109 專利師高等考試 專利師(選試專業英文及電子學) 電子學 考古題詳解

109 年・專利師・高等考試・專利師(選試專業英文及電子學)
試題代碼 電子學

第 一 題20 分

圖一為電晶體電路圖。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

圖一電晶體之直流增益 β=20\beta=20,輸出電阻 ro→∞r_o\to\infty,熱電壓(Thermal voltage)VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}。主動區 VEB=0.7 VV_{EB}=0.7\ \mathrm{V};飽和區 VEB=0.7 VV_{EB}=0.7\ \mathrm{V} 且 VEC=0.3 VV_{EC}=0.3\ \mathrm{V}。小訊號 vsig(t)=0.1sin⁡ωt mVv_{sig}(t)=0.1\sin\omega t\ \mathrm{mV},輸入端電容 Cin→∞C_{in}\to\infty,電感 LB→∞L_B\to\infty。

先列式作直流分析,求算流出電晶體之直流電流 IBI_B 與 ICI_C,以及流入之直流電流 IEI_E;判斷電晶體之工作區,再畫出 vo(t)v_o(t) 波形。

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核心觀念

本題考查 PNP 電晶體的直流偏壓、工作區判斷,以及飽和時小訊號輸出波形。直流時,CinC_{in} 開路、LBL_B 短路;小訊號分析時,CinC_{in} 視為短路、LBL_B 視為開路。電流方向依圖示:IBI_B、ICI_C 流出電晶體,IEI_E 流入電晶體,因此符合 IE=IB+ICI_E=I_B+I_C。

解題方法

直流時,LBL_B 將基極接至 VBB=4 VV_{BB}=4\ \mathrm{V},所以 VB=4 VV_B=4\ \mathrm{V}。先假設工作於主動區,由 VEB=0.7 VV_{EB}=0.7\ \mathrm{V} 得

VE=VB+0.7=4.7 V.V_E=V_B+0.7=4.7\ \mathrm{V}.

因此射極電阻電流為

IE=VEE−VERE=5−4.7120=2.50 mA.I_E=\frac{V_{EE}-V_E}{R_E} =\frac{5-4.7}{120} =2.50\ \mathrm{mA}.

若在主動區,β=20\beta=20 且 IE=IB+IC=(β+1)IBI_E=I_B+I_C=(\beta+1)I_B,故

IB=IEβ+1=2.5021=0.119 mA,IC=βIB=2.381 mA.I_B=\frac{I_E}{\beta+1} =\frac{2.50}{21} =0.119\ \mathrm{mA}, \qquad I_C=\beta I_B =2.381\ \mathrm{mA}.

由此得到集極電壓

VC=ICRC=(2.381 mA)(2 kΩ)=4.762 V.V_C=I_C R_C =(2.381\ \mathrm{mA})(2\ \mathrm{k}\Omega) =4.762\ \mathrm{V}.

但 VC>VEV_C>V_E,不符合 PNP 電晶體主動區所需的 VE>VCV_E>V_C,所以主動區假設不成立,電晶體工作於飽和區。

飽和區給定 VEB=0.7 VV_{EB}=0.7\ \mathrm{V}、VEC=0.3 VV_{EC}=0.3\ \mathrm{V},因此

VE=4.7 V,VC=VE−VEC=4.4 V.V_E=4.7\ \mathrm{V}, \qquad V_C=V_E-V_{EC}=4.4\ \mathrm{V}.

各電流為

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第 二 題20 分

圖二(1)之運算放大器具有理想特性,R1=R2=10 kΩR_1=R_2=10\ \mathrm{k}\Omega。正、負偏壓為 ±5 V\pm5\ \mathrm{V},vs(t)v_s(t) 為週期 TT 之連續三角波,如圖二(2)所示。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

先畫出 vo−vsv_o-v_s 之轉換特性曲線,再依照 vs(t)v_s(t) 波形畫出對應的 vo(t)v_o(t) 波形。

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核心觀念

本題考理想運算放大器搭配正回授形成的反相施密特觸發器。輸出會飽和在電源電壓 +5 V+5\text{ V} 或 −5 V-5\text{ V},而切換門檻會隨輸出狀態改變,因此具有遲滯現象。

解題方法

運算放大器的正相端接在 +1 V+1\text{ V} 與輸出 vov_o 之間,且 R1=R2R_1=R_2。理想運算放大器輸入電流為零,依分壓可得

v+=1+vo2.v_+=\frac{1+v_o}{2}.

