60∘−90∘)i(t)=-2\cos(3t+60^\circ-90^\circ) i(t)=−2cos⁡(3t−30∘)i(t)=-2\cos(3t-30^\circ)

再將負號移入相位角:

i(t)=2cos⁡(3t−30∘+180∘)i(t)=2\cos(3t-30^\circ+180^\circ)

因此:

i(t)=2cos⁡(3t+150∘)i(t)=2\cos(3t+150^\circ)

電流的相位角為:

ϕi=150∘\phi_i=150^\circ

兩者的相位差為:

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第 20 題

已知 f(t)f(t) 的拉普拉斯轉換為 F(s)=s2+s+3s3+2s2+s+2F(s) = \frac{s^2 + s + 3}{s^3 + 2s^2 + s + 2},請問 f(t)f(t) 為下列何者?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查拉普拉斯反轉換,以及常見基本對應式:

L{e−at}=1s+a\mathcal{L}\{e^{-at}\}=\frac{1}{s+a} L{sin⁡at}=as2+a2\mathcal{L}\{\sin at\}=\frac{a}{s^2+a^2} L{cos⁡at}=ss2+a2\mathcal{L}\{\cos at\}=\frac{s}{s^2+a^2}

因此,先將 F(s)F(s) 因式分解並作部分分式分解,即可判斷 f(t)f(t)。

解題方法

已知

F(s)=s2+s+3s3+2s2+s+2F(s)=\frac{s^2+s+3}{s^3+2s^2+s+2}

先將分母分組:

s3+2s2+s+2=s2(s+2)+1(s+2)=(s+2)(s2+1)s^3+2s^2+s+2 =s^2(s+2)+1(s+2) =(s+2)(s^2+1)

因此

F(s)=s2+s+3(s+2)(s2+1)F(s)=\frac{s^2+s+3}{(s+2)(s^2+1)}

設部分分式為

F(s)=As+2+Bs+Cs2+1F(s)=\frac{A}{s+2}+\frac{Bs+C}{s^2+1}

通分後:

s2+s+3=A(s2+1)+(Bs+C)(s+2)s^2+s+3=A(s^2+1)+(Bs+C)(s+2)

展開右側:

s2+s+3=(A+B)s2+(2B+C)s+(A+2C)s^2+s+3 =(A+B)s^2+(2B+C)s+(A+2C)

比較各次方係數:

{A+B=12B+C=1A+2C=3\begin{cases} A+B=1\\ 2B+C=1\\ A+2C=3 \end{cases}

由此得到

A=1,B=0,C=1A=1,\qquad B=0,\qquad C=1

所以

F(s)=1s+2+1s2+1F(s)=\frac{1}{s+2}+\frac{1}{s^2+1}

利用基本拉普拉斯反轉換:

L−1{1s+2}=e−2t\mathcal{L}^{-1}\left\{\frac{1}{s+2}\right\}=e^{-2t}

且

L−1{1s2+1}=sin⁡t\mathcal{L}^{-1}\left\{\frac{1}{s^2+1}\right\}=\sin t

故

f(t)=e−2t+sin⁡tf(t)=e^{-2t}+\sin t
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第 21 題

三相負載每相阻抗皆為 6+j8 Ω6 + j8\text{ }\Omega 且為 Y\text{Y} 接線,若每相之相電流為 20 A20\text{ A}(有效值),則此三相負載消耗之總平均功率為多少瓦特?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查三相平衡負載的平均功率計算,以及 Y 接線中「相電流」與「線電流」的關係。

每相阻抗為

Zϕ=6+j8 ΩZ_\phi=6+j8\ \Omega

其中:

  • 電阻分量:R=6 ΩR=6\ \Omega
  • 電抗分量:X=8 ΩX=8\ \Omega
  • 阻抗大小:
∣Zϕ∣=62+82=10 Ω|Z_\phi|=\sqrt{6^2+8^2}=10\ \Omega
  • 功率因數:
cos⁡ϕ=R∣Zϕ∣=610=0.6\cos\phi=\frac{R}{|Z_\phi|}=\frac{6}{10}=0.6

交流電路中,單相負載的平均功率為

Pϕ=Iϕ2RP_\phi=I_\phi^2R

三相平衡負載的總平均功率為

P3ϕ=3Iϕ2RP_{3\phi}=3I_\phi^2R

解題方法

題目已直接給出每相相電流有效值:

Iϕ=20 AI_\phi=20\text{ A}

由於負載為 Y 接線,線電流與相電流相等:

IL=Iϕ=20 AI_L=I_\phi=20\text{ A}

但本題計算總平均功率時,直接使用相電流即可。每相消耗的平均功率為

Pϕ=Iϕ2R=(20)2(6)=2400 WP_\phi=I_\phi^2R =(20)^2(6) =2400\text{ W}

三相總平均功率為

P3ϕ=3Pϕ=3(2400)=7200 WP_{3\phi}=3P_\phi =3(2400) =7200\text{ W}

因此正確答案為:

7200 W\boxed{7200\text{ W}}
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第 22 題

一個平衡的三相電路在其 Y\text{Y} 型連接之負載側所量得的線電壓均方根(RMS)值為 173.2 V173.2\text{ V},若此三相負載之總消耗實功率為 300 W300\text{ W},且負載的功因為 0.60.6 滯後,則流入此三相負載的線電流有效值為多少安培?

這一題的完整詳解

核心觀念

平衡三相負載的總實功率公式為

P3ϕ=3VLILcos⁡ϕP_{3\phi}=\sqrt{3}V_L I_L \cos\phi

其中:

  • P3ϕP_{3\phi}:三相總消耗實功率
  • VLV_L:線電壓有效值
  • ILI_L:線電流有效值
  • cos⁡ϕ\cos\phi:負載功因

題目給定功因為 0.60.6 滯後,「滯後」代表負載呈感性,會影響電流與電壓的相位關係,但功率大小計算直接使用功因 0.60.6。

此外,負載為平衡 Y 型連接,因此每相電流大小等於線電流大小:

IL=IϕI_L=I_{\phi}

解題方法

已知:

VL=173.2 VV_L=173.2\text{ V} P3ϕ=300 WP_{3\phi}=300\text{ W} cos⁡ϕ=0.6\cos\phi=0.6

代入三相實功率公式:

300=3(173.2)IL(0.6)300=\sqrt{3}(173.2)I_L(0.6)

因此

IL=3003(173.2)(0.6)I_L=\frac{300}{\sqrt{3}(173.2)(0.6)}

計算得

IL≈1.667 AI_L\approx 1.667\text{ A}

所以流入三相負載的線電流有效值為

1.667 A\boxed{1.667\text{ A}}

選項分析

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第 23 題

有關 RLC\text{RLC} 並聯諧振電路,下列敘述何者有誤?

