112 身心障礙特考三等 電力工程 電子學 考古題詳解

112 年・身心障礙特考・三等・電力工程
試題代碼 電子學

第 一 題25 分

如圖一所示的二極體電路,電路中每個二極體的切入電壓(cut-in voltage)VγV_\gamma皆為 0.7 V0.7\text{ V}。試求 ID1I_{D1}、ID2I_{D2}、ID3I_{D3}、VAV_A及VBV_B。

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核心觀念

本題考查二極體的定電壓降模型與導通狀態判斷。二極體導通時,陽極電壓比陰極高 0.7 V0.7\text{ V};截止時,電流為 00,且須確認其兩端電壓沒有使它正向偏壓。

依圖中方向,D1D_1 的導通電流向下,D2D_2 的導通電流向右,D3D_3 的導通電流向左。

解題方法

由電路兩側的電源與二極體方向判斷,D1D_1、D3D_3 導通時:

  • D1D_1 導通,使其下端電壓為 14−0.7=13.3 V14-0.7=13.3\text{ V}。
  • D3D_3 的陽極接地、陰極接 VBV_B,導通時 VB=0−0.7=−0.7 VV_B=0-0.7=-0.7\text{ V}。

先以這兩個導通狀態求電阻電流,再確認 D2D_2 是否截止。

R1R_1、R2R_2 串接於 13.3 V13.3\text{ V} 與 VB=−0.7 VV_B=-0.7\text{ V} 之間,且阻值相同,因此:

IR1=IR2=13.3−(−0.7)5 kΩ+5 kΩ=1.4 mAI_{R_1}=I_{R_2} =\frac{13.3-(-0.7)}{5\,\text{k}\Omega+5\,\text{k}\Omega} =1.4\text{ mA}

因此:

VA=13.3−(1.4 mA)(5 kΩ)=6.3 VV_A=13.3-(1.4\text{ mA})(5\,\text{k}\Omega)=6.3\text{ V}
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第 二 題25 分

如圖二所示的差動放大器電路,電晶體參數分別為:

Kn1=Kn2=0.1 mA/V2K_{n1}=K_{n2}=0.1\text{ mA}/\text{V}^2

Kn3=Kn4=0.3 mA/V2K_{n3}=K_{n4}=0.3\text{ mA}/\text{V}^2

λ1=λ2=0\lambda_1=\lambda_2=0

λ3=λ4=0.02 V−1\lambda_3=\lambda_4=0.02\text{ V}^{-1}

VTN1=VTN2=VTN3=VTN4=1 VV_{TN1}=V_{TN2}=V_{TN3}=V_{TN4}=1\text{ V}

試求差模增益 Ad=vo2/vdA_d=v_{o2}/v_d、共模增益 Acm=vo2/vcmA_{cm}=v_{o2}/v_{cm}及共模拒斥比(CMRRdBCMRR_{\text{dB}})。

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核心觀念

本題考差動對的差模與共模小訊號增益,以及尾電流源有限輸出電阻對共模增益的影響。採用平方律模型

ID=Kn(VGS−VTN)2(1+λVDS)I_D=K_n(V_{GS}-V_{TN})^2(1+\lambda V_{DS})

並定義 vd=v1−v2v_d=v_1-v_2。假設輸入的直流共模電壓為 0 V0\text{ V},小訊號疊加在此偏壓上;題目未明列直流輸入電壓,而 λ4≠0\lambda_4\ne 0 時,M4M_4 的偏壓電流會隨其 VDSV_{DS} 改變,因此須採用此假設。

解題方法

先由 R1R_1 與二極體接法的 M3M_3 求出偏壓,再求 M4M_4 尾電流及 M1、M2M_1、M_2 的跨導。計算小訊號時,採用一般一階近似 ro≃1/(λID)r_o\simeq 1/(\lambda I_D)。

令 M3M_3 的過驅電壓為 u=VGS3−VTN3u=V_{GS3}-V_{TN3}。因為 M3M_3 為二極體接法,VDS3=VGS3=u+1V_{DS3}=V_{GS3}=u+1,其閘極電壓為 −9+u-9+u,故

19−u30=0.3u2[1+0.02(u+1)]\frac{19-u}{30} =0.3u^2[1+0.02(u+1)]

其中電壓以 V、電流以 mA、電阻以 kΩ\Omega 代入。解得

u≃1.368 V,I1≃0.588 mAu\simeq1.368\text{ V},\qquad I_1\simeq0.588\text{ mA}

因此 VGS4=1+u≃2.368 VV_{GS4}=1+u\simeq2.368\text{ V}。令差動對共接源極電壓為 VSV_S。在 v1=v2=0v_1=v_2=0 時,每支輸入電晶體的電流為

ID=0.1(−VS−1)2 mAI_D=0.1(-V_S-1)^2\text{ mA}

而 M4M_4 的電流為

I0=0.3u2[1+0.02(VS+10)] mAI_0=0.3u^2[1+0.02(V_S+10)]\text{ mA}

由 2ID=I02I_D=I_0 解得 VS≃−2.792 VV_S\simeq-2.792\text{ V},故

ID≃0.321 mA,I0≃0.642 mAI_D\simeq0.321\text{ mA},\qquad I_0\simeq0.642\text{ mA}

輸入電晶體的跨導為

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第 三 題25 分

如圖三所示的 A 類源極隨耦器電路,電路中所有的電晶體參數皆相同,參數為:

VTN=0.5 VV_{TN}=0.5\text{ V}

Kn=12 mA/V2K_n=12\text{ mA}/\text{V}^2

λ=0\lambda=0

試求電路操作於線性區間之最大的輸出電壓、最小的輸出電壓,以及與它們(最大的輸出電壓及最小的輸出電壓)相對應的輸入電壓值。

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核心觀念

本題考 NMOS 源極隨耦器的輸出擺幅、電流鏡偏壓,以及 MOSFET 的截止與飽和條件。依題目常用的 KnK_n 定義,飽和區電流為

ID=Kn(VGS−VTN)2I_D=K_n(V_{GS}-V_{TN})^2

M3M_3 為二極體接法,與 M2M_2 形成電流鏡;因為兩者參數相同且 λ=0\lambda=0,在 M2M_2 保持飽和時,ID2=ID3I_{D2}=I_{D3}。負載電阻 RLR_L 會影響 M1M_1 必須提供的電流,因此求輸出上限時須將負載電流納入。

解題方法

令 M3M_3 的閘極、汲極偏壓節點為 VBV_B。由 M3M_3 源極接 −5 V-5\text{ V},其過驅電壓為 VB+4.5V_B+4.5。偏壓電阻接地,因此流入 M3M_3 的電流為 −VB/(1 kΩ)-V_B/(1\text{ k}\Omega)。以電流單位 mA、電壓單位 V 表示:

−VB=12(VB+4.5)2-V_B=12(V_B+4.5)^2

取符合導通條件的根:

VB=−3.928 V,ID3=3.928 mAV_B=-3.928\text{ V},\qquad I_{D3}=3.928\text{ mA}

因此電流鏡的參考電流為 ID2=3.928 mAI_{D2}=3.928\text{ mA}。

最大輸出電壓

M1M_1 的汲極接 +5 V+5\text{ V}。輸出上升到最大值時,M1M_1 恰好到達飽和區邊界:

VDS1=VGS1−VTNV_{DS1}=V_{GS1}-V_{TN}

代入 VDS1=5−VOV_{DS1}=5-V_O、VGS1=VI−VOV_{GS1}=V_I-V_O,得

VI=5.5 VV_I=5.5\text{ V}

邊界上 M1M_1 的過驅電壓為 5−VO5-V_O。由輸出節點電流關係,

ID1=ID2+VORLI_{D1}=I_{D2}+\frac{V_O}{R_L}
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第 四 題25 分

如圖四所示的空乏型負載 NMOS 反相器,其中 VDD=3 VV_{DD}=3\text{ V},且電晶體參數為:

kn′=100 μA/V2k'_n=100\ \mu\text{A}/\text{V}^2

VTND=0.4 VV_{TND}=0.4\text{ V}

VTNL=−0.8 VV_{TNL}=-0.8\text{ V}

(W/L)D=6(W/L)_D=6

(W/L)L=2(W/L)_L=2

忽略本體效應(body effect)。

試求反相器的最大功率消耗、電晶體 MDM_D 及 MLM_L 分別工作於過渡點(transition point)時的輸入電壓 VItV_{It}、輸出電壓 VOtV_{Ot},及當輸入電壓 vI=3 Vv_I=3\text{ V}時的輸出電壓vov_o。

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核心觀念

空乏型負載 MLM_L 的閘極與源極相接,因此 VGSL=0V_{GSL}=0。其臨界電壓為負值,故即使輸入為低電位,MLM_L 仍會導通。忽略本體效應時,MOSFET 的飽和區與三極區分界為

VDS=VGS−VTV_{DS}=V_{GS}-V_T

本題令 βD=kn′(W/L)D=600 μA/V2\beta_D=k'_n(W/L)_D=600\,\mu\text{A}/\text{V}^2、βL=kn′(W/L)L=200 μA/V2\beta_L=k'_n(W/L)_L=200\,\mu\text{A}/\text{V}^2。飽和區電流為 ID=12β(VGS−VT)2I_D=\frac12\beta(V_{GS}-V_T)^2;三極區電流為 ID=β[(VGS−VT)VDS−12VDS2]I_D=\beta[(V_{GS}-V_T)V_{DS}-\frac12V_{DS}^2]。

解題方法

令 vov_o 為兩管共接點電壓,穩態時兩管電流相等。對負載管,

VGSL=0,VDSL=3−voV_{GSL}=0,\qquad V_{DSL}=3-v_o

因此 MLM_L 的飽和區/三極區分界在

VDSL=0−(−0.8)=0.8 V⟹vo=2.2 VV_{DSL}=0-(-0.8)=0.8\text{ V} \quad\Longrightarrow\quad v_o=2.2\text{ V}

在負載管飽和區,其電流為

IL=12(200)(0−(−0.8))2=64 μAI_L=\frac12(200)(0-(-0.8))^2 =64\,\mu\text{A}

當輸入較高、MDM_D 導通而負載管仍在飽和區時,電源電流為 64 μA64\,\mu\text{A}。最大功率消耗為

Pmax⁡=VDDIL=3(64 μA)=192 μWP_{\max}=V_{DD}I_L =3(64\,\mu\text{A}) =192\,\mu\text{W}

MDM_D 到達飽和區/三極區分界時,VDSD=voV_{DSD}=v_o,VGSD=vIV_{GSD}=v_I,故

vo=vI−0.4v_o=v_I-0.4

在此分界點,MDM_D 的電流等於負載管飽和電流:

64=12(600)(vI−0.4)264=\frac12(600)(v_I-0.4)^2

電流單位採 μA\mu\text{A},解得

VIt=0.4+128600≈0.862 VV_{It}=0.4+\sqrt{\frac{128}{600}} \approx0.862\text{ V}
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