113 專利師高等考試 專利師(選試專業英文及電子學) 電子學 考古題詳解
第 一 題20 分
如圖一之電路,假設 、、、、,二極體 之完全導通電壓(fully conducting voltage)為 。
求:
(一) (10 分)
(二) (10 分)
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
答案計算至小數點第二位以下四捨五入。
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核心觀念
本題考查二極體導通模型與節點電流定律。二極體導通時,陽極電壓比陰極電壓高 ,因此:
兩個 電阻 分別接至 ,可合併為一個 電阻; 並聯後則為 。
解題方法
先判斷二極體導通狀態。若二極體截止,左側分壓節點電壓為
右側由 接地,電壓為 。左側電壓高於右側,會使二極體順向偏壓,因此二極體導通。
導通時,右側節點電壓為
對 節點套用 KCL:流經 的電流,等於流經 與二極體的電流總和。又因 並聯等效為 ,二極體電流為 :
第 二 題20 分
如圖二之電路,假設電晶體 之 、、、,試計算:
(一) (4 分)
(二) (4 分)
(三) (4 分)
(四) 此電路之電晶體 之工作模態(mode)為何?請說明理由。(8 分)
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核心觀念
圖中的 為 PNP 電晶體。採用矽電晶體近似,導通時 ;在順向主動區,電流關係為
基極經 接地,因此 。發射極電流由 經 流入電晶體,集極電流則經 流向 。
解題方法
先假設電晶體工作於順向主動區,依 寫出
由 的電流等於發射極電流:
代入題目數值:
因此:
第 三 題20 分
如圖三之電路,其中 、、、、、、、、,NMOS 電晶體 之 、。
求:
(一) 中帶增益 (8 分)
(二) 假設 之 、,求此電路之 (高頻響應 3 dB 點頻率)(12 分)
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核心觀念
本題考查共源 NMOS 放大器的中頻增益,以及閘極至汲極寄生電容 所造成的高頻響應。中頻時,耦合電容與旁路電容視為短路;高頻時,則保留 、,並以小訊號等效電路求得上截止頻率。
解題方法
中頻時,、、 視為短路,因此 將源極交流接地, 不影響中頻增益。閘極偏壓網路的等效電阻為
由於訊號源經 串接至閘極,閘極訊號為
汲極交流負載為
因此中頻增益為
高頻時,、、 仍視為短路。令閘極端等效電阻及汲極端等效電阻分別為
第 四 題20 分
如圖四(A)之電路, 為一電壓源, 為輸入電壓, 為輸出電壓。 的關係圖如圖四(B)所示, 為雙穩態正電壓, 為雙穩態負電壓, 為正臨限電壓, 為負臨限電壓。
假設 、、、、,求:
(一) (10 分)
(二) (10 分)
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核心觀念
此電路是使用正回授的比較器,也就是史密特觸發器。運算放大器輸入電流視為零,因此在非反相端節點套用克希荷夫電流定律,即可求出兩種輸出飽和狀態下的臨限電壓。
當輸出為 ,輸入電壓上升至 時,輸出由高態切換至低態。當輸出為 ,輸入電壓下降至 時,輸出由低態切換至高態。
解題方法
令 、、,且 。在非反相端節點套用電流定律:
在正臨限狀態,、:
在負臨限狀態,、:
兩式相加、相減,分別得到:
第 五 題20 分
如圖五為一 CMOS 反相器(inverter)電路,假設 和 是匹配的(matched),其中 、、、,不考慮 、,即不考慮 channel length modulation。
假設 從 加大電壓到 ,在什麼 值, 或 ()其電流會達到峰值(peak)?
(10 分)
其峰值電流為多少(A)?(10 分)
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核心觀念
CMOS 反相器的直流電流由 NMOS 與 PMOS 串接形成,因此工作點滿足 。忽略通道長度調變時,MOSFET 飽和區電流為
其中 為過驅電壓。匹配的 與 具有相同的電流係數,且臨界電壓大小相同。
解題方法
NMOS 與 PMOS 的過驅電壓分別為
兩管同時導通時,電流受較小的過驅電壓限制;兩側過驅電壓相等時,串接電流達到峰值。因此令
解得
此時兩管的過驅電壓皆為
利用匹配條件,以 NMOS 飽和區電流計算峰值: