111 經濟部聯招(台電、中油、台水、台糖)新進職員 儀電 MOD- 國營事業聯招 (電路學、電子學) 考古題詳解

111 年・經濟部聯招(台電、中油、台水、台糖)・新進職員・儀電
試題代碼 MOD-111年國營事業聯招 儀電(電路學、電子學)

第 1 題2 分

一台額定功率 3000 W3000\ \mathrm{W} 的電熱器,連續使用 30 分鐘。若以每 1 度電收費 2.5 元,應繳交電費多少元?

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核心觀念

本題考查電能消耗量與電費的計算。

電能公式為:

電能=功率×使用時間\text{電能}= \text{功率} \times \text{使用時間}

以電費計算而言:

1 度電=1 kWh1\text{ 度電}=1\text{ kWh}

其中,功率必須使用千瓦 kW\text{kW},時間使用小時 h\text{h}。

解題方法

電熱器額定功率為:

3000 W=3 kW3000\text{ W}=3\text{ kW}

連續使用時間為:

30 分鐘=3060 小時=0.5 h30\text{ 分鐘}=\frac{30}{60}\text{ 小時}=0.5\text{ h}

因此消耗的電能為:

E=PtE=Pt E=3 kW×0.5 h=1.5 kWhE=3\text{ kW}\times 0.5\text{ h}=1.5\text{ kWh}

也就是消耗 1.51.5 度電。

每度電收費 2.52.5 元,因此電費為:

電費=1.5×2.5=3.75 元\text{電費}=1.5\times 2.5=3.75\text{ 元}

選項分析

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第 2 題2 分

某電路如右圖所示,請問電阻 RAR_A 及 RBR_B 分別為多少歐姆(Ω\Omega)?

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核心觀念

本題考查:

  • 接地節點電壓判定
  • 基爾霍夫電流定律(KCL)
  • 歐姆定律
  • 電阻上的電壓降與電流方向

圖中左右兩側的中點接地,因此該節點電壓為 0 V0\text{ V}。

解題方法

1. 判定左側各節點電壓

上方 110 V110\text{ V} 電壓源上端為正端,因此上方節點:

V上=110 VV_{\text{上}}=110\text{ V}

下方 110 V110\text{ V} 電壓源上端接地、下端為負端,因此下方節點:

V下=−110 VV_{\text{下}}=-110\text{ V}

2. 求 RAR_A

上方 1Ω1\Omega 電阻中有 20 A20\text{ A} 向右流動,電阻上的電壓降為:

V=IR=20×1=20 VV=IR=20\times 1=20\text{ V}

因此 RAR_A 上端電壓為:

VA=110−20=90 VV_A=110-20=90\text{ V}

在右上節點套用 KCL,流入節點的 20 A20\text{ A} 全部流經 RAR_A 向下。

中間右側節點的電流分配為:

  • 20 A20\text{ A} 由 RAR_A 流入
  • 10 A10\text{ A} 經 RBR_B 向下流出

所以剩餘 10 A10\text{ A} 經中間的 1Ω1\Omega 電阻向左流至接地節點。

中間右側節點電壓為:

VM=10×1=10 VV_M=10\times 1=10\text{ V}

故 RAR_A 兩端電壓:

VRA=90−10=80 VV_{R_A}=90-10=80\text{ V}

因此:

RA=8020=4ΩR_A=\frac{80}{20}=4\Omega

3. 求 RBR_B

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第 3 題2 分

某電路如右圖所示,電流 II 為多少安培(A)?

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核心觀念

本題考查基爾霍夫電流定律(KCL):任一封閉電路中,所有節點的電流必須滿足

∑I流入=∑I流出\sum I_{\text{流入}}=\sum I_{\text{流出}}

只要各支路電流方向與大小已由圖標示,即可直接對整個電路套用KCL;圖中的電阻值本題不必使用。

解題方法

依圖中箭頭方向:

  • 流入電路的電流: 10+8+7+15+7=47 A10+8+7+15+7=47\text{ A}
  • 流出電路的電流: 10+3+I10+3+I

依KCL:

47=10+3+I47=10+3+I

因此

I=47−13=34 AI=47-13=34\text{ A}

故電流 II 的方向與圖示相同,向上流動。

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第 4 題2 分

某電路如右圖所示,已知 10 μF10\ \mu\mathrm{F} 電容器充電電壓為 300 伏特,請問電源電壓 EE 為多少伏特(V)?

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核心觀念

本題考查直流穩態下電容電路的「電荷守恆」。電容器充電完成後視為開路,但各內部節點仍須符合電荷守恆:

∑C(V節點−V相鄰節點)=0\sum C(V_{\text{節點}}-V_{\text{相鄰節點}})=0

圖中 B、C、DB、C、D 為浮接節點,電容值與連接關係如下:

  • 左端至 BB:18 μF18\,\mu\text{F}
  • BB 至 CC:15 μF15\,\mu\text{F}
  • CC 至 DD:10 μF10\,\mu\text{F},且 VC−VD=300 VV_C-V_D=300\text{ V}
  • DD 至右端:6 μF6\,\mu\text{F}
  • BB 至 DD:3 μF3\,\mu\text{F}

解題方法

令右端電位為 00,電源左端電位為 EE。設:

VD=xV_D=x

因為 10 μF10\,\mu\text{F} 電容左端為正、右端為負:

VC=x+300V_C=x+300

對節點 CC 套用電荷守恆:

15(VC−VB)+10(VC−VD)=015(V_C-V_B)+10(V_C-V_D)=0

代入 VC=x+300V_C=x+300:

15(x+300−VB)+10(300)=015(x+300-V_B)+10(300)=0 VB=x+500V_B=x+500

再對節點 DD 套用電荷守恆:

10(VD−VC)+6VD+3(VD−VB)=010(V_D-V_C)+6V_D+3(V_D-V_B)=0

代入各電位:

10[x−(x+300)]+6x+3[x−(x+500)]=010[x-(x+300)]+6x+3[x-(x+500)]=0 −3000+6x−1500=0-3000+6x-1500=0 x=750 Vx=750\text{ V}
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第 5 題2 分

有一台電動機接於 1002sin⁡(1000t)100\sqrt{2}\sin(1000t) 之電源,產生 P=4 kWP=4\ \mathrm{kW}、QL=8 kvarQ_L=8\ \mathrm{kvar}。若希望將其功率因數(PF)提高至 0.8,則需要並聯多少法拉(F)之電容器?

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核心觀念

本題考查交流電路的功率三角形、功率因數改善,以及並聯電容器的無效功率計算。

重要公式如下:

PF=cos⁡ϕ=PS\mathrm{PF}=\cos\phi=\frac{P}{S} Q=Ptan⁡ϕQ=P\tan\phi

其中:

  • PP:實功率,單位為 W
  • QQ:無效功率,單位為 var
  • SS:視在功率,單位為 VA
  • ϕ\phi:負載相角

感性負載的功率因數改善,是利用並聯電容器提供容性無效功率,使電源所需供應的無效功率降低。

電容器的無效功率大小為:

QC=ωCV2Q_C=\omega C V^2

其中 ω\omega 為角頻率,VV 為電源有效值電壓。

解題方法

1. 求改善後的無效功率

電動機消耗:

P=4 kWP=4\ \mathrm{kW}

原本感性無效功率為:

QL=8 kvarQ_L=8\ \mathrm{kvar}

改善後功率因數為:

PF2=0.8\mathrm{PF}_2=0.8

因此:

cos⁡ϕ2=0.8\cos\phi_2=0.8

由於:

sin⁡ϕ2=1−0.82=0.6\sin\phi_2=\sqrt{1-0.8^2}=0.6

所以:

tan⁡ϕ2=sin⁡ϕ2cos⁡ϕ2=0.60.8=0.75\tan\phi_2=\frac{\sin\phi_2}{\cos\phi_2} =\frac{0.6}{0.8}=0.75

改善後負載所需的無效功率為:

Q2=Ptan⁡ϕ2=4×0.75=3 kvarQ_2=P\tan\phi_2 =4\times 0.75 =3\ \mathrm{kvar}

2. 求電容器應提供的無效功率

原本電動機需要 8 kvar8\ \mathrm{kvar} 的感性無效功率,改善後只允許電源供應 3 kvar3\ \mathrm{kvar},因此電容器須補償:

QC=QL−Q2=8−3=5 kvarQ_C=Q_L-Q_2 =8-3 =5\ \mathrm{kvar}

3. 求電源有效值電壓與角頻率

電源電壓為:

v(t)=1002sin⁡(1000t)v(t)=100\sqrt{2}\sin(1000t)

與標準形式:

v(t)=Vmsin⁡(ωt)v(t)=V_m\sin(\omega t)

比較可得:

Vm=1002 VV_m=100\sqrt{2}\ \mathrm{V}

因此有效值電壓為:

V=Vm2=100 VV=\frac{V_m}{\sqrt{2}}=100\ \mathrm{V}

且:

ω=1000 rad/s\omega=1000\ \mathrm{rad/s}

4. 計算電容值

由電容器無效功率公式:

QC=ωCV2Q_C=\omega C V^2

解出:

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第 6 題2 分

有關拉氏轉換之性質,下列何者有誤?

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核心觀念

本題考查拉氏轉換的基本性質,重點包括:

  1. 線性性質
  2. 指數乘積造成的 ss 軸平移
  3. 時間延遲性質
  4. 微分的拉氏轉換,尤其是初始值項不可遺漏

設

F(s)=L[f(t)]F(s)=\mathcal{L}[f(t)]

則常用公式如下:

L[k1f1(t)+k2f2(t)]=k1F1(s)+k2F2(s)\mathcal{L}[k_1f_1(t)+k_2f_2(t)] =k_1F_1(s)+k_2F_2(s) L[eatf(t)]=F(s−a)\mathcal{L}[e^{at}f(t)]=F(s-a) L[f(t−a)u(t−a)]=e−asF(s)\mathcal{L}[f(t-a)u(t-a)] =e^{-as}F(s) L[df(t)dt]=sF(s)−f(0+)\mathcal{L}\left[\frac{df(t)}{dt}\right] =sF(s)-f(0^+)

解題方法

逐一比對各選項與拉氏轉換公式。前三項分別對應線性、頻移與時間延遲性質;第四項則必須注意微分後會產生初始值項 f(0+)f(0^+)。

因此,判斷關鍵在於選項 (D) 是否漏寫初始值。


選項分析

(A) 正確

拉氏轉換具有線性性質:

L[k1f1(t)+k2f2(t)]=k1L[f1(t)]+k2L[f2(t)]\mathcal{L}[k_1f_1(t)+k_2f_2(t)] =k_1\mathcal{L}[f_1(t)] +k_2\mathcal{L}[f_2(t)]

其中 k1,k2k_1,k_2 為常數,因此選項 (A) 正確。


(B) 正確

若

F(s)=L[f(t)]F(s)=\mathcal{L}[f(t)]

則乘上指數函數 eate^{at} 會使拉氏轉換中的變數由 ss 平移為 s−as-a:

L[eatf(t)]=∫0∞e−steatf(t) dt\mathcal{L}[e^{at}f(t)] =\int_0^\infty e^{-st}e^{at}f(t)\,dt

整理指數項:

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第 7 題2 分

某含相依電源之電路如右圖所示,試求等效電路之戴維寧電阻 RABR_{AB} 為多少歐姆(Ω\Omega)?

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核心觀念

本題考查含相依電源電路的戴維寧等效電阻。含有相依電源時,不能只將獨立電源關閉後直接合併電阻,必須:

  1. 將獨立電壓源 20 V20\text{ V} 短路。
  2. 在端點 AA、BB 加上測試電壓 vv。
  3. 求出流入電路的測試電流 iti_t。
  4. 使用
RAB=vitR_{AB}=\frac{v}{i_t}

解題方法

將 20 V20\text{ V} 獨立電壓源短路,因此左側 2 kΩ2\text{ k}\Omega 電阻的左端接地。

相依電壓源標示為 3v3v,上端為正,所以其上端電壓為

vx=3vv_x=3v

圖中電流 ii 的方向為由左向右,故

i=0−vx2 kΩ=−3v2000i=\frac{0-v_x}{2\text{ k}\Omega} =\frac{-3v}{2000}

右側電路包含 20Ω20\Omega 電阻及向下的相依電流源 20i20i,兩者皆承受端電壓 vv。

流入電路的測試電流為

it=v20+20ii_t=\frac{v}{20}+20i

代入 i=−3v/2000i=-3v/2000:

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第 8 題2 分

有一個 1ϕ3W1\phi3W 供電系統如右圖所示,請問若中性線斷裂造成開路時,下列何者負載會燒損?

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核心觀念

本題考查單相三線式(1ϕ3W1\phi 3W)供電系統的中性線斷線現象。

正常時:

  • 負載 A 接在上方火線與中性線之間,額定電壓為 110 V110\text{ V}。
  • 負載 B 接在中性線與下方火線之間,額定電壓為 110 V110\text{ V}。
  • 上、下兩端火線之間的電壓為 220 V220\text{ V}。

中性線斷線後,A、B 兩負載會串聯接在 220 V220\text{ V} 電源上,電壓將依負載電阻比例分配。

解題方法

先由額定資料求兩負載電阻:

RA=VA2PA=11021000=12.1 ΩR_A=\frac{V_A^2}{P_A} =\frac{110^2}{1000} =12.1\ \Omega RB=VB2PB=1102100=121 ΩR_B=\frac{V_B^2}{P_B} =\frac{110^2}{100} =121\ \Omega

中性線斷線後,A 與 B 串聯,因此總電阻為

Rtotal=RA+RB=12.1+121=133.1 ΩR_{\text{total}}=R_A+R_B =12.1+121 =133.1\ \Omega

串聯電流為

I=220133.1≈1.65 AI=\frac{220}{133.1} \approx 1.65\text{ A}

各負載所承受的電壓:

VA=IRA≈1.65×12.1≈20 VV_A=IR_A \approx 1.65\times 12.1 \approx 20\text{ V}
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第 9 題2 分

如右圖之串並聯電路,試求 ii 為多少安培(A)?

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核心觀念

本題考查:

  • 電壓源建立的節點電壓關係。
  • 電阻電壓與電流的歐姆定律。
  • 受控電壓源的電壓關係。
  • 由電壓差求電阻電流。

設底部導線為參考地,並依圖中極性定義各電壓。

解題方法

左側 42 V42\text{ V} 電壓源使 9Ω9\Omega 電阻左端電壓為 42 V42\text{ V},因此

v1=42−V1v_1=42-V_1

其中 V1V_1 為 9Ω9\Omega 電阻右端節點電壓,所以

V1=42−v1V_1=42-v_1

圖中的 15 V15\text{ V} 電壓源左正右負,故

V1−V2=15V_1-V_2=15

受控電壓源上正下負,電壓為 2v12v_1,因此

V2=2v1V_2=2v_1

代入電壓源關係:

(42−v1)−2v1=15(42-v_1)-2v_1=15 42−3v1=1542-3v_1=15 v1=9 Vv_1=9\text{ V}

因此

V2=2v1=18 VV_2=2v_1=18\text{ V}
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第 10 題2 分

有一 10 mH10\ \mathrm{mH} 電感器,通過之電流為 5sin⁡(200t) mA5\sin(200t)\ \mathrm{mA},試求此電感器的端電壓 vL(t)v_L(t) 為何?