這一題的完整詳解

核心觀念

RLC 並聯諧振電路是考查「總導納、總阻抗與電源電流」在諧振時的特性。

並聯 RLC 電路的總導納為

Y=1R+j(ωC−1ωL)Y=\frac{1}{R}+j\left(\omega C-\frac{1}{\omega L}\right)

諧振條件為虛部為零:

ωC−1ωL=0\omega C-\frac{1}{\omega L}=0

因此

ω0=1LC\omega_0=\frac{1}{\sqrt{LC}}

在諧振時,

Y=1RY=\frac{1}{R}

所以總阻抗為

Z=1Y=RZ=\frac{1}{Y}=R

電路呈純電阻性,且阻抗達到最大值。若外加電壓為 VV,電源總電流為

I=VZI=\frac{V}{Z}

因為諧振時 ZZ 最大,所以電源電流最小。

解題方法

判斷並聯諧振電路時,掌握以下四項特性即可:

  1. 感抗與容抗所形成的虛部互相抵消。
  2. 總導納最小。
  3. 總阻抗最大。
  4. 電源端總電流最小,且電路呈純電阻性。

諧振時電壓與電源總電流同相,因此功率因數為

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第 24 題

有關圖所示之諧振電路,其諧振頻率下列何者正確?

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這一題的完整詳解

核心觀念

圖中為並聯 RLC 諧振電路,電阻 10 kΩ10\text{ k}\Omega 不影響理想並聯 RLC 的諧振頻率。並聯諧振條件為電感與電容的 susceptance 相互抵消:

ω0C−1ω0L=0\omega_0 C-\frac{1}{\omega_0 L}=0

因此:

ω0=1LC\omega_0=\frac{1}{\sqrt{LC}}

諧振頻率為:

f0=ω02π=12πLCf_0=\frac{\omega_0}{2\pi} =\frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}

解題方法

由圖得:

L=100 μH=100×10−6 H=10−4 HL=100\,\mu\text{H}=100\times10^{-6}\text{ H}=10^{-4}\text{ H} C=100 pF=100×10−12 F=10−10 FC=100\,\text{pF}=100\times10^{-12}\text{ F}=10^{-10}\text{ F}

計算 LCLC:

LC=10−4×10−10=10−14LC=10^{-4}\times10^{-10}=10^{-14} LC=10−7\sqrt{LC}=10^{-7}

代入諧振頻率公式:

f0=12π×10−7≈1.5915×106 Hzf_0=\frac{1}{2\pi\times10^{-7}} \approx1.5915\times10^6\text{ Hz}

因此:

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第 25 題

針對一個阻抗大小為 j20 Ωj20\text{ }\Omega 的負載,若通以一電流源 i(t)=10cos⁡(3t+30∘) Ai(t) = 10\cos(3t + 30^\circ)\text{ A} 時,其所消耗之平均實功率為多少?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查交流穩態電路中的平均實功率。負載阻抗為

Z=j20 ΩZ=j20\ \Omega

其中實部為 00,表示負載為純電抗性元件,可能是純電感或純電容。純電抗性負載只儲存並釋放能量,不會長期消耗能量,因此平均實功率為 00。

交流電路的平均實功率為

P=VrmsIrmscos⁡ϕP=V_{\mathrm{rms}}I_{\mathrm{rms}}\cos\phi

也可利用複功率計算:

S=Irms2ZS=I_{\mathrm{rms}}^2Z

其中複功率的實部即為平均實功率:

P=Re⁡(S)P=\operatorname{Re}(S)

解題方法

電流源為

i(t)=10cos⁡(3t+30∘) Ai(t)=10\cos(3t+30^\circ)\ \text{A}

其最大值為 10 A10\text{ A},因此有效值為

Irms=102 AI_{\mathrm{rms}}=\frac{10}{\sqrt{2}}\text{ A}

負載阻抗為

Z=j20 ΩZ=j20\ \Omega

以複功率公式計算:

S=Irms2ZS=I_{\mathrm{rms}}^2Z S=(102)2(j20)S=\left(\frac{10}{\sqrt{2}}\right)^2(j20) S=50(j20)=j1000 VAS=50(j20)=j1000\ \text{VA}

複功率的實部為平均實功率,因此

P=Re⁡(j1000)=0 WP=\operatorname{Re}(j1000)=0\ \text{W}
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第 26 題

若一齊納二極體(Zener Diode)在 25 ∘C25\text{ }^\circ\text{C} 時崩潰電壓為 15 V15\text{ V},溫度係數為 0.02% / ∘C0.02\%\text{ / }^\circ\text{C},若溫度上升至 60 ∘C60\text{ }^\circ\text{C},求崩潰電壓為何?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查齊納二極體崩潰電壓的溫度係數。

溫度係數 0.02%/∘C0.02\%/^\circ\text{C} 表示溫度每上升 1∘C1^\circ\text{C},崩潰電壓相對於原崩潰電壓的變化率為 0.02%0.02\%。

溫度係數為正,代表溫度上升時,崩潰電壓上升。

解題方法

已知:

  • 25∘C25^\circ\text{C} 時,VZ=15 VV_Z=15\text{ V}
  • 溫度上升至 60∘C60^\circ\text{C}
  • 溫度係數 α=0.02%/∘C\alpha=0.02\%/^\circ\text{C}

溫度變化量為

ΔT=60−25=35∘C\Delta T=60-25=35^\circ\text{C}

將百分比換成小數:

0.02%=0.00020.02\%=0.0002

崩潰電壓的相對變化率為

αΔT=0.0002×35=0.007\alpha\Delta T =0.0002\times35 =0.007

因此崩潰電壓變化量為

ΔVZ=VZαΔT=15×0.007=0.105 V\Delta V_Z=V_Z\alpha\Delta T =15\times0.007 =0.105\text{ V}

由於溫度係數為正,崩潰電壓增加:

VZ(60∘C)=15+0.105=15.105 VV_Z(60^\circ\text{C}) =15+0.105 =15.105\text{ V}

選項分析

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第 27 題

下列何者不是二極體常見的功用?

這一題的完整詳解

核心觀念

二極體是一種具有單向導電特性的半導體元件,理想狀態下:

  • 順向偏壓時導通。
  • 逆向偏壓時截止。

因此,二極體常利用「導通/截止」兩種狀態,完成訊號方向控制、電壓限制與異常保護等功能。

本題判斷重點在於:選項所述功能是否屬於二極體本身的常見基本應用。

解題方法

逐一檢視各選項:

  1. 若功能是利用二極體的單向導電特性,通常屬於二極體的典型應用。
  2. 若功能主要依靠電容、電感等元件平滑或去除交流成分,則不屬於二極體本身的主要功能。

由此可判斷「濾波」不是二極體最典型的獨立功能。

選項分析

(A) 濾波

濾波的主要作用是讓特定頻率的訊號通過,衰減其他頻率成分,常使用電阻、電容、電感及運算放大器等元件組成濾波器。

在整流電路中,二極體先將交流電轉換為脈動直流電,再利用電容器充放電降低脈動,使輸出電壓較平滑。此時「濾波」主要是由電容器完成,二極體負責的是整流。

因此,濾波不是二極體本身的常見主要功用。本選項為正確答案。

(B) 保護

二極體可用於電路保護,例如:

  • 利用齊納二極體進行過電壓保護。
  • 在線圈或繼電器兩端接續續流二極體,吸收斷電時產生的反電動勢。
  • 利用箝位二極體限制輸入訊號電壓,保護後級元件。
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第 28 題

對一 PN 二極體施加逆向偏壓,有關逆向飽和電流 ISI_S 的敘述何者有誤?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查 PN 二極體在逆向偏壓下的逆向飽和電流 ISI_S,以及影響 ISI_S 大小的因素。

二極體電流方程式為

I=IS(eVDηVT−1)I=I_S\left(e^{\frac{V_D}{\eta V_T}}-1\right)

其中:

  • ISI_S:逆向飽和電流
  • VDV_D:二極體端電壓
  • η\eta:理想因子
  • VTV_T:熱電壓,與絕對溫度成正比

當二極體施加逆向偏壓,且尚未達到崩潰電壓時,VDV_D 為負值,指數項接近零,因此

I≈−ISI\approx -I_S

也就是產生方向相反、大小極小且近似固定的逆向電流。

解題方法

判斷各選項是否符合逆向飽和電流的基本特性:

  1. ISI_S 的數值通常非常小。
  2. ISI_S 主要由半導體中的少數載子所形成。
  3. 溫度會影響本質載子濃度,因此會明顯影響 ISI_S。
  4. 接面面積越大,可參與傳導的載子數量越多,ISI_S 越大。

逆向飽和電流可概略表示為

IS∝AI_S \propto A

其中 AA 為 PN 接面的面積;同時,ISI_S 也會隨溫度升高而快速增加,常見經驗法則是矽二極體溫度每升高約 10∘C10^\circ\text{C},ISI_S 約增加為原來的兩倍。

選項分析

(A) 逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流 ISI_S(約 10−15 A10^{-15}\text{ A})

正確。

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第 29 題

有關 NPN 接面之 BJT 電晶體,下列敘述何者有誤?

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核心觀念

本題考查 NPN 型 BJT 的三種工作區,以及電流增益 β\beta 與接面偏壓、溫度的關係。

NPN BJT 的判斷如下:

  • 截止區:基極—射極接面、基極—集極接面皆未順向偏壓。
  • 主動區:基極—射極接面順向偏壓,基極—集極接面逆向偏壓。
  • 飽和區:基極—射極接面、基極—集極接面皆順向偏壓。

共射極直流電流增益定義為

β=ICIB\beta=\frac{I_C}{I_B}

其中 β\beta 是「電流增益」,不是電壓增益;電壓增益通常以 AvA_v 表示。

解題方法

先依兩個 PN 接面的偏壓狀態判斷工作區,再利用飽和區的特性判斷 β\beta 的變化。

當基極—集極接面由逆向偏壓逐漸轉為順向偏壓,並且順向偏壓持續增加時,電晶體會進入更深的飽和狀態。此時:

  • 基極電流 IBI_B 增加;
  • 集極電流 ICI_C 不再依照 βIB\beta I_B 成比例增加,甚至受到集極—基極接面注入電流的影響而降低;
  • 因此 β=IC/IB\beta=I_C/I_B 會下降。

所以「增加基極—集極順向偏壓會使 β\beta 上升」與飽和區特性不符。

選項分析

(A) 正確

基極—射極接面與基極—集極接面皆施予順向偏壓時,兩個 PN 接面都處於順向導通狀態,BJT 工作於飽和區。

(B) 正確

當基極電流逐漸下降至 00 時,基極—射極接面無法維持正常順向導通,電晶體進入截止區。

實際電路中仍可能存在漏電流,但在一般工作區分析中,截止區視為

IB≈0,IC≈0I_B\approx 0,\qquad I_C\approx 0
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第 30 題

如圖之電路,假設 IS=10 μAI_S = 10\text{ }\mu\text{A},BJT Q1Q_1、Q2Q_2、Q3Q_3 的電流增益 β\beta 均為 100100,VT=25 mVV_T = 25\text{ mV},且厄利電壓(Early Voltage)∣VA∣=25 V|V_A| = 25\text{ V},求 RoR_o 的電阻值為多少?

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核心觀念

本題考查 BJT 電流源的輸出電阻 RoR_o,須考慮:

  • BJT 的 Early effect: ro=∣VA∣ICr_o=\frac{|V_A|}{I_C}
  • 小訊號跨導: gm=ICVTg_m=\frac{I_C}{V_T}
  • 發射極電阻 R=11.5 kΩR=11.5\text{ k}\Omega 所造成的負回授。
  • Q1Q_1、Q2Q_2 所形成的偏壓電路並非理想交流接地,因此必須將其小訊號電阻納入分析。

圖中三個 BJT 的直流工作電流約為 10 μA10\ \mu\text{A},且 β=100\beta=100。


解題方法

先計算單一 BJT 的小訊號參數:

gm=ICVT=10 μA25 mV=0.4 mSg_m=\frac{I_C}{V_T} =\frac{10\ \mu\text{A}}{25\text{ mV}} =0.4\text{ mS} rπ=βgm=1000.4 mS=250 kΩr_{\pi}=\frac{\beta}{g_m} =\frac{100}{0.4\text{ mS}} =250\text{ k}\Omega ro=∣VA∣IC=25 V10 μA=2.5 MΩr_o=\frac{|V_A|}{I_C} =\frac{25\text{ V}}{10\ \mu\text{A}} =2.5\text{ M}\Omega

將 Q1Q_1、Q2Q_2 的小訊號模型,以及 Q3Q_3 的 rπ3r_{\pi 3}、gm3g_{m3}、ro3r_{o3} 與發射極電阻 RR 一併列出小訊號節點方程式,從輸出端施加測試電壓 vxv_x,求出流入輸出的測試電流 ixi_x:

Ro=vxixR_o=\frac{v_x}{i_x}

考慮 Q1Q_1、Q2Q_2 偏壓網路的有限小訊號阻抗後,計算結果為:

Ro≃13.51 MΩR_o \simeq 13.51\text{ M}\Omega
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第 31 題

如圖之 JFET 共源極放大器電路,若 VGS=15 VV_{GS} = 15\text{ V} 時,反向漏電流 IGSS=60 nAI_{GSS} = 60\text{ nA},由信號源看入之輸入阻抗為何?

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核心觀念

JFET 的閘極採反向偏壓,理想上閘極電流近似為零;但題目給出反向漏電流 IGSSI_{GSS},因此閘極等效輸入電阻為

RG′=∣VGS∣IGSSR_G'=\frac{|V_{GS}|}{I_{GSS}}

信號源經耦合電容接至閘極,中頻時耦合電容視為短路,因此信號源看入的輸入阻抗為偏壓電阻 15 MΩ15\text{ M}\Omega 與 JFET 閘極漏電等效電阻的並聯。

解題方法

先求 JFET 閘極漏電所形成的等效電阻:

RG′=15 V60 nA=250 MΩR_G'=\frac{15\text{ V}}{60\text{ nA}} =250\text{ M}\Omega

因此輸入阻抗為

Rin=15 MΩ∥250 MΩR_{\text{in}} =15\text{ M}\Omega \parallel 250\text{ M}\Omega
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第 32 題

對一 MOSFET 以一固定的 VGSV_{GS} 電壓操作於飽和區,在 VDS=4 VV_{DS} = 4\text{ V} 時,iD=2 mAi_D = 2\text{ mA},且 VDS=6 VV_{DS} = 6\text{ V} 時,iD=2.05 mAi_D = 2.05\text{ mA},請問其厄利電壓(Early Voltage)∣VA∣|V_A| 為多少?

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核心觀念

本題考查 MOSFET 飽和區的通道長度調變效應,以及厄利電壓(Early Voltage)VAV_A 的求法。

考慮通道長度調變後,MOSFET 飽和區汲極電流可表示為

iD=ID0(1+λVDS)i_D=I_{D0}(1+\lambda V_{DS})

其中:

  • ID0I_{D0}:忽略通道長度調變時的理想飽和電流
  • λ\lambda:通道長度調變參數
  • VAV_A:厄利電壓,且
λ=1∣VA∣\lambda=\frac{1}{|V_A|}

因此也可寫成

iD=ID0(1+VDS∣VA∣)i_D=I_{D0}\left(1+\frac{V_{DS}}{|V_A|}\right)

固定 VGSV_{GS} 時,ID0I_{D0} 與 ∣VA∣|V_A| 均為定值。

解題方法

已知兩個操作點:

VDS1=4 V,iD1=2 mAV_{DS1}=4\text{ V},\qquad i_{D1}=2\text{ mA} VDS2=6 V,iD2=2.05 mAV_{DS2}=6\text{ V},\qquad i_{D2}=2.05\text{ mA}

利用

iD=ID0(1+VDS∣VA∣)i_D=I_{D0}\left(1+\frac{V_{DS}}{|V_A|}\right)

兩式相除以消去未知的 ID0I_{D0}:

2.052=1+6∣VA∣1+4∣VA∣\frac{2.05}{2} = \frac{1+\frac{6}{|V_A|}} {1+\frac{4}{|V_A|}}

整理得

2.05(1+4∣VA∣)=2(1+6∣VA∣)2.05\left(1+\frac{4}{|V_A|}\right) = 2\left(1+\frac{6}{|V_A|}\right) 2.05+8.2∣VA∣=2+12∣VA∣2.05+\frac{8.2}{|V_A|} = 2+\frac{12}{|V_A|} 0.05=3.8∣VA∣0.05=\frac{3.8}{|V_A|}

因此

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第 33 題

下列何種邏輯閘具有最短的傳遞延遲時間?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查各種數位邏輯家族的傳遞延遲時間(propagation delay time),也就是輸入訊號發生變化後,輸出訊號完成相應邏輯變化所需的時間。

傳遞延遲時間越短,邏輯閘的工作速度越快。傳統邏輯家族的速度比較為:

ECL>TTL>CMOS>N-MOS\text{ECL} > \text{TTL} > \text{CMOS} > \text{N-MOS}

此處的「>>」表示工作速度較快,而非邏輯電壓或增益大小。

解題方法

判斷邏輯閘速度時,主要觀察電晶體是否進入飽和區,以及輸出端的負載電容充放電速度。

ECL(Emitter-Coupled Logic,射極耦合邏輯)具有以下特性:

  1. 採用差動放大器結構。
  2. 電晶體工作於非飽和區,避免進入飽和區後儲存大量電荷。
  3. 輸出電壓擺幅小,輸出端充放電所需時間較短。
  4. 因此具有極短的傳遞延遲時間與極高的工作頻率。

TTL 中的電晶體通常會進入飽和區,必須先排除儲存電荷,因此速度比 ECL 慢。CMOS 與 N-MOS 的速度主要受閘極電容及負載充放電影響,傳統上又比 ECL、TTL 慢。

因此,本題選擇 ECL。

選項分析

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第 34 題

在積體電路中,NMOS 的基體(B)端應與下列何者相接?

這一題的完整詳解

核心觀念

NMOS 的基體(Body,B)通常為 P 型半導體,而汲極(D)與源極(S)為 N 型區域,因此基體與汲極、源極之間都形成寄生 PN 接面。

為使寄生 PN 接面維持反向偏壓,避免基體二極體導通,NMOS 基體電位應接至電路中的最低電壓點。在一般數位積體電路中,最低電壓點通常是接地端 VSSV_{SS} 或 GND。

解題方法

NMOS 的基體為 P 型,汲極與源極為 N 型。PN 接面要反向偏壓,P 型端電位必須低於 N 型端:

VB<VD,VB<VSV_B < V_D,\qquad V_B < V_S

因此,基體端應連接到整個電路的最低電壓點,使基體—汲極及基體—源極的寄生二極體均保持截止。

所以本題選擇:

(B) 最低電壓點\boxed{\text{(B) 最低電壓點}}

選項分析

  • (A) 汲極(Drain):錯誤。基體接汲極並非 NMOS 積體電路的標準接法,且無法保證基體與源極 PN 接面維持反向偏壓。
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第 35 題

FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題比較 FET(場效電晶體)與 BJT(雙極性接面電晶體)的基本特性,重點如下:

特性FETBJT
載子種類多數載子,屬單極性元件電子與電洞皆參與,屬雙極性元件
控制方式以電壓控制汲極電流以基極電流控制集極電流
輸入阻抗高較低
雜訊通常較低通常較高
電流驅動能力一般較弱通常較強
開關特性可作為雙向開關,但須考慮元件結構通常不具對稱雙向導通特性

因此,本題要找出不符合 FET 與 BJT 比較特性的敘述。

解題方法

採用「逐項比對 FET 的典型特性」的方法:

  1. 判斷 FET 是否屬於單極性元件。
  2. 比較 FET 與 BJT 的電流驅動能力。
  3. 判斷 FET 通道是否具有雙向導通特性。
  4. 比較兩者的雜訊特性。

其中,FET 雖然具有高輸入阻抗、低雜訊及良好開關特性,但傳統上相較於 BJT,其跨導與電流驅動能力較弱。因此「具有高電流驅動能力」是錯誤敘述。

選項分析

(A) FET 是單極性裝置

正確。

FET 的導電主要依靠單一種類的多數載子,例如:

  • N 溝道 FET 主要依靠電子。
  • P 溝道 FET 主要依靠電洞。

因此 FET 稱為單極性元件(unipolar device)。

相對地,BJT 的導電同時涉及電子與電洞,因此稱為雙極性元件(bipolar device)。

(B) FET 具有高電流驅動能力

錯誤。

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第 36 題

對基本放大器增加負回授後,下列特性敘述何者有誤?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查「負回授」對基本放大器性能的影響。對放大器加入負回授後,閉迴路增益為

Af=A1+AβA_f=\frac{A}{1+A\beta}

其中:

  • AA:基本放大器的開迴路增益
  • β\beta:回授網路的回授比例
  • AβA\beta:迴路增益

當負回授條件成立且 Aβ≫1A\beta \gg 1 時,放大器增益約為

Af≈1βA_f\approx \frac{1}{\beta}

因此增益會降低,但頻寬、穩定性、線性度等性能通常會改善。

解題方法

負回授會使放大器的增益降低約 1+Aβ1+A\beta 倍,同時使頻寬增加約 1+Aβ1+A\beta 倍。若原本放大器的增益為 AA、頻寬為 BWBW,加入負回授後:

Af=A1+AβA_f=\frac{A}{1+A\beta} BWf≈BW(1+Aβ)BW_f\approx BW(1+A\beta)

所以增益與頻寬的乘積為

AfBWf=A1+Aβ⋅BW(1+Aβ)=ABWA_f BW_f = \frac{A}{1+A\beta}\cdot BW(1+A\beta) = A BW

可見在理想近似下,增益降低與頻寬增加互相抵銷,增益頻寬乘積大致維持不變,而非提高。

選項分析

(A) 雜訊對電路的影響降低——正確

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第 37 題

由 CMOS FET 組成傳輸閘(Transmission Gate)時,組成元件為下列何者?

這一題的完整詳解

核心觀念

CMOS 傳輸閘(Transmission Gate, TG)是由一個 NMOS 與一個 PMOS 並聯組成,作為雙向類比開關使用。

其基本結構如下:

  • NMOS 與 PMOS 的源極、汲極分別相互並聯。
  • NMOS 的閘極接控制訊號 CC。
  • PMOS 的閘極接反相控制訊號 C‾\overline{C}。
  • 當 C=1C=1 時,NMOS 導通;同時 C‾=0\overline{C}=0,PMOS 也導通,訊號得以通過。
  • 當 C=0C=0 時,NMOS 與 PMOS 同時截止,傳輸閘關閉。

傳輸閘結合兩種 MOS 元件的特性,可改善單一 MOS 開關的訊號傳輸限制。

解題方法

判斷題目所描述的元件組成即可。

單獨使用 NMOS 作為開關時,傳遞低電位較完整,但傳遞高電位時會受到臨界電壓 VTNV_{TN} 的影響;輸出高電位通常只能接近

VDD−VTNV_{DD}-V_{TN}

單獨使用 PMOS 時,傳遞高電位較完整,但傳遞低電位時會受到 PMOS 臨界電壓的影響。

因此,CMOS 傳輸閘將 NMOS 與 PMOS 並聯:

Transmission Gate=NMOS+PMOS\text{Transmission Gate}=\text{NMOS}+\text{PMOS}
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第 38 題

有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為 Vi1=50 μVV_{i1} = 50\text{ }\mu\text{V},Vi2=40 μVV_{i2} = 40\text{ }\mu\text{V},共模拒斥比 CMRR=40 dB\text{CMRR} = 40\text{ dB},差模增益 Ad=250A_d = 250,則下列何者正確?

這一題的完整詳解

核心觀念

差動放大器的輸入電壓可分解為:

  • 差模輸入電壓 Vd=Vi1−Vi2V_d=V_{i1}-V_{i2}

  • 共模輸入電壓 Vc=Vi1+Vi22V_c=\frac{V_{i1}+V_{i2}}{2}

輸出電壓為:

Vo=AdVd+AcVcV_o=A_dV_d+A_cV_c

共模拒斥比定義為:

CMRR=AdAc\mathrm{CMRR}=\frac{A_d}{A_c}

以分貝表示時:

CMRR(dB)=20log⁡(AdAc)\mathrm{CMRR(dB)}=20\log\left(\frac{A_d}{A_c}\right)


解題方法

已知:

Vi1=50 μV,Vi2=40 μVV_{i1}=50\,\mu\text{V},\qquad V_{i2}=40\,\mu\text{V}

CMRR=40 dB,Ad=250\mathrm{CMRR}=40\text{ dB},\qquad A_d=250

先求差模輸入電壓:

Vd=Vi1−Vi2V_d=V_{i1}-V_{i2}

Vd=50−40=10 μVV_d=50-40=10\,\mu\text{V}

再求共模增益。由 40 dB40\text{ dB} 得:

40=20log⁡(AdAc)40=20\log\left(\frac{A_d}{A_c}\right)

AdAc=1040/20=102=100\frac{A_d}{A_c}=10^{40/20}=10^2=100

因此:

Ac=Ad100=250100=2.5A_c=\frac{A_d}{100}=\frac{250}{100}=2.5

共模輸入電壓為:

Vc=50+402=45 μVV_c=\frac{50+40}{2}=45\,\mu\text{V}

輸出電壓:

Vo=AdVd+AcVcV_o=A_dV_d+A_cV_c

Vo=250(10 μV)+2.5(45 μV)V_o=250(10\,\mu\text{V})+2.5(45\,\mu\text{V})

Vo=2500 μV+112.5 μVV_o=2500\,\mu\text{V}+112.5\,\mu\text{V}

Vo=2612.5 μV=2.6125 mVV_o=2612.5\,\mu\text{V}=2.6125\text{ mV}


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第 39 題

如圖所示電晶體電路,假設輸入信號 VinV_{in} 為交流小信號且無直流成分,又電晶體的 ror_o 可忽略,則圖之輸入電阻 RinR_{in} 為何?

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核心觀念

本題考查 BJT 共集極放大器(射極追隨器)的輸入電阻。

交流小信號分析時:

  • +VCC+V_{CC}、−VCC-V_{CC} 視為交流接地。
  • 耦合電容 C=∞C=\infty 視為交流短路。
  • 射極所看到的等效負載為
RE′=RE∥RLR_E' = R_E \parallel R_L

從基極看入時,射極負載會以約 (1+β)(1+\beta) 倍反映到基極端。

解題方法

小信號模型中,基極輸入電流為 ibi_b。

基極與射極間電壓為

vbe=ibrπv_{be}=i_b r_\pi

射極電流為

ie=(1+β)ibi_e=(1+\beta)i_b

因此射極電壓為

ve=ie(RE∥RL)=(1+β)ib(RE∥RL)v_e=i_e(R_E\parallel R_L) =(1+\beta)i_b(R_E\parallel R_L)

輸入端電壓為

vi=vbe+vev_i=v_{be}+v_e

所以輸入電阻

Rin=viib=rπ+(1+β)(RE∥RL)\begin{aligned} R_{in} &=\frac{v_i}{i_b}\\ &=r_\pi+(1+\beta)(R_E\parallel R_L) \end{aligned}

因此正確選項為 (C)。

選項分析

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第 40 題

如圖所示電路,已知 FET 參數 gm=1 mSg_m = 1\text{ mS},ro=20 kΩr_o = 20\text{ k}\Omega,若此電路具回授(Feedback)的狀態,下列敘述何者有誤?

