109 高普考高考三級 電力工程 電子學 考古題詳解

109 年・高普考・高考三級・電力工程
試題代碼 電子學

第 一、 題20 分

下圖為一串級放大器之等效模型。試求串級放大器之:

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) 輸入阻抗 RiR_i。(5 分)

(二) 輸出阻抗 RoR_o。(5 分)

(三) 電壓增益 vovs\dfrac{v_o}{v_s}。(10 分,需標註正、負號,全對計分。)

圖中各級等效模型參數如下:

  • 輸入端電壓源為 vsv_s,經 990 Ω990\,\Omega 串聯至節點,該節點接有 10 Ω10\,\Omega 至接地,支路電流為 iii_i。
  • 第二級由受控電流源 10ii10i_i、10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega、1 kΩ1\,\mathrm{k}\Omega 與 9 kΩ9\,\mathrm{k}\Omega 組成,輸入電壓為 viv_i。
  • 第三級由受控電流源 0.01vi0.01v_i 與 10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega 組成,輸出電壓為 vov_o。
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核心觀念

輸入阻抗是由輸入端向放大器內看見的等效電阻;輸出阻抗則將獨立輸入訊號設為零,再由輸出端向內看。串級電壓增益可分級求出,並將各級增益相乘。

解題方法

(一)輸入阻抗 RiR_i

依圖中輸入端往右看,990 Ω990\,\Omega 與接地的 10 Ω10\,\Omega 串聯,因此

Ri=990+10=1 kΩ.R_i=990+10=\boxed{1\,\text{k}\Omega}.

(二)輸出阻抗 RoR_o

將輸入訊號設為零,則 vi=0v_i=0,受控電流源 0.01vi0.01v_i 為零。由輸出端看入,只剩 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 電阻接地:

Ro=10 kΩ.R_o=\boxed{10\,\text{k}\Omega}.

(三)電壓增益 vovs\dfrac{v_o}{v_s}

先由輸入回路求 iii_i:

ii=vs990+10=vs1 kΩ.i_i=\frac{v_s}{990+10}=\frac{v_s}{1\,\text{k}\Omega}.

第二級輸入節點對地有兩條電阻路徑:一條為 10 kΩ10\,\text{k}\Omega,另一條為 1 kΩ+9 kΩ=10 kΩ1\,\text{k}\Omega+9\,\text{k}\Omega=10\,\text{k}\Omega,等效為 5 kΩ5\,\text{k}\Omega。設該節點電壓為 vxv_x,受控電流源方向向下,因此

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第 二、 題20 分

下圖為一串級放大器。vi+v_{i+} 與 vi−v_{i-} 為差動信號。若所有電晶體皆操作在飽和區,且電晶體之寬長比如下:

(WL)1=(WL)2,(WL)3=(WL)4,(WL)5=(WL)6,(WL)7=(WL)8\left(\frac{W}{L}\right)_1=\left(\frac{W}{L}\right)_2,\quad \left(\frac{W}{L}\right)_3=\left(\frac{W}{L}\right)_4,\quad \left(\frac{W}{L}\right)_5=\left(\frac{W}{L}\right)_6,\quad \left(\frac{W}{L}\right)_7=\left(\frac{W}{L}\right)_8

電晶體之轉導值為:

gm1=gm2=gm3=gm4=gm7=gm8=10 mA/Vg_{m1}=g_{m2}=g_{m3}=g_{m4}=g_{m7}=g_{m8}=10\,\mathrm{mA/V} gm5=gm6=1 mA/Vg_{m5}=g_{m6}=1\,\mathrm{mA/V}

電晶體之輸出阻抗為:

ro=10 kΩr_o=10\,\mathrm{k}\Omega

且:

C=10 pFC=10\,\mathrm{pF}

試求:

(一) vo+−vo−vi+−vi−\dfrac{v_{o+}-v_{o-}}{v_{i+}-v_{i-}} 之低頻增益。(需標註正、負號,全對計分。)

(二) vo+−vo−vi+−vi−\dfrac{v_{o+}-v_{o-}}{v_{i+}-v_{i-}} 之主極點頻率(Dominant pole frequency)。

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核心觀念

本題考差動放大器的小訊號分析,以及輸出端跨接電容所形成的主極點。先將輸入寫成純差動訊號:

vi+=vid2,vi−=−vid2,vid=vi+−vi−v_{i+}=\frac{v_{id}}{2},\qquad v_{i-}=-\frac{v_{id}}{2},\qquad v_{id}=v_{i+}-v_{i-}

