109 高普考高考三級 地質 構造地質學 考古題詳解

109 年・高普考・高考三級・地質
試題代碼 構造地質學

第 一 題20 分

試述臺灣地質環境適合單剪應變(simple shear strain)或純剪應變(pure shear strain)形態之走向滑移斷層系統發育。

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核心觀念

本題考查走向滑移斷層系統的應變幾何,以及臺灣斜向板塊碰撞如何分配變形。臺灣位於歐亞板塊與菲律賓海板塊的聚合交界,聚合方向與碰撞帶走向並不垂直,因此板塊運動可分解為:

  • 垂直碰撞帶走向的分量:造成地殼縮短、褶皺與逆衝斷層。
  • 平行碰撞帶走向的分量:造成走向滑移與側向逃逸。

本題的關鍵是判斷兩種應變模式及其斷層幾何:

  • 純剪應變(pure shear):變形可視為沿兩個互相垂直方向的縮短與伸長,沒有整體旋轉分量。走向滑移斷層常形成共軛組,兩組斷層的運動方向相反,並以有限應變主軸為對稱基準。
  • 單剪應變(simple shear):變形主要集中於一個剪切面,物質點沿該面相對滑移,伴隨整體旋轉。走向滑移斷層可形成斜列或平行排列,常見於板塊邊界剪切及地體側向逃逸。

解題方法

先由臺灣的斜向聚合背景,說明走向滑移變形為何會與縮短、逆衝作用並存;再分別描述純剪與單剪的應變特徵、斷層排列及其在臺灣可能發育的位置或構造環境。作答時應指出,臺灣不是整座島只有單一應變模式,而是不同區域、不同深度與不同構造階段可由不同模式主導。

純剪模式

在純剪模式下,水平應變可表現為一方向縮短、與之垂直方向伸長。若應變場具有剪切成分,走向滑移斷層可成對發育為共軛組,兩組具有相反的側移方向;斷層走向相對於主應變軸呈對稱關係。其幾何特徵是分布式變形較明顯,整體旋轉較弱。

臺灣的板塊聚合造成顯著地殼縮短與增厚,碰撞帶內廣泛發育褶皺、逆衝斷層及斷層分區。走向滑移成分若在較廣範圍內分散,且能以縮短—伸長的有限應變場描述,即可用純剪觀念理解。尤其在碰撞帶內部,走向滑移與擠壓共同作用,可形成斜向擠壓(transpression)構造。

單剪模式

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第 二 題20 分

如何透過地質剖面特性了解正反轉構造(positive inversion structure)之前後期構造作用的相對位移量變化,請繪圖說明之。

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核心觀念

正反轉構造(positive inversion structure)是原先在張裂作用下形成的正斷層,後來於擠壓作用下反向再活動,成為逆斷層。判讀重點是比較兩期沿斷層面的位移量:

  • 早期張裂位移:正斷層位移量,記為 DeD_e。
  • 晚期擠壓位移:逆斷層再活動位移量,記為 DcD_c。

晚期逆向位移會抵銷早期正向位移,因此剖面上看到的是兩期位移疊加後的淨位移。沿斷層由上往下,淨位移可由逆斷層型態逐漸轉為正斷層型態;兩者恰好抵銷、淨位移為零的位置稱為零位移點(null point)。

解題方法

先辨認各期地層,再比較同一標準層在斷層兩側的地層落差:

  1. 以同沉積地層判定早期張裂。 正斷層活動時,下降盤形成沉積空間;同裂谷地層常向下降盤增厚,並呈生長地層幾何。這類厚度變化與地層錯移,可用來判讀正斷層活動及其位移量。
  2. 以晚期地層錯移判定擠壓再活動。 若原斷層反向滑動,原下降盤相對上升;同一標準層在斷層兩側的落差因而減小,甚至反轉成逆斷層型態。
  3. 沿斷層追蹤各標準層的分離量。 將不同深度標準層的斷層分離量繪成曲線,可看出位移方向及大小如何改變;分離量由一種方向轉為相反方向、通過零值之處,即為零位移點。

