109 專利師高等考試 專利師(選試專業日文及電子學) 電子學 考古題詳解
第 一 題20 分
圖一為電晶體電路圖。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
圖一電晶體之直流增益 ,輸出電阻 ,熱電壓(Thermal voltage)。主動區 ;飽和區 且 。小訊號 ,輸入端電容 ,電感 。
先列式作直流分析,求算流出電晶體之直流電流 與 ,以及流入之直流電流 ;判斷電晶體之工作區,再畫出 波形。
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核心觀念
本題考查 PNP 電晶體的直流偏壓、工作區判斷,以及飽和時小訊號輸出波形。直流時, 開路、 短路;小訊號分析時, 視為短路、 視為開路。電流方向依圖示:、 流出電晶體, 流入電晶體,因此符合 。
解題方法
直流時, 將基極接至 ,所以 。先假設工作於主動區,由 得
因此射極電阻電流為
若在主動區, 且 ,故
由此得到集極電壓
但 ,不符合 PNP 電晶體主動區所需的 ,所以主動區假設不成立,電晶體工作於飽和區。
飽和區給定 、,因此
各電流為
第 二 題20 分
圖二(1)之運算放大器具有理想特性,。正、負偏壓為 , 為週期 之連續三角波,如圖二(2)所示。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
先畫出 之轉換特性曲線,再依照 波形畫出對應的 波形。
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核心觀念
本題考理想運算放大器搭配正回授形成的反相施密特觸發器。輸出會飽和在電源電壓 或 ,而切換門檻會隨輸出狀態改變,因此具有遲滯現象。
解題方法
運算放大器的正相端接在 與輸出 之間,且 。理想運算放大器輸入電流為零,依分壓可得
因此:
- 若 ,則 。此狀態下,當 上升至 ,因反相端電壓超過正相端,輸出由 切換至 。
- 若 ,則 。此狀態下,當 下降至 ,輸出由 切換至 。
所以 的轉換特性為:
vo
+5 V ────────────────┐
│ vs 上升至 +3 V 時,切至 −5 V
↓
−5 V ┌───────┴────────
↑
vs 下降至 −2 V 時,切至 +5 V
−2 V +3 V vs
也就是說, 上升時,輸出維持 至 ; 下降時,輸出維持 至 。
依輸入波形畫出輸出
圖示三角波在 為 ,於 達到 ,在 回到 。上升與下降斜率的絕對值皆為 。
在 的上升段, 從 上升至 ,到達 的時間為
第 三 題20 分
圖三為回授放大器的方塊圖。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
放大器 之開迴路增益(open-loop gain)為
且其輸出電阻為 。在負載 端為電壓取樣(voltage sampling),;回授網路 的輸出電阻 。
信號源 、回授信號
以及 之輸入
三者可以同樣是電壓 或電流 。
畫出放大器 與 網路兩者之輸出端等效戴維寧(Thevenin)或諾頓(Norton)電路,並據以列式推導此回授放大器輸出電阻 公式。
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核心觀念
本題考回授對放大器輸出電阻的影響。圖三採電壓取樣,因此輸出量為 ;負回授使輸出端的變化經 回到輸入端,抵銷放大器原本的輸出變化。
放大器開迴路增益定義為
回授量與輸入誤差量為
求輸出電阻時,將獨立信號源歸零,即令 ,再由輸出端加測試信號,計算端電壓與測試電流的比值。
等效電路與解題方法
放大器 的輸出端可用戴維寧等效表示為:受控電壓源 串聯輸出電阻 。若改用諾頓等效,則為受控電流源 並聯 。
網路的輸出電阻為 :
- 若回授信號 是電壓,可表示為受控電壓源 串聯 。
- 若回授信號 是電流,可表示為受控電流源 並聯 。
第 四 題20 分
圖四為無穩態複振器(astable multivibrator)。三個反相器輸出邏輯「0」與「1」分別為 與 ,輸出電阻為零,輸入阻抗無限大;輸入低於 視為「0」,高於 視為「1」,電壓介於 與 之間時,反相器不改變輸出。
,。電路圖如下,並標示 波形。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
畫出對應的 波形,並求算 與 。
已知:
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核心觀念
本題考查 RC 電路的指數充放電,以及電容電壓不能瞬間改變。電容接在 與 之間,因此 跳變時, 也會同方向跳變相同的電壓;兩次跳變之間, 則經由電阻 朝 指數變化。
由反相器接法可知 與 相反: 時 , 時 。
解題方法
令 。在兩次邏輯跳變之間, 固定,對 節點套用 KCL:
因為此時 不變,
題目給定 在 上升。上升前 正好降至低態切換門檻 ;同一時刻 由 降至 ,使 瞬間下降 ,所以 。
在 ,,,因此
當 上升至 ,反相器輸出 轉低:
在 , 由 跳至 ,故 同時由 跳至 。接著 ,,所以令 ,有
第 五 題20 分
圖五是 1-bit CMOS 靜態隨機存取記憶體(SRAM)電路。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
、 與 均為低電位(邏輯 0)或高電位(邏輯 1)的變數, 與 分別表示「非 」與「非 」。
電路中所有 MOS 電晶體已經妥善設計,使 SRAM 可正確操作於閒置(standby)、寫入(writing)與讀取(reading)三種模式。
欲進入閒置與讀取「」兩種模式,分別說明變數 與 之設定、其順序及理由。
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核心觀念
此題考 6T CMOS SRAM 的交叉耦合反相器與存取電晶體如何配合操作。 至 組成兩個交叉耦合反相器,儲存 與 ;、 是存取電晶體,閘極由 控制,將儲存節點連到互補位線 、。
因此, 時存取電晶體關閉,儲存節點與位線隔離; 時存取電晶體導通,位線可與儲存節點交換訊號。
解題方法
依序判斷兩件事:先確認 是否讓存取電晶體導通,再確認 與儲存資料是否相容。切換位線時先保持 ,可避免位線變化直接干擾儲存節點。
- **進入閒置模式:**先令 ,使 、 關閉;此後 可維持原值或改變,因為位線已與儲存節點隔離。