107 地方特考三等 電力工程 電子學 考古題詳解

107 年・地方特考・三等・電力工程
試題代碼 電子學

第 一 題25 分

圖一所示為理想運算放大器。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷圖一】

(一)推導輸出電壓 vov_o,用 vi1v_{i1}、vi2v_{i2}、RaR_a、RbR_b、RcR_c、RdR_d 表示。

(二)推導共模增益 AcmA_{cm}。

(三)推導共模拒斥比(CMRR)為無限大的條件,用 RaR_a、RbR_b、RcR_c、RdR_d 表示。

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核心觀念

本題考核運算放大器(Op-Amp)經典應用電路——差動放大器(Difference Amplifier / Subtractor)​之電路分析與參數推導,核心觀念包含:

  1. 理想運算放大器(Ideal Op-Amp)特性:
  • 輸入阻抗無窮大,輸入端不取電流:i+=i−=0i^+ = i^- = 0。
  • 開迴路增益無窮大,在負回授(Negative Feedback)作用下形成虛短路(Virtual Short):v+=v−v^+ = v^-。
  1. 節點分析法(KCL)與重疊定理(Superposition Theorem):
  • 同相端(++)為無載分壓電路。
  • 反相端(−-)依克希荷夫電流定律列式,建立輸入與輸出之線性關係。
  1. 共模增益(Common-Mode Gain, AcmA_{cm})定義:
  • 當兩輸入端施加相同共模電壓 vi1=vi2=vicmv_{i1} = v_{i2} = v_{icm} 時,輸出響應與輸入共模訊號之比值:Acm=vovicm∣vi1=vi2=vicmA_{cm} = \left.\frac{v_o}{v_{icm}}\right|_{v_{i1}=v_{i2}=v_{icm}}。
  1. 共模拒斥比(Common-Mode Rejection Ratio, CMRR)定義:
  • 差模增益與共模增益之比值:CMRR=∣AdAcm∣\text{CMRR} = \left|\frac{A_d}{A_{cm}}\right|。當 Acm=0A_{cm} = 0 時,CMRR→∞\text{CMRR} \to \infty。

解題方法

依考卷圖一之標準差動放大器配置:

  • 反相輸入端(−-):由輸入電壓 vi1v_{i1} 經電阻 RaR_a 接至運算放大器反相端,並經回授電阻 RbR_b 接至輸出端 vov_o。
  • 同相輸入端(++):由輸入電壓 vi2v_{i2} 經電阻 RcR_c 接至運算放大器同相端,並經電阻 RdR_d 接地。

(一)推導輸出電壓 vov_o

步驟 1:求同相端電壓 v+v^+ 因理想運算放大器輸入端不吸入電流(i+=0i^+ = 0),同相端電阻 RcR_c 與 RdR_d 形成分壓電路: v+=vi2⋅RdRc+Rdv^+ = v_{i2} \cdot \frac{R_d}{R_c + R_d}

步驟 2:利用虛短路求反相端電壓 v−v^- 電路具備負回授路徑,運算放大器工作於線性區,滿足虛短路條件: v−=v+=vi2⋅RdRc+Rdv^- = v^+ = v_{i2} \cdot \frac{R_d}{R_c + R_d}

步驟 3:對反相端節點列寫 KCL 求解 vov_o 因 i−=0i^- = 0,自 vi1v_{i1} 流經 RaR_a 之電流完全流向 RbR_b 至輸出端: vi1−v−Ra=v−−voRb\frac{v_{i1} - v^-}{R_a} = \frac{v^- - v_o}{R_b}

整理移項求 vov_o: voRb=v−(1Ra+1Rb)−vi1Ra\frac{v_o}{R_b} = v^- \left(\frac{1}{R_a} + \frac{1}{R_b}\right) - \frac{v_{i1}}{R_a} vo=(1+RbRa)v−−RbRavi1v_o = \left(1 + \frac{R_b}{R_a}\right) v^- - \frac{R_b}{R_a} v_{i1}

將步驟 2 之 v−v^- 代入: vo=−RbRavi1+(1+RbRa)(RdRc+Rd)vi2v_o = -\frac{R_b}{R_a} v_{i1} + \left(1 + \frac{R_b}{R_a}\right)\left(\frac{R_d}{R_c + R_d}\right) v_{i2}

亦可通分化簡為: vo=−RbRavi1+(Ra+RbRa)(RdRc+Rd)vi2v_o = -\frac{R_b}{R_a} v_{i1} + \left(\frac{R_a + R_b}{R_a}\right)\left(\frac{R_d}{R_c + R_d}\right) v_{i2}


