112 身心障礙特考三等 電力工程 電子學 考古題詳解
第 一 題25 分
如圖一所示的二極體電路,電路中每個二極體的切入電壓(cut-in voltage)皆為 。試求 、、、及。
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核心觀念
本題考查二極體的定電壓降模型與導通狀態判斷。二極體導通時,陽極電壓比陰極高 ;截止時,電流為 ,且須確認其兩端電壓沒有使它正向偏壓。
依圖中方向, 的導通電流向下, 的導通電流向右, 的導通電流向左。
解題方法
由電路兩側的電源與二極體方向判斷,、 導通時:
- 導通,使其下端電壓為 。
- 的陽極接地、陰極接 ,導通時 。
先以這兩個導通狀態求電阻電流,再確認 是否截止。
、 串接於 與 之間,且阻值相同,因此:
因此:
第 二 題25 分
如圖二所示的差動放大器電路,電晶體參數分別為:
試求差模增益 、共模增益 及共模拒斥比()。
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核心觀念
本題考差動對的差模與共模小訊號增益,以及尾電流源有限輸出電阻對共模增益的影響。採用平方律模型
並定義 。假設輸入的直流共模電壓為 ,小訊號疊加在此偏壓上;題目未明列直流輸入電壓,而 時, 的偏壓電流會隨其 改變,因此須採用此假設。
解題方法
先由 與二極體接法的 求出偏壓,再求 尾電流及 的跨導。計算小訊號時,採用一般一階近似 。
令 的過驅電壓為 。因為 為二極體接法,,其閘極電壓為 ,故
其中電壓以 V、電流以 mA、電阻以 k 代入。解得
因此 。令差動對共接源極電壓為 。在 時,每支輸入電晶體的電流為
而 的電流為
由 解得 ,故
輸入電晶體的跨導為
第 三 題25 分
如圖三所示的 A 類源極隨耦器電路,電路中所有的電晶體參數皆相同,參數為:
試求電路操作於線性區間之最大的輸出電壓、最小的輸出電壓,以及與它們(最大的輸出電壓及最小的輸出電壓)相對應的輸入電壓值。
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核心觀念
本題考 NMOS 源極隨耦器的輸出擺幅、電流鏡偏壓,以及 MOSFET 的截止與飽和條件。依題目常用的 定義,飽和區電流為
為二極體接法,與 形成電流鏡;因為兩者參數相同且 ,在 保持飽和時,。負載電阻 會影響 必須提供的電流,因此求輸出上限時須將負載電流納入。
解題方法
令 的閘極、汲極偏壓節點為 。由 源極接 ,其過驅電壓為 。偏壓電阻接地,因此流入 的電流為 。以電流單位 mA、電壓單位 V 表示:
取符合導通條件的根:
因此電流鏡的參考電流為 。
最大輸出電壓
的汲極接 。輸出上升到最大值時, 恰好到達飽和區邊界:
代入 、,得
邊界上 的過驅電壓為 。由輸出節點電流關係,
第 四 題25 分
如圖四所示的空乏型負載 NMOS 反相器,其中 ,且電晶體參數為:
忽略本體效應(body effect)。
試求反相器的最大功率消耗、電晶體 及 分別工作於過渡點(transition point)時的輸入電壓 、輸出電壓 ,及當輸入電壓 時的輸出電壓。
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核心觀念
空乏型負載 的閘極與源極相接,因此 。其臨界電壓為負值,故即使輸入為低電位, 仍會導通。忽略本體效應時,MOSFET 的飽和區與三極區分界為
本題令 、。飽和區電流為 ;三極區電流為 。
解題方法
令 為兩管共接點電壓,穩態時兩管電流相等。對負載管,
因此 的飽和區/三極區分界在
在負載管飽和區,其電流為
當輸入較高、 導通而負載管仍在飽和區時,電源電流為 。最大功率消耗為
到達飽和區/三極區分界時,,,故
在此分界點, 的電流等於負載管飽和電流:
電流單位採 ,解得