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核心觀念

本題考查 FET 串聯—串聯(series-series)負回授電路,以及下列三項:

  • 回授因子 β\beta
  • 開迴路增益 AA
  • 負回授後的閉迴路增益

電路中的 470 Ω470\,\Omega 源極電阻會產生源極電壓回授,使有效輸入電壓變為

vgs=vs−vfv_{gs}=v_s-v_f

其中回授電壓為

vf=ioRSv_f=i_oR_S

輸出端取自汲極電流,回授訊號以串聯方式加入輸入端,因此屬於串串回授。


解題方法

已知

gm=1 mS,rd=20 kΩg_m=1\text{ mS},\qquad r_d=20\text{ k}\Omega

汲極電阻為

RD=10 kΩR_D=10\text{ k}\Omega

源極電阻為

RS=470 Ω=0.47 kΩR_S=470\,\Omega=0.47\text{ k}\Omega

1. 判斷回授型態

輸出電流經過源極電阻產生回授電壓,且回授電壓串聯回輸入端,故為:

串串(series-series)回授\boxed{\text{串串(series-series)回授}}

2. 計算回授因子 β\beta

源極電阻直接決定電流—電壓回授關係:

vf=ioRSv_f=i_oR_S

因此

β=RS=470 Ω=0.47 kΩ\beta=R_S=470\,\Omega=0.47\text{ k}\Omega

3. 計算開迴路增益 AA

汲極端的電流分配受到 RDR_D 與 rdr_d 影響,故開迴路跨導為

A=gmrdRD+rdA=g_m\frac{r_d}{R_D+r_d}

代入數值:

A=(1 mS)20 kΩ10 kΩ+20 kΩA=(1\text{ mS})\frac{20\text{ k}\Omega}{10\text{ k}\Omega+20\text{ k}\Omega} A=0.667 mS≈0.66 mA/VA=0.667\text{ mS}\approx0.66\text{ mA/V}

所以選項 (C) 正確。

4. 判斷閉迴路電壓增益

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第 41 題

如圖電路,已知 CMOS 反向電路的 Vtn=0.8 VV_{tn} = 0.8\text{ V},Vtp=−0.8 VV_{tp} = -0.8\text{ V} 且 Kn=KpK_n = K_p,假設 vO1=4 Vv_{O1} = 4\text{ V} 時,請問 vIv_I 的電壓值為多少?

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核心觀念

本題考查 CMOS 反相器的直流工作點分析。已知第一級反相器輸出 vO1=4 Vv_{O1}=4\text{ V},利用 NMOS 與 PMOS 的汲極電流相等,配合兩者的工作區域與平方律公式求得輸入電壓 vIv_I。

已知:

VDD=5 V,Vtn=0.8 V,∣Vtp∣=0.8 V,Kn=KpV_{DD}=5\text{ V},\qquad V_{tn}=0.8\text{ V},\qquad |V_{tp}|=0.8\text{ V},\qquad K_n=K_p

解題方法

第一級 CMOS 反相器的輸出為 vO1=4 Vv_{O1}=4\text{ V}。

對 NMOS 而言:

VGS=vI,VDS=4 VV_{GS}=v_I,\qquad V_{DS}=4\text{ V}

因為 vDSv_{DS} 很大,NMOS 工作於飽和區,故:

IDn=Kn(vI−Vtn)2=Kn(vI−0.8)2I_{Dn}=K_n(v_I-V_{tn})^2 =K_n(v_I-0.8)^2

對 PMOS 而言:

VSG=5−vI,VSD=5−4=1 VV_{SG}=5-v_I,\qquad V_{SD}=5-4=1\text{ V}

PMOS 的過驅電壓為:

VSG−∣Vtp∣=5−vI−0.8=4.2−vIV_{SG}-|V_{tp}|=5-v_I-0.8=4.2-v_I

由於 VSD=1 VV_{SD}=1\text{ V} 小於其飽和條件所需電壓,PMOS 工作於三極區,故其電流為:

IDp=Kp[2(VSG−∣Vtp∣)VSD−VSD2]I_{Dp} =K_p\left[2(V_{SG}-|V_{tp}|)V_{SD}-V_{SD}^2\right]

代入數值:

IDp=Kp[2(4.2−vI)(1)−12]=Kp(7.4−2vI)I_{Dp} =K_p\left[2(4.2-v_I)(1)-1^2\right] =K_p(7.4-2v_I)

直流工作點必須滿足:

IDn=IDpI_{Dn}=I_{Dp}
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第 42 題

如圖達靈頓電路中,假設每個晶體 β=100\beta = 100,RE=500 ΩR_E = 500\text{ }\Omega,則 RinR_{in} 輸入電阻為何?

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這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查達靈頓電路的輸入電阻反射效果。

達靈頓組態由兩個射極隨耦器串接而成,前級晶體管 Q1Q_1 的射極電流會成為後級晶體管 Q2Q_2 的基極電流。射極電阻 RER_E 會先乘上後級的 (β+1)(\beta+1),再被前級的 (β+1)(\beta+1) 再反映一次,因此總輸入電阻約為

Rin≈(β1+1)(β2+1)RER_{in}\approx (\beta_1+1)(\beta_2+1)R_E

忽略晶體管本身的小訊號 rer_e 或 rπr_{\pi}。

解題方法

對 Q2Q_2 而言,從其基極看入的輸入電阻為

Rin2≈(β2+1)RER_{in2}\approx (\beta_2+1)R_E

已知

β2=100,RE=500 Ω\beta_2=100,\qquad R_E=500\ \Omega

因此

Rin2≈(100+1)(500)=50 500 ΩR_{in2}\approx (100+1)(500) =50\,500\ \Omega

此電阻再由 Q1Q_1 的基極看入,會被前級的 (β1+1)(\beta_1+1) 倍反映:

Rin≈(β1+1)Rin2R_{in}\approx (\beta_1+1)R_{in2} Rin≈(101)(50 500)=5 100 500 Ω≈5.1 MΩR_{in}\approx (101)(50\,500) =5\,100\,500\ \Omega \approx 5.1\ \text{M}\Omega

因此

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第 43 題

串級(Cascade)電晶體組態中,為求得最大電壓增益,通常使用下列何者放大器組態作為第二級放大器?