因此:

  • 若 vo=+5 Vv_o=+5\text{ V},則 v+=3 Vv_+=3\text{ V}。此狀態下,當 vsv_s 上升至 3 V3\text{ V},因反相端電壓超過正相端,輸出由 +5 V+5\text{ V} 切換至 −5 V-5\text{ V}。
  • 若 vo=−5 Vv_o=-5\text{ V},則 v+=−2 Vv_+=-2\text{ V}。此狀態下,當 vsv_s 下降至 −2 V-2\text{ V},輸出由 −5 V-5\text{ V} 切換至 +5 V+5\text{ V}。

所以 vo−vsv_o-v_s 的轉換特性為:

vo
+5 V ────────────────┐
 │ vs 上升至 +3 V 時,切至 −5 V
 ↓
−5 V ┌───────┴────────
 ↑
 vs 下降至 −2 V 時,切至 +5 V
 −2 V +3 V vs

也就是說,vsv_s 上升時,輸出維持 +5 V+5\text{ V} 至 vs=+3 Vv_s=+3\text{ V};vsv_s 下降時,輸出維持 −5 V-5\text{ V} 至 vs=−2 Vv_s=-2\text{ V}。

依輸入波形畫出輸出

圖示三角波在 t=0t=0 為 −5 V-5\text{ V},於 T/2T/2 達到 +5 V+5\text{ V},在 TT 回到 −5 V-5\text{ V}。上升與下降斜率的絕對值皆為 20/T20/T。

在 0≤t≤T/20\le t\le T/2 的上升段,vsv_s 從 −5 V-5\text{ V} 上升至 +5 V+5\text{ V},到達 +3 V+3\text{ V} 的時間為

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第 三 題20 分

圖三為回授放大器的方塊圖。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

放大器 AA 之開迴路增益(open-loop gain)為

A=xoxiA=\frac{x_o}{x_i}

且其輸出電阻為 RoR_o。在負載 RLR_L 端為電壓取樣(voltage sampling),xo=vox_o=v_o;回授網路 β\beta 的輸出電阻 Roβ→∞R_{o\beta}\to\infty。

信號源 xsx_s、回授信號

xf=βxox_f=\beta x_o

以及 AA 之輸入

xi=xs−xfx_i=x_s-x_f

三者可以同樣是電壓 vv 或電流 ii。

畫出放大器 AA 與 β\beta 網路兩者之輸出端等效戴維寧(Thevenin)或諾頓(Norton)電路,並據以列式推導此回授放大器輸出電阻 RofR_{of} 公式。

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核心觀念

本題考回授對放大器輸出電阻的影響。圖三採電壓取樣,因此輸出量為 xo=vox_o=v_o;負回授使輸出端的變化經 β\beta 回到輸入端,抵銷放大器原本的輸出變化。

放大器開迴路增益定義為

A=xoxi,A=\frac{x_o}{x_i},

回授量與輸入誤差量為

xf=βxo,xi=xs−xf.x_f=\beta x_o,\qquad x_i=x_s-x_f.

求輸出電阻時,將獨立信號源歸零,即令 xs=0x_s=0,再由輸出端加測試信號,計算端電壓與測試電流的比值。

等效電路與解題方法

放大器 AA 的輸出端可用戴維寧等效表示為:受控電壓源 AxiA x_i 串聯輸出電阻 RoR_o。若改用諾頓等效,則為受控電流源 Axi/RoA x_i/R_o 並聯 RoR_o。

β\beta 網路的輸出電阻為 Roβ→∞R_{o\beta}\to\infty:

  • 若回授信號 xfx_f 是電壓,可表示為受控電壓源 βvo\beta v_o 串聯 RoβR_{o\beta}。
  • 若回授信號 xfx_f 是電流,可表示為受控電流源 βvo\beta v_o 並聯 RoβR_{o\beta}。
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第 四 題20 分

圖四為無穩態複振器(astable multivibrator)。三個反相器輸出邏輯「0」與「1」分別為 00 與 +5 V+5\ \mathrm{V},輸出電阻為零,輸入阻抗無限大;輸入低於 2 V2\ \mathrm{V} 視為「0」,高於 4 V4\ \mathrm{V} 視為「1」,電壓介於 2 V2\ \mathrm{V} 與 4 V4\ \mathrm{V} 之間時,反相器不改變輸出。

R=1 kΩR=1\ \mathrm{k}\Omega,C=10 μFC=10\ \mu\mathrm{F}。電路圖如下,並標示 v2(t)v_2(t) 波形。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