若只考慮同一斷層上兩期相反方向的位移,則局部淨位移可概念化表示為:

Dnet=De−DcD_{\text{net}}=D_e-D_c

其中正負號依選定的位移方向而定。若 Dc<DeD_c<D_e,仍保留早期正斷層的淨位移,屬部分反轉;若兩者相等,該處淨位移為零;若 Dc>DeD_c>D_e,晚期逆向位移超過早期位移,剖面上呈現逆斷層型淨位移。實際判讀應沿斷層不同位置分別比較,因位移量通常會隨深度或斷層段落改變。

剖面示意

以下為概念剖面,非依比例繪製。左側為早期張裂形成的盆地與同裂谷生長地層;右側為晚期擠壓使原正斷層反向再活動後的幾何。箭頭表示斷層兩盤的相對運動方向。

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第 三 題20 分

試述不同溫壓環境下所發育剪切構造之特性。

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核心觀念

本題考查剪切帶內的變形機制如何隨溫度、圍壓與深度改變。一般而言,地殼淺部低溫、低圍壓,岩石以脆性破裂與摩擦滑動變形;深部高溫、高圍壓,岩石則以晶體塑性流動為主。兩者之間存在脆—韌性轉換帶,變形機制可同時包含破裂與塑性流動。

此處的「脆性」指岩石主要透過裂隙、破碎和顆粒摩擦產生變形;「韌性」指岩石在未形成貫穿性破裂的情況下,透過晶粒內部變形、再結晶或擴散等機制,產生連續的形變。

溫壓條件並非唯一控制因素。岩石成分、粒徑、含水量、應變速率及孔隙流體壓力,也會影響岩石呈現脆性或韌性行為。因此,所列溫度僅為常見概略範圍,並非絕對界線。

解題方法:由淺部至深部比較

依序比較不同溫壓環境下的變形機制、剪切構造幾何形態及斷層岩種類,即可完整作答。答題時應明確呈現「低溫淺部以破裂為主、高溫深部以塑性流動為主、中間為混合變形」的連續變化。

低溫、低圍壓:脆性剪切

淺部圍壓較低,岩石較容易產生張裂、剪裂及顆粒破碎;變形多集中在狹窄斷層帶,兩盤沿斷層面發生摩擦滑動。常見構造包括:

  • 斷層面與斷層泥:細粒碎屑受反覆剪磨,形成鬆散的斷層泥。
  • 斷層角礫岩與碎裂岩:岩石被裂隙切割、破碎,形成角礫狀至細碎的斷層岩。
  • 剪裂面組構:可發育共軛剪裂面、Riedel 剪裂面等,協助判斷剪切方向。
  • 摩擦熔融產物:快速滑動造成局部摩擦熱,可形成假玄武玻璃(pseudotachylyte);它常呈暗色脈體,可能是古地震快速滑動的證據。

中溫、中高圍壓:脆—韌性轉換

隨深度與溫度增加,圍壓抑制張裂,而礦物開始能以晶內滑移、雙晶、壓力溶解及動態再結晶等方式變形。此時常見脆性與韌性機制並存:

  • 強度較高或不易塑性變形的礦物(例如長石)可能破裂,形成碎裂的斑晶或碎斑。
  • 石英等較容易塑性變形的礦物則可拉長、再結晶,形成細粒基質。
  • 剪切帶中可同時出現碎裂、脈體、細粒化與塑性流動構造。
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第 四 題20 分

說明差排潛變(dislocation creep)及反應其作用所產生之現象。

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核心觀念

差排潛變(dislocation creep)是晶體在持續差應力作用下,靠晶格內的差排(dislocation)移動而產生的時間依賴性、不可逆塑性變形。它常見於中高溫、深部地殼及地函的岩石變形;石英、方解石、長石與橄欖石等礦物都可發生晶內塑性變形。

差排是晶格中的線狀缺陷。差排沿滑移面移動稱為滑移(glide),是造成晶體形狀改變與塑性應變的主要方式;差排離開原滑移面移動稱為攀移(climb),需要原子或空位擴散,通常在較高溫時更容易進行。交滑移(cross-slip)與攀移也可協助差排繞過障礙、重新排列或互相抵銷,使變形得以持續。