(二)推導共模增益 AcmA_{cm}

方法:純共模訊號輸入分析法 定義共模輸入訊號為兩輸入端施加相同電壓,即令 vi1=vi2=vicmv_{i1} = v_{i2} = v_{icm}。此時輸出電壓即為共模輸出 vocmv_{ocm}: vocm=[−RbRa+(1+RbRa)(RdRc+Rd)]vicmv_{ocm} = \left[-\frac{R_b}{R_a} + \left(1 + \frac{R_b}{R_a}\right)\left(\frac{R_d}{R_c + R_d}\right)\right] v_{icm}

共模增益定義為 Acm=vocmvicmA_{cm} = \frac{v_{ocm}}{v_{icm}}: Acm=−RbRa+(Ra+RbRa)(RdRc+Rd)A_{cm} = -\frac{R_b}{R_a} + \left(\frac{R_a + R_b}{R_a}\right)\left(\frac{R_d}{R_c + R_d}\right)

進行通分化簡: Acm=−Rb(Rc+Rd)+(Ra+Rb)RdRa(Rc+Rd)A_{cm} = \frac{-R_b(R_c + R_d) + (R_a + R_b)R_d}{R_a(R_c + R_d)}

展開分子各項: −RbRc−RbRd+RaRd+RbRd=RaRd−RbRc-R_b R_c - R_b R_d + R_a R_d + R_b R_d = R_a R_d - R_b R_c

得共模增益精簡式: Acm=RaRd−RbRcRa(Rc+Rd)A_{cm} = \frac{R_a R_d - R_b R_c}{R_a(R_c + R_d)}


(三)推導共模拒斥比(CMRR)為無限大的條件

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第 二 題25 分

圖二所示為具有回授網路之運算放大器。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷圖二】

(一)假設運算放大器的輸入電阻為無限大,輸出電阻為零。請推導回授係數 β\beta,用 RaR_a、RbR_b 表示。

(二)假設開迴路電壓增益為 10310^3,回授係數 β=0.099\beta=0.099,求閉迴路電壓增益 AfA_f。

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核心觀念

本題評量重點為「負回授放大器(Negative Feedback Amplifier)」的分析架構與基本參數計算:

  1. 回授組態判定:圖二為標準的非反相放大器,屬於電壓串聯負回授(Voltage-Series Feedback / Series-Shunt Feedback)。輸入端進行電壓相減(串聯混合),輸出端取樣輸出電壓(分流取樣)。
  2. 回授係數(β\beta)之定義:回授網路之傳遞函數定義為回授電壓 vfv_f 與輸出端取樣電壓 vov_o 之比值: β≡vfvo\beta \equiv \frac{v_f}{v_o} 當運算放大器輸入阻抗為無限大(Rin=∞R_{in} = \infty)、輸出電阻為零(Ro=0R_o = 0)時,無電流流入反相輸入端,回授網路為由 RaR_a 與 RbR_b 構成的無負載分壓器。
  3. 閉迴路電壓增益(AfA_f)公式:負回授系統的基本增益關係式為: Af=A1+AβA_f = \frac{A}{1 + A\beta} 其中 AA 為開迴路電壓增益(Open-loop Gain),AβA\beta 為迴路增益(Loop Gain,TT),1+Aβ1 + A\beta 為回授量(Amount of Feedback)。

解題方法

(一)推導回授係數 β\beta

  1. 電路節點與回授電壓分析:
  • 輸入訊號 vsv_s 加於運算放大器之非反相輸入端(++)。
  • 輸出電壓 vov_o 經由電阻 RaR_a、RbR_b 串聯分壓網路回授至反相輸入端(−-),此端電壓即為回授訊號 vfv_f。
  • 題圖二標準非反相放大器之配置中,RaR_a 為反相端對地電阻,RbR_b 為連接於輸出端與反相端之間的回授電阻。
  1. 利用理想條件建立分壓關係:
  • 運算放大器之輸入電阻為無限大,故流入反相輸入端的電流為零(i−=0i_- = 0)。
  • 由輸出端經 RbR_b 與 RaR_a 到地的路徑形成單純的電阻分壓,反相端電壓 vfv_f 為: vf=vo(RaRa+Rb)v_f = v_o \left( \frac{R_a}{R_a + R_b} \right)
  1. 推導回授係數 β\beta:
  • 依據回授係數定義 β=vfvo\beta = \frac{v_f}{v_o},兩邊同除以 vov_o: β=RaRa+Rb\beta = \frac{R_a}{R_a + R_b}
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第 三 題25 分

圖三所示為 741 放大器之偏壓電路及第一級差動電路。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷圖三】