圖中的第一級為 NMOS 差動對 M1,M2M_1,M_2 搭配 PMOS 電流鏡負載 M3,M4M_3,M_4;第一級兩個輸出節點分別驅動第二級 M7,M8M_7,M_8。第二級輸出端各有一個 ror_o 的 NMOS 與一個 ror_o 的 PMOS,因此每端的低頻輸出電阻為 ro∥ror_o\parallel r_o。

解題方法

令 x1x_1 為 M1,M3M_1,M_3 的汲極節點,x2x_2 為 M2,M4M_2,M_4 的汲極節點。

對 x1x_1 而言,M1M_1 的小訊號汲極電流為 gm1vid/2g_{m1}v_{id}/2;M3M_3 為二極體接法,故其小訊號電阻近似為 1/gm31/g_{m3}。因此:

vx1=−gm12gm3vid=−12vidv_{x1}=-\frac{g_{m1}}{2g_{m3}}v_{id} =-\frac{1}{2}v_{id}

在 x2x_2 節點,M2M_2 電流減少與 M4M_4 電流鏡電流增加,兩者對輸出節點的變化相加。此節點電阻為 ro∥ro=5 kΩr_o\parallel r_o=5\,\mathrm{k}\Omega,所以:

vx2=gm1(ro∥ro)vid=(10 mA/V)(5 kΩ)vid=50vidv_{x2}=g_{m1}(r_o\parallel r_o)v_{id} =(10\,\mathrm{mA/V})(5\,\mathrm{k}\Omega)v_{id} =50v_{id}

第二級每端的輸出電阻為:

Ro=ro∥ro=5 kΩR_o=r_o\parallel r_o=5\,\mathrm{k}\Omega

輸出差動電壓由三部分小訊號電流造成:

  • M7,M8M_7,M_8 的差動電流為 gm7vx2−gm8vx1g_{m7}v_{x2}-g_{m8}v_{x1}。
  • M5,M6M_5,M_6 的差動電流為 gm5vidg_{m5}v_{id}。
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第 三、 題20 分

下圖電路中,若電晶體 M1M_1 至 M4M_4 皆操作於飽和區,且電晶體之轉導值 gmg_m 皆為 10 mA/V10\,\mathrm{mA/V},電晶體之輸出阻抗 ror_o 皆為 10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega。若:

R=100 kΩ,C=10 pFR=100\,\mathrm{k}\Omega,\qquad C=10\,\mathrm{pF}

試求:

(一) vovi\dfrac{v_o}{v_i} 之直流小信號增益。(需標註正、負號,全對計分。)

(二) vovi\dfrac{v_o}{v_i} 之 3 dB3\,\mathrm{dB} 頻率 ωH\omega_H。

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核心觀念

這題考 CMOS 反相器的小信號模型、兩個節點間的電阻耦合,以及單一電容形成的高頻極點。每級的 NMOS、PMOS 轉導相加,等效轉導為

Gm=gmn+gmp=20 mS.G_m=g_{mn}+g_{mp}=20\,\mathrm{mS}.

每個節點各有兩顆電晶體的輸出電阻接至交流地,因此等效輸出電導為

go=110 kΩ+110 kΩ=0.2 mS.g_o=\frac{1}{10\,\mathrm{k}\Omega}+\frac{1}{10\,\mathrm{k}\Omega} =0.2\,\mathrm{mS}.

令 vxv_x 為 M1、M2M_1、M_2 的共用汲極,也是 M3、M4M_3、M_4 的閘極電壓;並令 gR=1/R=0.01 mSg_R=1/R=0.01\,\mathrm{mS}。

解題方法

小信號分析時,VDDV_{DD} 為交流地。電容在直流分析中開路;求頻率響應時,保留其導納 sCsC。

在 vxv_x 節點寫 KCL:

(go+gR+sC)vx−gRvo=−Gmvi.(g_o+g_R+sC)v_x-g_Rv_o=-G_m v_i.

在 vov_o 節點寫 KCL。第二級反相器的受控電流與電阻支路合併後為:

(Gm−gR)vx+(go+gR)vo=0.(G_m-g_R)v_x+(g_o+g_R)v_o=0.