差排潛變常以冪次流變律描述:

ε˙=Aσnexp⁡(−QRT)\dot{\varepsilon} = A\sigma^n\exp\left(-\frac{Q}{RT}\right)

其中,ε˙\dot{\varepsilon} 為應變率,σ\sigma 為差應力,nn 為應力指數,QQ 為活化能,RR 為氣體常數,TT 為絕對溫度,AA 為材料與微結構相關常數。典型差排潛變的 nn 大於 1,因此應變率對差應力呈非線性反應;其應變率通常不直接依賴晶粒大小,這點與擴散潛變不同。

解題方法:由差排運動連結到岩石現象

作答時可依「差排如何移動 → 差排如何累積與復原 → 形成哪些微構造與岩體尺度現象」說明。題目所問的「反應其作用所產生之現象」,應涵蓋差排潛變本身的延性流動,以及伴隨的復原、動態再結晶、組構與剪切帶等結果。

  1. 差應力驅動差排在晶格內滑移,晶粒因此改變形狀,岩石產生晶內塑性應變。持續變形會增加差排密度與晶粒內部應變能。
  2. 當溫度與擴散條件適合時,差排會攀移、交滑移、重新排列或互相抵銷,形成復原(recovery)。差排排列成低角度晶界,可把原晶粒分隔為方向略有差異的次晶粒(subgrains);這種次晶粒化也稱為多邊化(polygonization)。
  3. 變形持續進行時,次晶粒間的方位差可逐漸增加,形成次晶粒旋轉再結晶;若晶界遷移活躍,則可發生晶界遷移再結晶。兩者都屬於動態再結晶,能在變形進行時形成新晶粒。
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第 五 題20 分

請詳細說明如何透過赤平投影(stereographic projection)求出 N30∘E/30∘SN30^\circ E/30^\circ S、N45∘W/60∘NN45^\circ W/60^\circ N 兩個面之夾角的每一個步驟。

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核心觀念

赤平投影可把平面表示為大圓,也可把平面的法線表示為點,稱為「極點」。兩平面的夾角等於其法線的夾角;在赤平投影上,就是兩個極點的角距。題目通常所稱的兩面夾角取較小的二面角,範圍為 0∘0^\circ 至 90∘90^\circ。

題目中的方位簡寫須配合走向與傾向互相垂直的幾何關係解讀:N30∘EN30^\circ E 走向的平面向南側傾,傾向取 S60∘ES60^\circ E;N45∘WN45^\circ W 走向的平面向北側傾,傾向取 N45∘EN45^\circ E。下列依此解讀作圖。

解題方法

採下半球赤平投影,先標出兩面的走向與傾角,再各自求出極點,最後量兩極點的角距。用極點求角可直接讀出兩平面的銳二面角。

作圖步驟

  1. **畫參考圓與方位。**畫出下半球投影網的基圓,標示北、東、南、西,以及方位角刻度。

  2. **標出第一面的走向。**第一面走向為 N30∘EN30^\circ E,即方位角 030∘030^\circ;其反向為 210∘210^\circ。在基圓上標出兩端點,連成走向直徑。

  3. **畫出第一面大圓。**題示向南側傾,依垂直關係取傾向 120∘120^\circ(S60∘ES60^\circ E),傾角為 30∘30^\circ。將走向直徑旋轉至便於使用投影網的位置,沿傾向方向量 30∘30^\circ,描出通過兩走向端點的大圓,再將透明紙轉回原方位。這條大圓即第一面。

  4. **標出第一面極點。**極點垂直於平面,從傾向反方向量 90∘−30∘=60∘90^\circ-30^\circ=60^\circ,得到下半球極點。其方位為傾向反方位 300∘300^\circ、俯角 60∘60^\circ。

  5. **標出第二面的走向。**第二面走向為 N45∘WN45^\circ W,方位角為 315∘315^\circ;反向為 135∘135^\circ。在基圓標出兩端點,連成走向直徑。

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