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核心觀念

  1. 電感器的時域伏安特性(v−iv-i 特性關係): 電感器兩端的感應電壓與通過其電流的時間變化率成正比,符合微分關係: vL(t)=LdiL(t)dtv_L(t) = L \frac{di_L(t)}{dt}
  2. 三角函數的微分運算: ddtsin⁡(ωt)=ωcos⁡(ωt)\frac{d}{dt}\sin(\omega t) = \omega \cos(\omega t)
  3. 單位與前綴詞(SI Prefixes)換算:
  • 毫(m\mathrm{m})=10−3= 10^{-3}
  • 電感量單位為亨利(H\mathrm{H})、電流為安培(A\mathrm{A})、電壓為伏特(V\mathrm{V})。

解題方法

步驟一:整理已知條件

  • 電感量:L=10 mH=10×10−3 HL = 10\ \mathrm{mH} = 10 \times 10^{-3}\ \mathrm{H}
  • 電流:iL(t)=5sin⁡(200t) mA=5×10−3sin⁡(200t) Ai_L(t) = 5\sin(200t)\ \mathrm{mA} = 5 \times 10^{-3}\sin(200t)\ \mathrm{A}
  • 角頻率:ω=200 rad/s\omega = 200\ \mathrm{rad/s}

步驟二:求電流對時間的一階導數 diL(t)dt\frac{di_L(t)}{dt} diL(t)dt=ddt[5×10−3sin⁡(200t)]=5×10−3×200cos⁡(200t)=1.0cos⁡(200t) A/s\frac{di_L(t)}{dt} = \frac{d}{dt}\left[ 5 \times 10^{-3} \sin(200t) \right] = 5 \times 10^{-3} \times 200 \cos(200t) = 1.0 \cos(200t)\ \mathrm{A/s}

步驟三:代入電感器端電壓公式 vL(t)=LdiL(t)dt=(10×10−3 H)×[1.0cos⁡(200t) A/s]=10×10−3cos⁡(200t) Vv_L(t) = L \frac{di_L(t)}{dt} = (10 \times 10^{-3}\ \mathrm{H}) \times [1.0 \cos(200t)\ \mathrm{A/s}] = 10 \times 10^{-3}\cos(200t)\ \mathrm{V}

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第 11 題2 分

某電路如右圖。若 v1(0−)=6 Vv_1(0^-)=6\ \mathrm{V}、i1(0−)=1 Ai_1(0^-)=1\ \mathrm{A},且開關在 t=0t=0 時打開,下列何者正確?

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核心觀念

本題考查切換瞬間儲能元件的連續性:

  • 電容電壓不能瞬間跳變: v1(0+)=v1(0−)=6 Vv_1(0^+)=v_1(0^-)=6\text{ V}
  • 電感電流不能瞬間跳變: i1(0+)=i1(0−)=1 Ai_1(0^+)=i_1(0^-)=1\text{ A}
  • 開關打開後,左側 24 V24\text{ V} 電源與電路右側分離,但電感與電容的初始狀態仍須遵守上述連續條件。

解題方法

開關於 t=0t=0 打開後,中央節點只連接兩條支路,因此依照 KCL:

i1+i2=0i_1+i_2=0

已知電感電流方向 i1i_1 向下,且

i1(0+)=1 Ai_1(0^+)=1\text{ A}

所以

i2(0+)=−1 Ai_2(0^+)=-1\text{ A}

接著求 v2(0+)v_2(0^+)。

電感下方串聯 12Ω12\Omega 電阻中的電流為 1 A1\text{ A},因此電阻上端對地電壓為

VR=i1(0+)×12Ω=12 VV_R=i_1(0^+)\times 12\Omega=12\text{ V}

右側 12Ω12\Omega 電阻的電流為 i2(0+)=−1 Ai_2(0^+)=-1\text{ A},其左端中央節點電壓為

V中央−v1(0+)=i2(0+)×12ΩV_{\text{中央}}-v_1(0^+)=i_2(0^+)\times12\Omega

代入數值:

V中央−6=(−1)(12)V_{\text{中央}}-6=(-1)(12)

V中央=−6 VV_{\text{中央}}=-6\text{ V}

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第 12 題2 分

試求右圖電路 RABR_{AB} 為多少歐姆(Ω\Omega)?

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核心觀念

本題考查「無窮梯形電阻網路」的自我相似性,以及串聯、並聯等效電阻:

  • 串聯:Req=R1+R2R_{\text{eq}}=R_1+R_2
  • 並聯:Req=R1R2R1+R2\displaystyle R_{\text{eq}}=\frac{R_1R_2}{R_1+R_2}
  • 無窮網路可利用「去掉最前端後,剩餘部分與原網路等效」建立方程式。

解題方法

設從第一組上下節點看進去的無窮梯形網路等效電阻為 RR。

第一組 6Ω6\Omega 電阻,與右側路徑的兩個 4Ω4\Omega 電阻及剩餘無窮網路串聯,因此:

R=6∥(4+R+4)R=6\parallel(4+R+4)

所以:

R=6(R+8)R+14R=\frac{6(R+8)}{R+14}

整理得:

R(R+14)=6(R+8)R(R+14)=6(R+8) R2+14R=6R+48R^2+14R=6R+48 R2+8R−48=0R^2+8R-48=0

因式分解:

(R+12)(R−4)=0(R+12)(R-4)=0

電阻等效值取合理的正值:

R=4ΩR=4\Omega
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第 13 題2 分

右圖電路已知 v(0)=12 Vv(0)=12\ \mathrm{V},求 t>0t>0 時之 i(t)i(t) 為何?

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核心觀念

本題考查一階 RC 電路的自然響應,以及:

  1. 電容電流—電壓關係 iC(t)=Cdv(t)dti_C(t)=C\frac{dv(t)}{dt}

  2. 受控電壓源的電壓關係 vd=2iv_d=2i

  3. 由節點電壓法建立電路微分方程。

電容值為 C=18 FC=\frac{1}{8}\,\mathrm{F},且電容兩端電壓為 v(t)v(t)。


解題方法

以下端節點作為參考地,電容上端節點電壓即為 vv。

受控電壓源上端電壓為 2i2i,因此流經左側 6Ω6\Omega 電阻、由電容上端流出的電流為

v−2i6\frac{v-2i}{6}

右側 3Ω3\Omega 電阻電流為

v3\frac{v}{3}

依題圖,ii 為流過電容向下的電流。對上方節點套用 KCL:

i+v3+v−2i6=0i+\frac{v}{3}+\frac{v-2i}{6}=0

乘以 66 化簡:

6i+2v+v−2i=06i+2v+v-2i=0 4i+3v=04i+3v=0

因此

i=−34vi=-\frac{3}{4}v

又因為

i=Cdvdt=18dvdti=C\frac{dv}{dt} =\frac{1}{8}\frac{dv}{dt}

所以

18dvdt=−34v\frac{1}{8}\frac{dv}{dt}=-\frac{3}{4}v dvdt=−6v\frac{dv}{dt}=-6v

已知 v(0)=12 Vv(0)=12\,\mathrm{V},故

v(t)=12e−6t Vv(t)=12e^{-6t}\,\mathrm{V}

因此

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第 14 題2 分

試求右圖電路 RABR_{AB} 為多少歐姆(Ω\Omega)?