聯立可得整體傳遞函數:

vovi=Gm(Gm−gR)(go+gR+sC)(go+gR)+gR(Gm−gR).\frac{v_o}{v_i} = \frac{G_m(G_m-g_R)} {(g_o+g_R+sC)(g_o+g_R)+g_R(G_m-g_R)}.

(一)直流小信號增益

令 s=0s=0,代入 go=0.0002 Sg_o=0.0002\,\mathrm{S}、gR=0.00001 Sg_R=0.00001\,\mathrm{S}、Gm=0.02 SG_m=0.02\,\mathrm{S}:

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第 四、 題20 分

下圖為一振盪器。若:

V1=4 V,V2=1 VV_1=4\,\mathrm{V},\qquad V_2=1\,\mathrm{V}

vov_o 的初始值為 3 V3\,\mathrm{V},QQ 的初始值為邏輯 00。若:

I1=1 mA,I2=4 mA,C=10 pFI_1=1\,\mathrm{mA},\qquad I_2=4\,\mathrm{mA},\qquad C=10\,\mathrm{pF}

求 QQ 在穩態時之輸出:

(一) 頻率。

(二) 責任週期(Duty cycle)。

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核心觀念

這是由兩個比較器與 SRSR 正反器控制的電容鬆弛振盪器。電容電壓 vov_o 在 V2=1 VV_2=1\,\mathrm V 與 V1=4 VV_1=4\,\mathrm V 之間往返變化:

  • Q=0Q=0 時,I1I_1 對電容充電,vov_o 上升至 V1V_1。
  • vov_o 到達 V1V_1 後,正反器切換為 Q=1Q=1;此時 I2I_2 使電容放電,vov_o 下降至 V2V_2。
  • vov_o 到達 V2V_2 後,正反器切回 Q=0Q=0,開始下一週期。

電容以定電流充放電時,所需時間為

t=CΔVI.t=\frac{C\Delta V}{I}.

解題方法

電容每次充、放電的電壓變化量相同:

ΔV=V1−V2=4−1=3 V.\Delta V=V_1-V_2=4-1=3\,\mathrm V.

Q=0Q=0 時以 I1=1 mAI_1=1\,\mathrm{mA} 充電,低電位時間為

tL=CΔVI1=(10 pF)(3 V)1 mA=30 ns.t_L=\frac{C\Delta V}{I_1} =\frac{(10\,\mathrm{pF})(3\,\mathrm V)}{1\,\mathrm{mA}} =30\,\mathrm{ns}.

Q=1Q=1 時以 I2=4 mAI_2=4\,\mathrm{mA} 放電,高電位時間為

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第 五、 題20 分

分析下圖之整流器電路(Rectifier)。若二極體 D1D_1 至 D4D_4 之導通電壓皆為 1 V1\,\mathrm{V},輸入信號為:

vi=4sin⁡(ωt) Vv_i=4\sin(\omega t)\ \mathrm{V}

且:

R=1 kΩR=1\,\mathrm{k}\Omega

試求:

(一) VoV_o 之峰值(Peak value)。(10 分)

(二) 電阻 RR 之平均功耗。(10 分)

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核心觀念

本題考全波橋式整流器與負載平均功耗。變壓器匝數比為 1:21:2,因此次級電壓振幅是一次側的兩倍。橋式整流器每半週均有兩顆二極體串聯導通,所以負載電壓要扣除兩個導通壓降。

平均功耗應由瞬時功率 p=vo2/Rp=v_o^2/R 對一週期取平均,也就是使用負載電壓的均方值除以電阻。

解題方法

一次側輸入為

vi=4sin⁡(ωt) Vv_i=4\sin(\omega t)\ \mathrm{V}

次級電壓為

vs=2vi=8sin⁡(ωt) Vv_s=2v_i=8\sin(\omega t)\ \mathrm{V}

橋式整流後,輸出為正向全波波形。每次導通需經過兩顆二極體,總壓降為 2 V2\ \mathrm{V},因此

vo=max⁡(∣8sin⁡(ωt)∣−2, 0)v_o=\max\bigl(|8\sin(\omega t)|-2,\ 0\bigr)

(一)VoV_o 之峰值

次級電壓峰值為 8 V8\ \mathrm{V},扣除兩顆導通二極體的壓降:

Vo,peak=8−2(1)=6 VV_{o,\mathrm{peak}}=8-2(1)=6\ \mathrm{V}

(二)電阻 RR 之平均功耗

令 θ=ωt\theta=\omega t,二極體開始導通的角度滿足

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