109 鐵路特考員級 電子工程 電子學概要 考古題詳解

109 年・鐵路特考・員級・電子工程
試題代碼 電子學概要

第 一 題25 分

試求下圖電路之低頻電壓增益(包含三個極點)。

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核心觀念

本題是 FET 共源放大器的低頻響應分析。低頻時,輸入耦合電容 CGC_G、輸出耦合電容 CDC_D 與源極旁路電容 CEC_E 的容抗不可忽略;三者各自形成一個低頻極點。

採用常見小訊號近似:FET 閘極電流為零,忽略 ror_o(視為 ro≫RD,RLr_o\gg R_D,R_L),並以短路時間常數法估算各電容造成的極點。令

RB=R1∥R2R_B=R_1\parallel R_2

中頻時,CG,CD,CEC_G,C_D,C_E 視為短路,電壓增益為

AvM=−gm(RD∥RL)RBRs+RBA_{vM}=-g_m(R_D\parallel R_L)\frac{R_B}{R_s+R_B}

負號表示共源級輸出與輸入反相。

解題方法

分別求三個電容的極點,再將各低頻因子乘上中頻增益。

1. 輸入耦合電容 CGC_G

將其他電容視為短路,從 CGC_G 看入的等效電阻為 Rs+RBR_s+R_B,因此

ωG=1(Rs+RB)CG\omega_G=\frac{1}{(R_s+R_B)C_G}

輸入耦合因子為

ss+ωG\frac{s}{s+\omega_G}

2. 輸出耦合電容 CDC_D

將其他電容視為短路,CDC_D 兩側分別看到 RDR_D 與 RLR_L,故等效電阻為 RD+RLR_D+R_L:

ωD=1(RD+RL)CD\omega_D=\frac{1}{(R_D+R_L)C_D}

輸出耦合因子為

ss+ωD\frac{s}{s+\omega_D}

3. 源極旁路電容 CEC_E

將其他電容視為短路,從源極看入 FET 的小訊號電阻約為 1/gm1/g_m,因此 CEC_E 所見等效電阻為

RE∥1gmR_E\parallel \frac{1}{g_m}

其極點為

ωE=1CE(RE∥1gm)=1+gmRERECE\omega_E=\frac{1}{C_E\left(R_E\parallel \frac{1}{g_m}\right)} =\frac{1+g_mR_E}{R_EC_E}

源極旁路網路也會帶來一個零點:

ωZ=1RECE\omega_Z=\frac{1}{R_EC_E}

所以源極旁路因子為

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第 二 題25 分

試求下圖電路之震盪條件及震盪頻率。

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核心觀念

此電路是運算放大器的 Wien 橋式正回授振盪器。震盪須符合 Barkhausen 條件:迴路總相位為 0∘0^\circ(或 360∘360^\circ),且穩定振盪時迴路增益為 11。

運算放大器由 R3、R4R_3、R_4 構成非反相放大器,電壓增益為

Av=1+R3R4A_v=1+\frac{R_3}{R_4}

正回授網路則由輸出端至同相端的串聯支路 R1、C1R_1、C_1,以及同相端至地的並聯支路 R2、C2R_2、C_2 構成。

解題方法

令 s=jωs=j\omega。串聯支路與並聯支路的阻抗分別為

Zs=R1+1sC1=1+sR1C1sC1Z_s=R_1+\frac{1}{sC_1} =\frac{1+sR_1C_1}{sC_1} Zp=R2∥1sC2=R21+sR2C2Z_p=R_2\parallel\frac{1}{sC_2} =\frac{R_2}{1+sR_2C_2}

正回授分壓比為

β(s)=ZpZs+Zp=sR2C11+s(R1C1+R2C2+R2C1)+s2R1R2C1C2\beta(s)=\frac{Z_p}{Z_s+Z_p} =\frac{sR_2C_1} {1+s(R_1C_1+R_2C_2+R_2C_1)+s^2R_1R_2C_1C_2}

令 s=jωs=j\omega。要使 β(jω)\beta(j\omega) 相位為 0∘0^\circ,分母的實部須為零:

1−ω2R1R2C1C2=01-\omega^2R_1R_2C_1C_2=0

因此震盪角頻率與頻率為

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第 三 題25 分

試畫出串聯及並聯式回授放大器電路之結構圖,並求出其輸入電阻及輸出電阻。

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核心觀念

本題考查負回授的兩種輸入混合方式:串聯混合與並聯混合。負回授會使輸入、輸出電阻依回授接法改變,改變倍數由迴路增益 T=AβT=A\beta 決定,其中 AA 為基本放大器增益,β\beta 為回授網路係數。

輸入端採串聯混合時,回授電壓與訊號電壓相減;採並聯混合時,回授電流與訊號電流相減。輸出端則要看回授網路取樣的是輸出電壓還是輸出電流,才能判定輸出電阻的變化。

解題方法與結構圖

一、串聯混合回授

 ┌──────────── β(取樣輸出) ◄────────────┐
 │ │
Vs ──► (+) Σ (−) ──► vi ──► [基本放大器 A] ──► Vo ────────┘

輸入訊號與回授訊號在輸入端串聯相減。若輸出端採電壓取樣,則輸入電阻增加、輸出電阻降低:

Rif=Ri(1+T)=Ri(1+Aβ)R_{if}=R_i(1+T)=R_i(1+A\beta) Rof=Ro1+T=Ro1+AβR_{of}=\frac{R_o}{1+T}=\frac{R_o}{1+A\beta}

二、並聯混合回授

 ┌──────────── β(取樣輸出) ◄────────────┐
 │ │
Is ─────────────►●──►(訊號電流與回授電流並聯相減)──► [A] ──► Vo
 ▲ │
 └────────────── 回授電流 If ◄─────────────┘

輸入訊號與回授訊號在輸入端並聯相減。若輸出端採電壓取樣,則輸入電阻與輸出電阻皆降低:

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第 四 題25 分

假設 β=100\beta=100,試進行下圖電晶體電路之直流分析。

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核心觀念

本題考查 NPN 電晶體的直流偏壓與工作區判斷。順向放大區時,

IC=βIB,IE=IC+IB=(β+1)IBI_C=\beta I_B,\qquad I_E=I_C+I_B=(\beta+1)I_B

矽晶體管的接面壓降未在圖中標示,以下採常用近似 VBE=0.7 VV_{BE}=0.7\text{ V}、VCE(sat)=0.2 VV_{CE(sat)}=0.2\text{ V}。若計算結果不符合順向放大區條件,便改按飽和區分析;飽和時不再使用 IC=βIBI_C=\beta I_B。

解題方法

先假設電晶體工作於順向放大區。基極由理想 6 V 電源固定,因此

VE=VB−VBE=6−0.7=5.3 VV_E=V_B-V_{BE}=6-0.7=5.3\text{ V} IE=VE3.3 kΩ=5.33.3 kΩ=1.606 mAI_E=\frac{V_E}{3.3\,\text{k}\Omega} =\frac{5.3}{3.3\,\text{k}\Omega} =1.606\text{ mA}

若在順向放大區,則

IB=IEβ+1=1.606 mA101=15.9 μAI_B=\frac{I_E}{\beta+1} =\frac{1.606\text{ mA}}{101} =15.9\ \mu\text{A} IC=βIB=1.590 mAI_C=\beta I_B=1.590\text{ mA}

由集極電阻求集極電壓:

VC=10−IC(4.7 kΩ)=10−(1.590 mA)(4.7 kΩ)=2.53 VV_C=10-I_C(4.7\,\text{k}\Omega) =10-(1.590\text{ mA})(4.7\,\text{k}\Omega) =2.53\text{ V}

但 VC=2.53 V<VE=5.3 VV_C=2.53\text{ V}<V_E=5.3\text{ V},算得 VCE=VC−VE=−2.77 VV_{CE}=V_C-V_E=-2.77\text{ V},不符合順向放大區條件,因此電晶體工作於飽和區。

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