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核心觀念

本題考查電阻網路的對稱性與串、並聯等效電阻。

電路以 AA、BB 為對稱端點:

  • AA 到 CC、CC 到 BB 皆為 2Ω2\Omega
  • AA 到 DD、DD 到 BB 皆為 3Ω3\Omega
  • CC 到 DD 為 2Ω2\Omega
  • AA 到 BB 另有 12Ω12\Omega

由於 AA、BB 兩端結構完全對稱,接上測試電壓後,對稱位置的節點 CC、DD 電位相同,因此 CC、DD 之間的 2Ω2\Omega 電阻沒有電流通過,可視為不影響等效電阻。

解題方法

AA 到 BB 共有三條並聯路徑:

第一條經由 CC:

R1=2+2=4ΩR_1=2+2=4\Omega

第二條經由 DD:

R2=3+3=6ΩR_2=3+3=6\Omega

第三條為直接連接的 12Ω12\Omega 電阻:

R3=12ΩR_3=12\Omega

因此

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第 15 題2 分

有一個 RLC 串聯電路,輸入電源 v(t)v(t) 為 10sin⁡(2t) V10\sin(2t)\ \mathrm{V},R=3 ΩR=3\ \Omega、L=3 HL=3\ \mathrm{H}、C=0.25 FC=0.25\ \mathrm{F}。有關此 RLC 串聯電路之功率因數,下列何者正確?

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核心觀念

本題考查 RLC 串聯電路之交流穩態分析 與 功率因數(Power Factor, PF) 的計算與性質判斷。

  1. 角頻率與電抗定義:
  • 角頻率 ω\omega:由電源電壓 v(t)=Vmsin⁡(ωt+θv)v(t) = V_m \sin(\omega t + \theta_v) 可直接導出角頻率 ω\omega。
  • 感抗:XL=ωLX_L = \omega L
  • 容抗:XC=1ωCX_C = \frac{1}{\omega C}
  1. 等效阻抗(Impedance): 在 RLC 串聯電路中,總阻抗相量為: Z=R+j(XL−XC)=∣Z∣∠θZ = R + j(X_L - X_C) = |Z| \angle \theta 阻抗大小為 ∣Z∣=R2+(XL−XC)2|Z| = \sqrt{R^2 + (X_L - X_C)^2},阻抗角為 θ=tan⁡−1(XL−XCR)\theta = \tan^{-1}\left(\frac{X_L - X_C}{R}\right)。
  2. 功率因數(PF)及其超前/落後:
  • 功率因數大小定義為阻抗角的餘弦值:PF=cos⁡θ=R∣Z∣\text{PF} = \cos\theta = \frac{R}{|Z|}。
  • 超前與落後之判定標準:一律以電流相位相對於電壓相位為基準。
  • 若 XL>XCX_L > X_C(電路呈感性),電流相位落後電壓相位,稱為落後功率因數(Lagging PF)。
  • 若 XC>XLX_C > X_L(電路呈容性),電流相位超前電壓相位,稱為超前功率因數(Leading PF)。

解題方法

步驟一:求電源角頻率 ω\omega 與感抗、容抗

由輸入電源 v(t)=10sin⁡(2t) Vv(t) = 10\sin(2t)\ \mathrm{V} 可知角頻率: ω=2 rad/s\omega = 2\ \mathrm{rad/s}

代入電路元件參數計算感抗 XLX_L 與容抗 XCX_C: XL=ωL=2×3=6 ΩX_L = \omega L = 2 \times 3 = 6\ \Omega XC=1ωC=12×0.25=2 ΩX_C = \frac{1}{\omega C} = \frac{1}{2 \times 0.25} = 2\ \Omega

步驟二:計算總等效阻抗 ZZ 與大小 ∣Z∣|Z|

RLC 串聯電路的總阻抗為: Z=R+j(XL−XC)=3+j(6−2)=3+j4 ΩZ = R + j(X_L - X_C) = 3 + j(6 - 2) = 3 + j4\ \Omega

計算阻抗大小 ∣Z∣|Z|: ∣Z∣=32+42=9+16=5 Ω|Z| = \sqrt{3^2 + 4^2} = \sqrt{9 + 16} = 5\ \Omega

步驟三:計算功率因數並判斷超前/落後

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第 16 題2 分

試求右圖電路 ii 為多少安培(A)?

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核心觀念

本題考查:

  • 節點電壓法
  • 歐姆定律
  • 受控電壓源與受控電流源
  • 受控源控制量 ii 的代入

以下以下端節點 BB 為接地,令其電位為 0 V0\ \text{V}。

左側 30 V30\ \text{V} 電壓源上端電位為 30 V30\ \text{V};右側 9 V9\ \text{V} 電壓源上端電位為 9 V9\ \text{V}。

設 4Ω4\Omega 與 2Ω2\Omega 之間的節點電壓為 V1V_1,節點 AA 電壓為 VAV_A。


解題方法

由 4Ω4\Omega 電阻上的電流 ii:

i=30−V14i=\frac{30-V_1}{4}

因此:

V1=30−4iV_1=30-4i

中間支路的受控電壓源標示為 2i2i,且上正下負,因此其上端電位為:

2i2i

對節點 V1V_1 寫 KCL

流出節點 V1V_1 的電流總和為零:

V1−304+V1−VA2+V1−2i6=0\frac{V_1-30}{4} +\frac{V_1-V_A}{2} +\frac{V_1-2i}{6}=0

代入 V1=30−4iV_1=30-4i:

−i+30−4i−VA2+30−6i6=0-i+\frac{30-4i-V_A}{2} +\frac{30-6i}{6}=0

整理得:

VA=50−12iV_A=50-12i

對節點 AA 寫 KCL

流出節點 AA 的電流為:

  • 經 2Ω2\Omega 電阻:VA−V12\dfrac{V_A-V_1}{2}
  • 經右側 1Ω1\Omega 電阻:VA−9V_A-9
  • 受控電流源方向向上,電流流入節點 AA,所以流出方向為 −2i-2i

因此:

VA−V12+(VA−9)−2i=0\frac{V_A-V_1}{2}+(V_A-9)-2i=0
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第 17 題2 分

RLC 並聯電路中,R=100 kΩR=100\ \mathrm{k}\Omega、L=10 mHL=10\ \mathrm{mH}、C=10 nFC=10\ \mathrm{nF},請問此電路諧振頻率為多少赫茲(Hz)?

這一題的完整詳解

核心觀念

  1. RLC 並聯電路之諧振條件: 在理想 RLC 並聯電路中,當電路的總導納(Admittance)虛部為零(即電感導納與電容導納相互抵消,輸入阻抗呈現純電阻性,功率因數 PF=1PF = 1)時,電路發生諧振。
  2. 諧振頻率公式:
  • 角諧振頻率: ω0=1LC(rad/s)\omega_0 = \frac{1}{\sqrt{LC}}\quad (\mathrm{rad/s})
  • 諧振頻率(單位:Hz\mathrm{Hz}): f0=ω02π=12πLC(Hz)f_0 = \frac{\omega_0}{2\pi} = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}\quad (\mathrm{Hz})
  1. 單位前綴換算:
  • 毫(m\mathrm{m})=10−3= 10^{-3}
  • 奈(n\mathrm{n})=10−9= 10^{-9}
  • 仟(k\mathrm{k})=103= 10^{3}

解題方法

步驟一:整理已知數值並轉換為標準單位(SI 制)

  • 電感值 L=10 mH=10×10−3 H=10−2 HL = 10\ \mathrm{mH} = 10 \times 10^{-3}\ \mathrm{H} = 10^{-2}\ \mathrm{H}
  • 電容值 C=10 nF=10×10−9 F=10−8 FC = 10\ \mathrm{nF} = 10 \times 10^{-9}\ \mathrm{F} = 10^{-8}\ \mathrm{F}
  • 電阻值 R=100 kΩR = 100\ \mathrm{k}\Omega(理想 RLC 並聯電路的諧振頻率由 LL 與 CC 決定,與並聯電阻 RR 無關,此為干擾條件)

步驟二:計算角諧振頻率 ω0\omega_0 ω0=1LC=110−2×10−8=110−10=110−5=105 rad/s\omega_0 = \frac{1}{\sqrt{LC}} = \frac{1}{\sqrt{10^{-2} \times 10^{-8}}} = \frac{1}{\sqrt{10^{-10}}} = \frac{1}{10^{-5}} = 10^5\ \mathrm{rad/s}

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第 18 題2 分

有關電容器與電感器之儲存能量表示式,下列何者正確?

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核心觀念

本題旨在考查基本儲能元件(電容器與電感器)之瞬時功率積分與儲存能量(Stored Energy)數學表示式。

  1. 電容器(Capacitor)的儲能推導:
  • 電流與端電壓之關係為 i(t)=Cdv(t)dti(t) = C \frac{dv(t)}{dt}。
  • 瞬時輸入功率為 pC(t)=v(t)⋅i(t)=Cv(t)dv(t)dtp_C(t) = v(t) \cdot i(t) = C v(t) \frac{dv(t)}{dt}。
  • 自初始無能量狀態(電壓為 00)至時刻 tt(電壓為 v(t)v(t)),電容器所儲存之電場能量為: WC(t)=∫0tpC(τ) dτ=∫0v(t)Cv dv=12Cv2(t)W_C(t) = \int_0^t p_C(\tau) \, d\tau = \int_0^{v(t)} C v \, dv = \frac{1}{2} C v^2(t)
  • 配合電荷關係式 q(t)=Cv(t)q(t) = C v(t),電容儲能亦可表示為: WC(t)=12Cv2(t)=12q(t)v(t)=q2(t)2CW_C(t) = \frac{1}{2} C v^2(t) = \frac{1}{2} q(t) v(t) = \frac{q^2(t)}{2C}
  1. 電感器(Inductor)的儲能推導:
  • 端電壓與電流之關係為 v(t)=Ldi(t)dtv(t) = L \frac{di(t)}{dt}。
  • 瞬時輸入功率為 pL(t)=v(t)⋅i(t)=Li(t)di(t)dtp_L(t) = v(t) \cdot i(t) = L i(t) \frac{di(t)}{dt}。
  • 自初始無能量狀態(電流為 00)至時刻 tt(電流為 i(t)i(t)),電感器所儲存之磁場能量為: WL(t)=∫0tpL(τ) dτ=∫0i(t)Li di=12Li2(t)W_L(t) = \int_0^t p_L(\tau) \, d\tau = \int_0^{i(t)} L i \, di = \frac{1}{2} L i^2(t)
  • 配合磁通鏈關係式 λ(t)=Li(t)\lambda(t) = L i(t),電感儲能亦可表示為: WL(t)=12Li2(t)=12λ(t)i(t)=λ2(t)2LW_L(t) = \frac{1}{2} L i^2(t) = \frac{1}{2} \lambda(t) i(t) = \frac{\lambda^2(t)}{2L}

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第 19 題2 分

如右圖所示,有一發電機(內阻為 300 Ω300\ \Omega)供給負載 ZLZ_L(阻抗為 30+j40 Ω30+j40\ \Omega)。現以一 XLX_L 及 XCX_C 匹配電路,使負載 ZLZ_L 獲得最大功率,請問此匹配電路 XLX_L 及 XCX_C 分別為多少歐姆(Ω\Omega)?

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核心觀念

本題考查交流電路的最大功率傳輸定理:

負載阻抗 ZLZ_L 要獲得最大功率,須滿足

Zth=ZL∗Z_{\text{th}}=Z_L^*

已知

ZL=30+j40 ΩZ_L=30+j40\ \Omega

因此其共軛阻抗為

ZL∗=30−j40 ΩZ_L^*=30-j40\ \Omega

將電壓源短路後,從負載端看入的戴維寧阻抗為:

  • jXLjX_L 與
  • 300 Ω300\ \Omega 和 −jXC-jX_C 的並聯阻抗

即

Zth=jXL+(300∥(−jXC))Z_{\text{th}}=jX_L+\left(300\parallel(-jX_C)\right)

解題方法

先計算並聯阻抗:

300∥(−jXC)=300(−jXC)300−jXC300\parallel(-jX_C) =\frac{300(-jX_C)}{300-jX_C}

分母有理化得

300∥(−jXC)=300XC290000+XC2−j90000XC90000+XC2300\parallel(-jX_C) = \frac{300X_C^2}{90000+X_C^2} -j\frac{90000X_C}{90000+X_C^2}

因為要使

Zth=30−j40Z_{\text{th}}=30-j40

比較實部:

300XC290000+XC2=30\frac{300X_C^2}{90000+X_C^2}=30 300XC2=30(90000+XC2)300X_C^2=30(90000+X_C^2) 270XC2=2700000270X_C^2=2700000 XC2=10000X_C^2=10000

因此

XC=100 ΩX_C=100\ \Omega

代回並聯阻抗:

300∥(−j100)=30−j90 Ω300\parallel(-j100) = 30-j90\ \Omega

再加入串聯電抗 jXLjX_L:

Zth=jXL+30−j90Z_{\text{th}}=jX_L+30-j90

要求其虛部等於 −j40-j40:

XL−90=−40X_L-90=-40 XL=50 ΩX_L=50\ \Omega

所以

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第 20 題2 分

有一 RL 串聯電路,輸入電源 v(t)v(t) 為 200sin⁡(3t) V200\sin(3t)\ \mathrm{V},電阻值為 8 Ω8\ \Omega,電感值為 2 H2\ \mathrm{H},試求穩態電流 i(t)i(t) 為多少安培(A)?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查**交流穩態電路分析(Phasor 相量法)**與 RLRL 串聯電路之總阻抗計算。涉及的重要觀念與公式如下:

  1. 正弦波訊號參數:由 v(t)=Vmsin⁡(ωt+θv)v(t) = V_m\sin(\omega t + \theta_v) 可得振幅 VmV_m 及角頻率 ω\omega。
  2. 感抗公式:XL=ωLX_L = \omega L(單位:Ω\Omega)。
  3. RLRL 串聯電路總阻抗: Z=R+jXL=∣Z∣∠θZ\mathbf{Z} = R + jX_L = |\mathbf{Z}|\angle\theta_Z 其中大小 ∣Z∣=R2+XL2|\mathbf{Z}| = \sqrt{R^2 + X_L^2},阻抗角 θZ=tan⁡−1(XLR)\theta_Z = \tan^{-1}\left(\frac{X_L}{R}\right)。
  4. 交流歐姆定律(相量式): I=VZ=Vm∠θv∣Z∣∠θZ=Vm∣Z∣∠(θv−θZ)\mathbf{I} = \frac{\mathbf{V}}{\mathbf{Z}} = \frac{V_m\angle\theta_v}{|\mathbf{Z}|\angle\theta_Z} = \frac{V_m}{|\mathbf{Z}|}\angle(\theta_v - \theta_Z)
  5. 時域轉換:穩態電流 i(t)=Imsin⁡(ωt+θi)i(t) = I_m\sin(\omega t + \theta_i)。

解題方法

步驟一:求角頻率 ω\omega 與感抗 XLX_L 由輸入電壓 v(t)=200sin⁡(3t) Vv(t) = 200\sin(3t)\ \mathrm{V} 可知:

  • 電壓振幅 Vm=200 VV_m = 200\ \mathrm{V},初相角 θv=0∘\theta_v = 0^\circ
  • 角頻率 ω=3 rad/s\omega = 3\ \mathrm{rad/s}

計算感抗值: XL=ωL=3×2=6 ΩX_L = \omega L = 3 \times 2 = 6\ \Omega

步驟二:求電路總阻抗 Z\mathbf{Z} 電阻 R=8 ΩR = 8\ \Omega,感抗 XL=6 ΩX_L = 6\ \Omega:

  • 總阻抗大小: ∣Z∣=R2+XL2=82+62=64+36=100=10 Ω|\mathbf{Z}| = \sqrt{R^2 + X_L^2} = \sqrt{8^2 + 6^2} = \sqrt{64 + 36} = \sqrt{100} = 10\ \Omega
  • 阻抗相角: θZ=tan⁡−1(XLR)=tan⁡−1(68)=tan⁡−1(0.75)≈36.9∘\theta_Z = \tan^{-1}\left(\frac{X_L}{R}\right) = \tan^{-1}\left(\frac{6}{8}\right) = \tan^{-1}(0.75) \approx 36.9^\circ
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第 21 題2 分

有一負載阻抗為 10∠60∘ Ω10\angle60^\circ\ \Omega,電壓為 20∠0∘ V20\angle0^\circ\ \mathrm{V}。有關此負載之資訊,下列何者有誤?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查交流穩態電路的功率計算與功率因數(Power Factor, PF)分析,重點包含以下定義與公式:

  1. 複數功率(Complex Power, S\mathbf{S}): S=VI∗=∣V∣2Z∗=P+jQ=S∠θ\mathbf{S} = \mathbf{V}\mathbf{I}^* = \frac{|\mathbf{V}|^2}{Z^*} = P + jQ = S\angle\theta
  • 視在功率(Apparent Power):S=∣S∣=∣V∣∣I∣S = |\mathbf{S}| = |\mathbf{V}||\mathbf{I}|(單位:VA\mathrm{VA})
  • 平均功率/實功率(Real Power):P=Re⁡(S)=Scos⁡θP = \operatorname{Re}(\mathbf{S}) = S\cos\theta(單位:W\mathrm{W})
  • 虛功率/無效功率(Reactive Power):Q=Im⁡(S)=Ssin⁡θQ = \operatorname{Im}(\mathbf{S}) = S\sin\theta(單位:var\mathrm{var})
  1. 功率因數(PF)與性質: PF=cos⁡θ=cos⁡(θv−θi)\mathrm{PF} = \cos\theta = \cos(\theta_v - \theta_i)
  • 當阻抗角 θ>0\theta > 0(負載呈電感性),電流相位落後電壓相位,功率因數為落後(Lagging)。
  • 當阻抗角 θ<0\theta < 0(負載呈電容性),電流相位超前電壓相位,功率因數為超前(Leading)。

解題方法

步驟一:由歐姆定律求得負載電流相量 I\mathbf{I} 已知負載電壓 V=20∠0∘ V\mathbf{V} = 20\angle0^\circ\ \mathrm{V},負載阻抗 Z=10∠60∘ ΩZ = 10\angle60^\circ\ \Omega: I=VZ=20∠0∘10∠60∘=2∠−60∘ A\mathbf{I} = \frac{\mathbf{V}}{Z} = \frac{20\angle0^\circ}{10\angle60^\circ} = 2\angle-60^\circ\ \mathrm{A}

步驟二:計算複數功率 S\mathbf{S} 取電流之共軛複數 I∗=2∠60∘ A\mathbf{I}^* = 2\angle60^\circ\ \mathrm{A}: S=VI∗=(20∠0∘)×(2∠60∘)=40∠60∘ VA\mathbf{S} = \mathbf{V}\mathbf{I}^* = (20\angle0^\circ) \times (2\angle60^\circ) = 40\angle60^\circ\ \mathrm{VA}

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第 22 題2 分

右圖為正相序三相電路。若 VABV_{AB} 為 2202sin⁡(120πt) V220\sqrt{2}\sin(120\pi t)\ \mathrm{V},試求電流 II 之瞬時值為多少安培(A)?

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核心觀念

本題考查平衡三相電路、Δ−Y\Delta-Y 等效轉換、相電壓與線電壓的相位關係,以及正弦穩態相量分析。

圖中每一支負載阻抗為

ZΔ=12+j15 ΩZ_\Delta=12+j15\ \Omega

每條輸電線串聯阻抗為 1 Ω1\ \Omega。

解題方法

先將平衡 Δ\Delta 負載轉換為等效平衡 Y 負載:

ZY=ZΔ3=12+j153=4+j5 ΩZ_Y=\frac{Z_\Delta}{3} =\frac{12+j15}{3} =4+j5\ \Omega

因此,每相等效總阻抗為

Z總=1+(4+j5)=5+j5=52∠45∘ ΩZ_{\text{總}}=1+(4+j5)=5+j5 =5\sqrt{2}\angle45^\circ\ \Omega

已知

VAB=2202sin⁡(120πt) VV_{AB}=220\sqrt{2}\sin(120\pi t)\ \text{V}

其有效值相量為 220∠0∘220\angle0^\circ V。正相序下,線電壓 VABV_{AB} 領先相電壓 VANV_{AN} 30∘30^\circ,所以

VAN=2203∠(−30∘) VV_{AN}=\frac{220}{\sqrt{3}}\angle(-30^\circ)\ \text{V}

線電流為

IA=VANZ總=220/352∠(−30∘−45∘)I_A =\frac{V_{AN}}{Z_{\text{總}}} =\frac{220/\sqrt{3}}{5\sqrt{2}} \angle(-30^\circ-45^\circ) IA=446∠(−75∘) AI_A=\frac{44}{\sqrt{6}}\angle(-75^\circ)\ \text{A}

對平衡 Δ\Delta 負載,線電流與支路電流的關係為

IA=3IAB∠(−30∘)I_A=\sqrt{3}I_{AB}\angle(-30^\circ)

因此圖中支路電流 I=IABI=I_{AB} 為

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第 23 題2 分

已知 Van=10+j4 VV_{an}=10+j4\ \mathrm{V}、Vbn=20−j9 VV_{bn}=20-j9\ \mathrm{V}、Vcn=17+j3 VV_{cn}=17+j3\ \mathrm{V},請問 VabV_{ab} 為多少 V?

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核心觀念

本題考查電路學中三相(或多相)系統之**線電壓(Line-to-Line Voltage)與相電壓(Phase-to-Neutral Voltage)的相量定義及克希荷夫電壓定律(KVL)**應用。

在交流電路中,任意端點 aa 與 bb 相對於參考點(中性點 nn)的電位若分別為 VanV_{an} 與 VbnV_{bn},則端點 aa 對端點 bb 的線電壓 VabV_{ab} 定義為兩者之電位差: Vab=Va−Vb=Van−VbnV_{ab} = V_{a} - V_{b} = V_{an} - V_{bn}


解題方法

  1. 確定公式: 根據線電壓定義,求取 VabV_{ab} 只需將 aa 相端電壓 VanV_{an} 減去 bb 相端電壓 VbnV_{bn}: Vab=Van−VbnV_{ab} = V_{an} - V_{bn}

  2. 帶入數值進行複數相減: 已知 Van=10+j4 VV_{an} = 10 + j4\ \mathrm{V}、Vbn=20−j9 VV_{bn} = 20 - j9\ \mathrm{V}: Vab=(10+j4)−(20−j9)V_{ab} = (10 + j4) - (20 - j9)

  3. 實部與虛部分別計算: 實部=10−20=−10\text{實部} = 10 - 20 = -10 虛部=4−(−9)=4+9=13\text{虛部} = 4 - (-9) = 4 + 9 = 13

計算結果為: Vab=−10+j13 VV_{ab} = -10 + j13\ \mathrm{V}


選項分析

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第 24 題2 分

某一電路其開路電壓 VocV_{oc} 為 100∠0∘ V100\angle0^\circ\ \mathrm{V},短路電流 IscI_{sc} 為 10∠36.9∘ A10\angle36.9^\circ\ \mathrm{A},試問此電路之等效阻抗為多少歐姆(Ω\Omega)?

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核心觀念

本題考驗交流電路中戴維寧與諾頓等效阻抗的計算,以及複數極座標與直角座標的轉換。

  1. 戴維寧等效阻抗定義: 對任何線性交流單頻電路而言,由兩端點看入的戴維寧等效阻抗 ZthZ_{th} 等於端點開路電壓 VocV_{oc} 與短路電流 IscI_{sc} 之比值: Zth=VocIscZ_{th} = \frac{V_{oc}}{I_{sc}}
  2. 複數極座標運算規律: 兩極座標複數相除時,其大小相除、相位角度相減: A∠θ1B∠θ2=(AB)∠(θ1−θ2)\frac{A\angle\theta_1}{B\angle\theta_2} = \left(\frac{A}{B}\right)\angle(\theta_1 - \theta_2)
  3. 座標轉換與常用三角函數: 極座標轉換為直角座標公式為: A∠θ=Acos⁡θ+jAsin⁡θA\angle\theta = A\cos\theta + j A\sin\theta 其中特殊角 36.9∘36.9^\circ(對應 3:4:53:4:5 直角三角形)之三角函數值為: cos⁡(36.9∘)≈0.8=45\cos(36.9^\circ) \approx 0.8 = \frac{4}{5} sin⁡(36.9∘)≈0.6=35\sin(36.9^\circ) \approx 0.6 = \frac{3}{5}

解題方法

  1. 代入等效阻抗公式求解極座標: 已知開路電壓 Voc=100∠0∘ VV_{oc} = 100\angle0^\circ\ \mathrm{V},短路電流 Isc=10∠36.9∘ AI_{sc} = 10\angle36.9^\circ\ \mathrm{A}。 Zth=VocIsc=100∠0∘ V10∠36.9∘ AZ_{th} = \frac{V_{oc}}{I_{sc}} = \frac{100\angle0^\circ\ \mathrm{V}}{10\angle36.9^\circ\ \mathrm{A}} 大小相除:10010=10\frac{100}{10} = 10 角度相減:0∘−36.9∘=−36.9∘0^\circ - 36.9^\circ = -36.9^\circ 可得等效阻抗之極座標形式為: Zth=10∠−36.9∘ ΩZ_{th} = 10\angle-36.9^\circ\ \Omega

  2. 極座標轉換為直角座標: 利用歐拉公式展開: Zth=10⋅[cos⁡(−36.9∘)+jsin⁡(−36.9∘)]Z_{th} = 10 \cdot \left[ \cos(-36.9^\circ) + j\sin(-36.9^\circ) \right]

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第 25 題2 分

有關右圖雙埠網路之 ZZ 參數,下列何者正確?

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核心觀念

本題考查雙埠網路的 ZZ 參數定義:

[V1V2]=[Z11Z12Z21Z22][I1I2]\begin{bmatrix} V_1\\ V_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} Z_{11}&Z_{12}\\ Z_{21}&Z_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} I_1\\ I_2 \end{bmatrix}

其中兩埠電流皆以「流入網路」為正。圖中元件阻抗為:

  • 2Ω2\Omega 電阻:22
  • 4 H4\text{ H} 電感:sL=4ssL=4s
  • C=13 FC=\dfrac{1}{3}\text{ F} 電容:
ZC=1sC=1s(1/3)=3sZ_C=\frac{1}{sC}=\frac{1}{s(1/3)}=\frac{3}{s}

解題方法

設中間節點電壓為 VxV_x。依節點電流定律,流經電感的電流為:

IL=I1+I2I_L=I_1+I_2

因此:

Vx=(4s)(I1+I2)V_x=(4s)(I_1+I_2)

左側輸入端電壓為:

V1=2I1+VxV_1=2I_1+V_x

代入 VxV_x:

V1=(4s+2)I1+4sI2V_1=(4s+2)I_1+4sI_2

右側輸入端電壓為中間節點電壓加上電容電壓:

V2=Vx+3sI2V_2=V_x+\frac{3}{s}I_2

因此:

V2=4sI1+(4s+3s)I2V_2=4sI_1+\left(4s+\frac{3}{s}\right)I_2

與 ZZ 參數形式比較,可得:

Z11=4s+2,Z12=4sZ_{11}=4s+2,\qquad Z_{12}=4s
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第 26 題2 分

在未外加偏壓的情況下,有關 PN 接面二極體空乏區之敘述,下列何者正確?

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核心觀念 本題考查半導體物理中 PN 接面(PN Junction)在未外加偏壓(熱平衡狀態)下之物理特性,包含以下核心概念:

  1. 空間電荷區與電荷中性原理:空乏區寬度與摻雜濃度的關係(NAWp=NDWnN_A W_p = N_D W_n)。
  2. 障壁電位(Built-in Potential, V0V_0)與電位分布:內建電場方向由 N 區指向 P 區,故 N 側電位高於 P 側電位。
  3. 半導體材料能隙(Bandgap, EgE_g)對障壁電位的影響:矽(Si)材料的能隙與障壁電位均高於鍺(Ge)材料。
  4. 擴散電流與漂移電流之動態平衡:空乏區內建電場產生的障壁電位會阻礙多數載子的擴散運動,從而抑制擴散電流。

解題方法 針對 PN 接面二極體在無偏壓(熱平衡)下的電場、電位、幾何結構及載子傳輸機制進行物理特性分析:

  1. 寬度與濃度關係推導:根據電荷中性條件 qANAWp=qANDWnq A N_A W_p = q A N_D W_n,可得 Wp/Wn=ND/NAW_p / W_n = N_D / N_A,即空乏區在某一側的延伸寬度與該側摻雜濃度成反比。
  2. 障壁電位比較:材料能隙越大,本徵載子濃度 nin_i 越小,內建障壁電位 V0=VTln⁡(NANDni2)V_0 = V_T \ln\left(\frac{N_A N_D}{n_i^2}\right) 越高。矽(Si, Eg≈1.12 eVE_g \approx 1.12\text{ eV})之障壁電位(約 0.6∼0.7 V0.6 \sim 0.7\text{ V})高於鍺(Ge, Eg≈0.66 eVE_g \approx 0.66\text{ eV},約 0.2∼0.3 V0.2 \sim 0.3\text{ V})。
  3. 電位極性判斷:N 側留有帶正電的固定施體離子(ND+N_D^+),P 側留有帶負電的固定受體離子(NA−N_A^-),內建電場方向由 N 區指向 P 區。依據電場與電位關係 E⃗=−∇V\vec{E} = -\nabla V,電位沿電場方向遞減,故 N 側電位高於 P 側電位(VN>VPV_N > V_P)。
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第 27 題2 分

如右圖所示電路,已知 D1D_1、D2D_2 皆為理想二極體。若 V1=6 VV_1=6\ \mathrm{V}、V2=5 VV_2=5\ \mathrm{V},試求 IoI_o 之值為何?

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核心觀念

本題考查理想二極體的導通判斷,以及導通後的電阻網路分析。

理想二極體:

  • 導通時,二極體壓降為 0 V0\ \mathrm{V},可視為短路。
  • 截止時,電流為 00,可視為開路。

由圖可知,D1D_1、D2D_2皆由左側電壓源向右側輸送電流,導通後各自串聯 1 kΩ1\ \mathrm{k}\Omega 電阻,並共同供應右側 2 kΩ2\ \mathrm{k}\Omega 負載。


解題方法

先判斷二極體狀態。

若只有 D1D_1 導通,則電路為 6 V6\ \mathrm{V} 經 1 kΩ1\ \mathrm{k}\Omega 與 2 kΩ2\ \mathrm{k}\Omega 分壓:

Vo=6(2 kΩ1 kΩ+2 kΩ)=4 VV_o=6\left(\frac{2\ \mathrm{k}\Omega}{1\ \mathrm{k}\Omega+2\ \mathrm{k}\Omega}\right)=4\ \mathrm{V}

此時 D2D_2 左端為 5 V5\ \mathrm{V},右端因二極體理想導通端電位將高於或等於 Vo=4 VV_o=4\ \mathrm{V},因此 D2D_2 會被正向偏壓,不能截止。

所以 D1D_1、D2D_2皆導通。導通後,兩個理想二極體皆視為短路,等效電路如下:

  • 6 V6\ \mathrm{V} 經 1 kΩ1\ \mathrm{k}\Omega 接至 VoV_o
  • 5 V5\ \mathrm{V} 經 1 kΩ1\ \mathrm{k}\Omega 接至 VoV_o
  • VoV_o 經 2 kΩ2\ \mathrm{k}\Omega 接地

對輸出節點套用 KCL:

6−Vo1 kΩ+5−Vo1 kΩ=Vo2 kΩ\frac{6-V_o}{1\ \mathrm{k}\Omega} + \frac{5-V_o}{1\ \mathrm{k}\Omega} = \frac{V_o}{2\ \mathrm{k}\Omega}

兩邊乘以 2 kΩ2\ \mathrm{k}\Omega:

2(6−Vo)+2(5−Vo)=Vo2(6-V_o)+2(5-V_o)=V_o 22−4Vo=Vo22-4V_o=V_o Vo=4.4 VV_o=4.4\ \mathrm{V}

因此負載電流為

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第 28 題2 分

如右圖所示電路,已知稽納二極體之稽納電壓 VZ=9 VV_Z=9\ \mathrm{V},試求通過負載電阻 RLR_L 上之電流 ILI_L 值為何?