畫出對應的 v1(t)v_1(t) 波形,並求算 T1T_1 與 T2T_2。

已知:

ln⁡2=0.6931,ln⁡3=1.099\ln 2=0.6931,\qquad \ln 3=1.099
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核心觀念

本題考查 RC 電路的指數充放電,以及電容電壓不能瞬間改變。電容接在 v1v_1 與 v3v_3 之間,因此 v3v_3 跳變時,v1v_1 也會同方向跳變相同的電壓;兩次跳變之間,v1v_1 則經由電阻 RR 朝 v2v_2 指數變化。

由反相器接法可知 v3v_3 與 v2v_2 相反:v2=5 Vv_2=5\ \mathrm{V} 時 v3=0 Vv_3=0\ \mathrm{V},v2=0 Vv_2=0\ \mathrm{V} 時 v3=5 Vv_3=5\ \mathrm{V}。

解題方法

令 τ=RC\tau=RC。在兩次邏輯跳變之間,v3v_3 固定,對 v1v_1 節點套用 KCL:

v1−v2R+Cd(v1−v3)dt=0\frac{v_1-v_2}{R}+C\frac{d(v_1-v_3)}{dt}=0

因為此時 v3v_3 不變,

dv1dt+v1−v2RC=0\frac{dv_1}{dt}+\frac{v_1-v_2}{RC}=0

題目給定 v2v_2 在 t=0t=0 上升。上升前 v1v_1 正好降至低態切換門檻 2 V2\ \mathrm{V};同一時刻 v3v_3 由 5 V5\ \mathrm{V} 降至 0 V0\ \mathrm{V},使 v1v_1 瞬間下降 5 V5\ \mathrm{V},所以 v1(0+)=−3 Vv_1(0^+)=-3\ \mathrm{V}。

在 0<t<T10<t<T_1,v2=5 Vv_2=5\ \mathrm{V},v3=0 Vv_3=0\ \mathrm{V},因此

v1(t)=5+(−3−5)e−t/τ=5−8e−t/τv_1(t)=5+\bigl(-3-5\bigr)e^{-t/\tau} =5-8e^{-t/\tau}

當 v1v_1 上升至 4 V4\ \mathrm{V},反相器輸出 v2v_2 轉低:

4=5−8e−T1/τ⇒T1=τln⁡8=3τln⁡24=5-8e^{-T_1/\tau} \quad\Rightarrow\quad T_1=\tau\ln 8=3\tau\ln 2

在 t=T1t=T_1,v3v_3 由 0 V0\ \mathrm{V} 跳至 5 V5\ \mathrm{V},故 v1v_1 同時由 4 V4\ \mathrm{V} 跳至 9 V9\ \mathrm{V}。接著 v2=0 Vv_2=0\ \mathrm{V},v3=5 Vv_3=5\ \mathrm{V},所以令 u=t−T1u=t-T_1,有

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第 五 題20 分

圖五是 1-bit CMOS 靜態隨機存取記憶體(SRAM)電路。🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

AA、BB 與 QQ 均為低電位(邏輯 0)或高電位(邏輯 1)的變數,B‾\overline{B} 與 Q‾\overline{Q} 分別表示「非 BB」與「非 QQ」。

電路中所有 MOS 電晶體已經妥善設計,使 SRAM 可正確操作於閒置(standby)、寫入(writing)與讀取(reading)三種模式。

欲進入閒置與讀取「Q=1Q=1」兩種模式,分別說明變數 AA 與 BB 之設定、其順序及理由。

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核心觀念

此題考 6T CMOS SRAM 的交叉耦合反相器與存取電晶體如何配合操作。M1M_1 至 M4M_4 組成兩個交叉耦合反相器,儲存 QQ 與 Q‾\overline Q;M5M_5、M6M_6 是存取電晶體,閘極由 AA 控制,將儲存節點連到互補位線 B‾\overline B、BB。

因此,A=0A=0 時存取電晶體關閉,儲存節點與位線隔離;A=1A=1 時存取電晶體導通,位線可與儲存節點交換訊號。

解題方法

依序判斷兩件事:先確認 AA 是否讓存取電晶體導通,再確認 BB 與儲存資料是否相容。切換位線時先保持 A=0A=0,可避免位線變化直接干擾儲存節點。

  • **進入閒置模式:**先令 A=0A=0,使 M5M_5、M6M_6 關閉;此後 BB 可維持原值或改變,因為位線已與儲存節點隔離。
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