這一題的完整詳解

核心觀念

串級放大器(Cascade Amplifier)是將多級放大器依序連接,使前級輸出作為後級輸入。若各級之間能有效耦合,總電壓增益近似為各級電壓增益的乘積:

Av=Av1Av2⋯AvnA_v=A_{v1}A_{v2}\cdots A_{vn}

因此,為了獲得較大的總電壓增益,後級通常採用具有較高電壓增益的放大器組態。

在 BJT 電晶體中,三種基本組態的主要特性如下:

  • 共集極(Common Collector, CC):電壓增益約為 11
  • 共基極(Common Base, CB):具有電壓增益,但輸入阻抗低,常用於高頻或阻抗匹配
  • 共射極(Common Emitter, CE):具有較高電壓增益,且可同時提供電流增益

解題方法

本題問的是:「串級電晶體組態中,為求得最大電壓增益,第二級通常採用何種放大器組態?」

判斷重點是比較各組態的電壓增益。

1. 共集極

共集極放大器的電壓增益為:

Av≈1A_v \approx 1

它主要用途是電流放大與阻抗匹配,並不適合作為追求最大電壓增益的第二級。

2. 共射極

共射極放大器的小訊號電壓增益約為:

Av≈−gmRCA_v \approx -g_m R_C

若以發射極交流接地表示,亦可寫成:

Av≈−RCreA_v \approx -\frac{R_C}{r_e}

其中 gmg_m 為跨導、RCR_C 為集極等效負載、rer_e 為發射極小訊號電阻。由於 RC/reR_C/r_e 通常可大於 11 很多,因此共射極具有較高的電壓增益。

當第二級採用共射極時,總電壓增益可有效提高:

Av=Av1Av2A_v=A_{v1}A_{v2}

所以本題應選擇共射極。

選項分析

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第 44 題

44 級串級放大器,若每一級截止頻率都相同,即 fL1=200 Hzf_{L1} = 200\text{ Hz},fH1=50 kHzf_{H1} = 50\text{ kHz},則該 44 級串級放大器之頻寬 BB 應為何?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查多級串級放大器的頻率響應與頻寬定義。

44 級放大器串聯後,總電壓增益為各級增益的乘積。由於每級的低頻與高頻截止特性相同,串級後的總響應會比單級更早衰減,因此整體下截止頻率會上升,上截止頻率會下降。

頻寬定義為

B=fH−fLB=f_H-f_L

其中 fLf_L 為整體下截止頻率,fHf_H 為整體上截止頻率。


解題方法

假設每級放大器皆為單一主極點的高通、低通響應。對於 nn 級相同放大器串聯,整體截止頻率可由總增益降至中頻增益的 1/21/\sqrt{2} 求得。

令每級截止頻率為 fL1f_{L1}、fH1f_{H1},級數 n=4n=4。

整體截止頻率的比例因子為

21/n−1\sqrt{2^{1/n}-1}

因此:

fL=fL121/n−1f_L=\frac{f_{L1}}{\sqrt{2^{1/n}-1}} fH=fH121/n−1f_H=f_{H1}\sqrt{2^{1/n}-1}

代入 n=4n=4:

21/4≈1.18922^{1/4}\approx 1.1892 21/4−1=1.1892−1≈0.435\sqrt{2^{1/4}-1} =\sqrt{1.1892-1} \approx 0.435

計算整體下截止頻率:

fL=2000.435≈459.8 Hzf_L=\frac{200}{0.435} \approx 459.8\text{ Hz}

計算整體上截止頻率:

fH=50 000(0.435)≈21 749 Hz=21.749 kHzf_H=50\,000(0.435) \approx 21\,749\text{ Hz} =21.749\text{ kHz}

所以整體頻寬為

B=fH−fLB=f_H-f_L B=21.749 kHz−0.460 kHz≈21.289 kHzB=21.749\text{ kHz}-0.460\text{ kHz} \approx 21.289\text{ kHz}
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第 45 題

某一電晶體電路的 IC=1.5 mAI_C = 1.5\text{ mA}、VT=0.025 VV_T = 0.025\text{ V}、fT=956.4 MHzf_T = 956.4\text{ MHz},其中 Cπ=9 pFC_\pi = 9\text{ pF}(EB 接面電容),試求 CμC_\mu(CB 接面電容)值為多少?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查 BJT 電晶體的截止頻率 fTf_T。在高頻小訊號模型中,

fT=gm2π(Cπ+Cμ)f_T=\frac{g_m}{2\pi(C_\pi+C_\mu)}

其中:

  • gmg_m:跨導
  • CπC_\pi:EB 接面電容
  • CμC_\mu:CB 接面電容
  • fTf_T:電流增益降為 1 時的頻率

BJT 的跨導為:

gm=ICVTg_m=\frac{I_C}{V_T}

解題方法

先由已知的集極電流與熱電壓求跨導:

gm=ICVT=1.5 mA0.025 V=0.06 Sg_m=\frac{I_C}{V_T} =\frac{1.5\text{ mA}}{0.025\text{ V}} =0.06\text{ S}

由截止頻率公式整理總等效電容:

Cπ+Cμ=gm2πfTC_\pi+C_\mu=\frac{g_m}{2\pi f_T}

代入 fT=956.4 MHzf_T=956.4\text{ MHz}:

Cπ+Cμ=0.062π(956.4×106)C_\pi+C_\mu =\frac{0.06}{2\pi(956.4\times10^6)}

計算得:

Cπ+Cμ≈9.98 pFC_\pi+C_\mu\approx 9.98\text{ pF}

已知 Cπ=9 pFC_\pi=9\text{ pF},因此:

Cμ=9.98−9≈0.98 pFC_\mu=9.98-9 \approx 0.98\text{ pF}

考慮選項取整數值:

Cμ≈1 pFC_\mu\approx 1\text{ pF}

選項分析

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第 46 題

有一 AB 類放大器電路如圖,試求其最大的交流負載功率 PL(max⁡)P_{L(\max)} 為何?

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核心觀念

本題考查單電源互補式 Class AB 推挽射極追隨器的最大交流輸出功率。

輸出端經由耦合電容接至負載,因此負載上的直流電壓為 00。為了使輸出交流訊號能夠有最大的對稱擺幅,放大器輸出工作點應設在電源中點:

VOQ=VCC2=202=10 VV_{OQ}=\frac{V_{CC}}{2}=\frac{20}{2}=10\text{ V}

因此輸出端相對於工作點,最大峰值交流擺幅為:

Vo(peak)=10 VV_{o(\text{peak})}=10\text{ V}

解題方法

負載為純電阻:

RL=10 ΩR_L=10\ \Omega

最大交流輸出電壓的有效值為:

Vo(rms)=Vo(peak)2=102 VV_{o(\text{rms})}=\frac{V_{o(\text{peak})}}{\sqrt{2}} =\frac{10}{\sqrt{2}}\text{ V}

故負載最大交流功率為:

PL(max⁡)=Vo(rms)2RL=(10/2)210P_{L(\max)} =\frac{V_{o(\text{rms})}^2}{R_L} =\frac{(10/\sqrt{2})^2}{10} PL(max⁡)=1002×10=5 WP_{L(\max)} =\frac{100}{2\times 10} =5\text{ W}

也可直接使用正弦波功率公式:

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第 47 題

圖所示電路是理想的運算放大器,若運算放大器進入飽和狀態,VoV_o 可能為下列何者?