(一)請繪出第一級之小信號等效電路。

(二)假設電晶體 Q1Q_1、Q2Q_2、Q3Q_3、Q4Q_4 集極(collector)的直流電流均為 10 μA10\ \mu\mathrm{A},所有電晶體 β=199\beta=199、VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV},求第一級差動電路之輸入電阻 RidR_{id}。

🖼️ 本題原卷含圖表。基於試題來源之版權考量,本站不轉載原卷影像; 題目文字已完整轉錄,圖表請自行參閱考選部公告之試題原檔。

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核心觀念

  1. 741 運算放大器輸入級之電路結構:
  • 741 運算放大器第一級為特殊的「共集極-共基極」(CC-CB)差動對架構:
  • 電晶體 Q1Q_1、Q2Q_2 為 NPN 型,接成共集極(CC,射極隨耦器),其基極接輸入信號 vin1v_{in1}、vin2v_{in2},集極接正電源 +VCC+V_{CC}(小信號交流接地)。
  • 電晶體 Q3Q_3、Q4Q_4 為橫向 PNP 型,接成共基極(CB),兩者基極共接並由偏壓電路提供固定直流偏壓(小信號交流接地或差模虛接地)。
  • Q1Q_1 射極直接連接 Q3Q_3 射極,Q2Q_2 射極直接連接 Q4Q_4 射極;Q3Q_3 與 Q4Q_4 的集極為第一級之差動輸出端,連接至主動負載(Q5Q_5、Q6Q_6 電流鏡)。
  • 採用此 CC-CB 串接的主要目的為:提高差模輸入電阻、提供極高的射基極逆向崩潰電壓保護(橫向 PNP 之 BVEBOBV_{EBO} 較大)、實現向下電位移轉(Level Shift),並消除米勒效應(Miller Effect)以增進高頻響應。
  1. BJT 小信號參數定義與公式:
  • 射極小信號動態電阻: re=VTIE=αVTIC=ββ+1VTICr_e = \frac{V_T}{I_E} = \frac{\alpha V_T}{I_C} = \frac{\beta}{\beta + 1} \frac{V_T}{I_C}
  • 基極看入之小信號電阻: rπ=βVTIC=(β+1)rer_\pi = \frac{\beta V_T}{I_C} = (\beta + 1) r_e
  1. 差模輸入電阻 RidR_{id} 之定義:
  • 差模輸入電阻定義為兩輸入端之間所見之微小信號電阻: Rid≡vidiid=vin1−vin2ibR_{id} \equiv \frac{v_{id}}{i_{id}} = \frac{v_{in1} - v_{in2}}{i_b}
  • 應用阻抗反射法則(Resistance Reflection Rule),由基極看入射極迴路阻抗需放大 (β+1)(\beta + 1) 倍。

解題方法

(一)第一級小信號等效電路繪製

  1. 交流接地與信號路徑分析:
  • 直流電壓源 +VCC+V_{CC} 與 −VEE-V_{EE} 在小信號分析時均視為交流接地(AC Ground)。
  • Q1Q_1、Q2Q_2 的集極直接接在 +VCC+V_{CC},故其集極端直接交流接地。
  • Q3Q_3、Q4Q_4 的基極共接點由偏壓電路提供直流偏壓,直流電流源在小信號時視為開路,且差模輸入時該節點電位固定,為小信號交流接地(虛接地)。
  • Q1Q_1 與 Q3Q_3 之射極相接,Q2Q_2 與 Q4Q_4 之射極相接。
  1. 等效電路模型選用:
  • 雙載子電晶體(BJT)可採用混合 π\pi 模型(Hybrid-π\pi Model)或 TT 模型(T-Model)。針對射極直接串接的電路,採用含受控源之小信號模型繪製如下:
 [小信號全電路等效電路圖]

 +------------------------- (AC Ground) -------------------------+
 | |
 | Collector(Q1) Collector(Q2) |
 | |
 +-----o-----+ +-----o-----+
 | | | |
 | | / \ | |
 + | |/ gm1*v_pi1 gm2*v_pi2 \| | +
v_in1[ r_pi1 | | r_pi2 ]v_in2
 - | (Q1) |\ /| (Q2) | -
 | | \v v/| |
 | | | |
 +-----o-----+ +-----o-----+
 Base | Emitter(Q1) Emitter(Q2) | Base
 | |
 +=== Emitter(Q3) Emitter(Q4) ===+
 | |
 +-----o-----+ +-----o-----+
 | | | |
 | | /v v/| |
 - | |/ gm3*v_pi3 gm4*v_pi4 \| | -
v_pi3[ r_pi3 | | r_pi4 ]v_pi4
 + | (Q3) |\ /| (Q4) | +
 | | \ / | |
 | | | |
 +-----o-----+ +-----o-----+
 | Base(Q3) Base(Q4)|
 +------------------------- (AC Ground) --------------------+
 | |
 | Collector(Q3) Collector(Q4) |
 v i_out1 (至主動負載) v i_out2 (至主動負載)