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核心觀念

本題考查理想運算放大器的飽和判斷:

  • 理想運算放大器若在線性區,V+=V−V_+=V_-。
  • 若輸入差動電壓使輸出超過電源供應範圍,輸出將進入飽和。
  • 圖中電源為 +5 V+5\text{ V} 與 −5 V-5\text{ V},因此飽和輸出為約 +5 V+5\text{ V} 或 −5 V-5\text{ V}。

題目影像原文詢問的是 VSV_S,而非 VoV_o。以下依考卷圖示的實際題意,判斷 VSV_S。

解題方法

先求非反相端電壓。由 6 kΩ6\text{ k}\Omega 與 18 kΩ18\text{ k}\Omega 分壓:

V+=186+18VS=0.75VSV_+=\frac{18}{6+18}V_S=0.75V_S

反相端接到 6 V6\text{ V}(經 30 kΩ30\text{ k}\Omega)及輸出端 VoV_o(經 20 kΩ20\text{ k}\Omega)。因理想運算放大器輸入電流為零,對反相端節點使用加權平均:

V−=630 kΩ+Vo20 kΩ130 kΩ+120 kΩV_-= \frac{\dfrac{6}{30\text{ k}\Omega}+\dfrac{V_o}{20\text{ k}\Omega}} {\dfrac{1}{30\text{ k}\Omega}+\dfrac{1}{20\text{ k}\Omega}}

整理得:

V−=2(6)+3Vo5=2.4+0.6VoV_-=\frac{2(6)+3V_o}{5} =2.4+0.6V_o

判斷正飽和:

當 Vo=+5 VV_o=+5\text{ V} 時,

V−=2.4+0.6(5)=5.4 VV_-=2.4+0.6(5)=5.4\text{ V}

運算放大器進入正飽和的條件為 V+>V−V_+>V_-,因此:

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第 48 題

運算放大器電路如圖所示,輸入電阻 RinR_{in} 為下列何者?

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核心觀念

本題考查理想運算放大器的「虛短路」與「輸入端電流為零」:

  • 理想運算放大器輸入電流為 00。
  • 在線性工作區,V+=V−V_+=V_-。
  • 輸入電阻定義為 Rin=ViIiR_{in}=\frac{V_i}{I_i} 其中 IiI_i 為由輸入端流入電路的電流。

解題方法

由圖可知,反相端形成分壓電路:

  • 輸出端 VoV_o 經 2R2R 接至反相端。
  • 反相端經 RR 接地。

因此反相端電壓為

V−=R2R+RVo=Vo3V_-=\frac{R}{2R+R}V_o=\frac{V_o}{3}

理想運算放大器在線性工作區具有虛短路:

V+=V−V_+=V_-

又因為輸入電壓 ViV_i 直接接至非反相端,所以

V+=ViV_+=V_i

故

Vi=Vo3V_i=\frac{V_o}{3}

得到

Vo=3ViV_o=3V_i

接著計算輸入電流。由於運算放大器非反相端不吸收電流,輸入端電流只經由 3R3R 流向輸出端:

Ii=Vi−Vo3RI_i=\frac{V_i-V_o}{3R}

代入 Vo=3ViV_o=3V_i:

Ii=Vi−3Vi3R=−2Vi3RI_i=\frac{V_i-3V_i}{3R} =-\frac{2V_i}{3R}
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第 49 題

如圖所示電路,OP1\text{OP}_1 與 OP2\text{OP}_2 工作電壓 VCC=±15 VV_{CC} = \pm 15\text{ V},則下列敘述何者有誤?

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核心觀念

本題是由兩個運算放大器組成的鬆弛振盪器:

  • OP2\text{OP}_2 為零電位比較器,輸出方波 Vo1V_{o1}。
  • OP1\text{OP}_1 為反相積分器,將方波 Vo1V_{o1} 積分成三角波 Vo2V_{o2}。
  • 40 kΩ40\,\text{k}\Omega 與 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 電阻形成正回授,決定比較器的切換門檻。

運算放大器工作電壓為 ±15 V\pm 15\text{ V},故理想飽和輸出為

Vo1=±15 VV_{o1}=\pm 15\text{ V}

解題方法

設 OP2\text{OP}_2 的非反相端電壓為 V+V_+。由圖中分壓網路,V+V_+ 接在 Vo1V_{o1} 與 Vo2V_{o2} 之間:

V+=10 kΩ⋅Vo1+40 kΩ⋅Vo240 kΩ+10 kΩV_+ =\frac{10\,\text{k}\Omega\cdot V_{o1} +40\,\text{k}\Omega\cdot V_{o2}} {40\,\text{k}\Omega+10\,\text{k}\Omega}

OP2\text{OP}_2 的反相端接地,因此切換條件為 V+=0V_+=0:

10Vo1+40Vo2=010V_{o1}+40V_{o2}=0 Vo2=−1040Vo1=−0.25Vo1V_{o2}=-\frac{10}{40}V_{o1} =-0.25V_{o1}

因此當 Vo1=±15 VV_{o1}=\pm15\text{ V} 時,Vo2V_{o2} 的切換電壓為

Vo2=∓0.25(15)=∓3 VV_{o2}=\mp 0.25(15) =\mp 3\text{ V}

所以三角波輸出範圍為 −3 V-3\text{ V} 至 +3 V+3\text{ V}。

另一方面,OP1\text{OP}_1 是反相積分器,其輸入電阻為 25 kΩ25\,\text{k}\Omega,回授電容為 0.2 μF0.2\,\mu\text{F},故

dVo2dt=−Vo1RC\frac{dV_{o2}}{dt} =-\frac{V_{o1}}{RC}

其中

RC=(25 kΩ)(0.2 μF)=5 msRC=(25\,\text{k}\Omega)(0.2\,\mu\text{F}) =5\text{ ms}

當 Vo1=15 VV_{o1}=15\text{ V} 時,三角波斜率大小為

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第 50 題

圖電路為下列何種電路?

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核心觀念

本題考察兩個判斷重點:

  1. 電路結構是 TTL 或 ECL。
  2. 輸出端取自哪一側,決定是「或閘 OR」或「反或閘 NOR」。

圖中具有:

  • 多個輸入電晶體共用射極;
  • 另一支電晶體提供參考電壓 VRV_R;
  • 兩側集極各經電阻接至 VCCV_{CC};
  • 射極共同接至尾電流電阻 RER_E。

這是典型的 ECL(Emitter-Coupled Logic,射極耦合邏輯) 結構。


解題方法

左側兩個電晶體的基極分別接輸入 VXV_X、VYV_Y,集極共同接於輸出 VOV_O;右側電晶體基極接參考電壓 VRV_R。

ECL 利用差動對進行電流轉向:

  • 當 VXV_X、VYV_Y 都為低電位時,輸入電晶體不導通,尾電流流入右側參考電晶體。
  • 右側電晶體導通,使右側集極電壓下降;左側集極電阻中沒有明顯電流,因此 VOV_O 維持高電位。
  • 當 VXV_X 或 VYV_Y 任一輸入為高電位時,左側輸入電晶體導通,尾電流轉向左側,使左側集極電壓下降,因此 VOV_O 為低電位。

因此輸出邏輯關係為:

VO=VX+VY‾V_O=\overline{V_X+V_Y}

這就是兩輸入 NOR(反或閘)。


選項分析

(A) TTL 或閘(OR)

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