亦可採用解析差動放大器時最常用的差模半電路(Differential Half-Circuit)等效模型:

 [差模半電路小信號等效模型(單邊輸入 v_id / 2)]

 (AC Ground, Collector Q1)
 |
 +--------o--------+
 | |
 + | | /
 v_id/2 [ r_pi1 |/ gm1 * v_pi1
 - | (Q1) |\
 | | \v
 +--------o--------+
 | Emitter Q1 = Emitter Q3
 +--------o--------+
 | |
 - | | /v
 v_pi3 [ r_pi3 |/ gm3 * v_pi3
 + | (Q3) |\
 | | \
 +--------o--------+
 |
 (Virtual Ground, Base Q3)
 |
 o Collector Q3 (輸出端至負載)

(二)第一級差動電路輸入電阻 RidR_{id} 計算

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第 四 題25 分

邏輯電路設計。

(一)請用理想二極體設計布林代數為 Y=A+B+CY=A+B+C 的邏輯電路,請畫出電路圖。

(二)請寫出真值表。

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核心觀念

本題考查數位電子學中基礎的二極體邏輯(Diode Logic, DL)​設計與布林代數真值表,核心觀念包含:

  1. 正邏輯系統(Positive Logic):
  • 邏輯「11」(高電位,High):以電壓 VHV_H(例如 +5 V+5\text{ V})表示。
  • 邏輯「00」(低電位,Low):以電壓 VLV_L(例如 0 V0\text{ V} 或接地 GND)表示。
  1. 理想二極體(Ideal Diode)特性:
  • 順向偏壓導通時:等效為短路,導通跨壓 VD=0 VV_D = 0\text{ V}。
  • 逆向偏壓截止時:等效為開路,逆向漏電流 IR=0 AI_R = 0\text{ A}。
  1. 二極體或閘(Diode OR Gate)架構:
  • 布林函數 Y=A+B+CY = A + B + C 代表三輸入的「或閘」(OR Gate)。
  • 任一輸入為高電位時,對應之二極體順向導通,將輸出端鉗位在該高電位;僅當所有輸入皆為低電位時,所有二極體皆截止,輸出端藉由下拉電阻維持在低電位。

解題方法

(一)邏輯電路設計與電路圖

  1. 電路拓撲與元件配置:
  • 使用 3 個理想二極體 DA,DB,DCD_A, D_B, D_C。
  • 輸入端:三個輸入信號 A,B,CA, B, C 分別連接至二極體 DA,DB,DCD_A, D_B, D_C 的陽極(Anode, 標記為 ++ 或三角形端)。
  • 輸出端:三個二極體的陰極(Cathode, 標記為 −- 或直線端)​全部並聯接在一起,匯流為輸出節點 YY。
  • 下拉電阻(Pull-down Resistor):在輸出節點 YY 與接地端(0 V0\text{ V})之間串接一枚下拉電阻 RR。
  1. 電路原理圖:
 A o----|>|----+
 DA |
 |
 B o----|>|----+----o Y (輸出)
 DB | |
 | [R] 下拉電阻
 C o----|>|----+ |
 DC ===
 GND (0 V)
  1. 動作原理推導:
  • 狀況一:A=0,B=0,C=0A=0, B=0, C=0(所有輸入均接 0 V0\text{ V}) 此時三個二極體陽極皆為 0 V0\text{ V}。若二極體導通,電流無處流出;電阻 RR 無電流流過(IR=0I_R = 0),輸出電壓被電阻下拉至接地電位: VY=0 V  ⟹  Y=0V_Y = 0\text{ V} \implies Y = 0 三個二極體兩端跨壓皆為 0 V0\text{ V},皆處於截止狀態。
  • 狀況二:A,B,CA, B, C 中至少有一個為「11」(即電壓為 VH=5 VV_H = 5\text{ V}) 假設 A=1A=1(5 V5\text{ V}),則二極體 DAD_A 陽極電壓高於陰極,形成順向導通。因二極體為理想元件,導通時跨壓為 0 V0\text{ V}: VY=VA=5 V  ⟹  Y=1V_Y = V_A = 5\text{ V} \implies Y = 1
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