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核心觀念

本題考查稽納二極體(Zener diode)穩壓電路的導通判斷。

  • 稽納二極體若反向崩潰導通,負載端電壓會被鉗位為 VZ=9 VV_Z=9\text{ V}。
  • 若電路所能提供的電流不足以使稽納二極體進入崩潰區,則稽納二極體截止,電路退化為一般串聯分壓電路。

解題方法

先假設稽納二極體導通,負載電壓為 9 V9\text{ V},則負載電流為

IL=VZRL=9 V3 kΩ=3 mAI_L=\frac{V_Z}{R_L} =\frac{9\text{ V}}{3\text{ k}\Omega} =3\text{ mA}

串聯 4 kΩ4\text{ k}\Omega 電阻所能提供的總電流為

IS=14−94 kΩ=1.25 mAI_S=\frac{14-9}{4\text{ k}\Omega} =1.25\text{ mA}

但僅負載電阻就需要 3 mA3\text{ mA},已大於電源經 4 kΩ4\text{ k}\Omega 電阻所能提供的 1.25 mA1.25\text{ mA}。因此稽納二極體不可能導通,原先的 9 V9\text{ V} 穩壓假設不成立。

稽納二極體截止後,4 kΩ4\text{ k}\Omega 與 3 kΩ3\text{ k}\Omega 形成分壓,負載端電壓為

VL=14(3 kΩ4 kΩ+3 kΩ)=6 VV_L=14\left(\frac{3\text{ k}\Omega}{4\text{ k}\Omega+3\text{ k}\Omega}\right) =6\text{ V}
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第 29 題2 分

如右圖所示之理想變壓器電路,DD 為理想二極體,RL=20 ΩR_L=20\ \Omega、Vi=126sin⁡(337t) VV_i=126\sin(337t)\ \mathrm{V},則 VoV_o 平均值約為何?

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核心觀念

本題考查:

  • 理想變壓器的電壓比例
  • 理想二極體半波整流
  • 半波整流輸出電壓的平均值

圖中變壓器匝數比為 2:12:1,故取一次側:二次側電壓比為

N1:N2=2:1N_1:N_2=2:1

理想二極體導通時,輸出為二次側正半週電壓;負半週時二極體截止,輸出為 00。

解題方法

輸入電壓為

vi=126sin⁡(337t) Vv_i=126\sin(337t)\ \mathrm{V}

因此一次側電壓峰值為

Vi,m=126 VV_{i,m}=126\ \mathrm{V}

由理想變壓器電壓比例:

Vi,mVs,m=N1N2=2\frac{V_{i,m}}{V_{s,m}}=\frac{N_1}{N_2}=2

所以二次側電壓峰值為

Vs,m=1262=63 VV_{s,m}=\frac{126}{2}=63\ \mathrm{V}

經理想二極體半波整流後,輸出平均值為

Vo,avg=Vs,mπ=63π≈20.05 VV_{o,\mathrm{avg}}=\frac{V_{s,m}}{\pi} =\frac{63}{\pi} \approx 20.05\ \mathrm{V}

因此

Vo,avg≈20 VV_{o,\mathrm{avg}}\approx 20\ \mathrm{V}

其中 RL=20 ΩR_L=20\ \Omega 只影響負載電流:

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第 30 題2 分

若右圖中之電路可輸出 6.5 kHz6.5\ \mathrm{kHz} 之振盪波形,則電阻值 RR 應為何?

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核心觀念

本題考查運算放大器所構成的三段式 RC 相位移振盪器。

圖中三段 RC 網路皆由:

  • 串聯電容:C=1 pFC=1\ \mathrm{pF}
  • 對地電阻:RR

所組成。三段 RC 網路提供約 180∘180^\circ 的相位移,再配合反相運算放大器本身的 180∘180^\circ 相位反轉,使迴路總相位為 360∘360^\circ,滿足振盪條件。

三段相同 RC 網路的振盪頻率為

fo=12πRC6f_o=\frac{1}{2\pi RC\sqrt{6}}

此外,運算放大器的閉迴路增益約為

∣3 MΩ100 kΩ∣=30\left|\frac{3\ \mathrm{M}\Omega}{100\ \mathrm{k}\Omega}\right|=30

三段 RC 相位移振盪器所需的最小增益約為 2929,因此圖中增益 3030 足以滿足振盪條件。

解題方法

已知

fo=6.5 kHzf_o=6.5\ \mathrm{kHz} C=1 pF=1×10−12 FC=1\ \mathrm{pF}=1\times10^{-12}\ \mathrm{F}

由

fo=12πRC6f_o=\frac{1}{2\pi RC\sqrt{6}}

解出 RR:

R=12πfoC6R=\frac{1}{2\pi f_o C\sqrt{6}}

代入數值:

R=12π(6.5×103)(1×10−12)6R= \frac{1} {2\pi(6.5\times10^3)(1\times10^{-12})\sqrt{6}} R≈9.99×106 Ω≈10 MΩR\approx 9.99\times10^6\ \Omega \approx 10\ \mathrm{M}\Omega

因此

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第 31 題2 分

有一差動放大器之兩端輸入訊號分別為 V1=4 VV_1=4\ \mathrm{V}、V2=−4 VV_2=-4\ \mathrm{V} 時,其輸出為 80 V80\ \mathrm{V}。若輸入改為 V1=5 VV_1=5\ \mathrm{V}、V2=3 VV_2=3\ \mathrm{V} 時,其輸出為 32 V32\ \mathrm{V},則此差動放大器之共模增益 AcA_c 為下列何者?

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核心觀念

本題考查**差動放大器(Differential Amplifier)**的輸出電壓響應模型與增益定義。

  1. 差動電壓與共模電壓定義: 對於雙端輸入信號 V1V_1 與 V2V_2,其差動輸入電壓 VdV_d 與共模輸入電壓 VcV_c 分別定義為:
  • 差動輸入電壓:Vd=V1−V2V_d = V_1 - V_2
  • 共模輸入電壓:Vc=V1+V22V_c = \frac{V_1 + V_2}{2}
  1. 差動放大器總輸出電壓公式: 非理想差動放大器的輸出電壓 VOV_O 由「差動增益 AdA_d」與「共模增益 AcA_c」共同決定: VO=AdVd+AcVcV_O = A_d V_d + A_c V_c

解題方法

利用題目給定的兩組輸入與輸出數據,建立代數方程式以求解增益 AdA_d 與 AcA_c:

步驟一:分析第一組輸入數據,求差動增益 AdA_d 已知 V1=4 VV_1 = 4\ \mathrm{V}、V2=−4 VV_2 = -4\ \mathrm{V},輸出 VO=80 VV_O = 80\ \mathrm{V}。

  • 第一組差動輸入電壓:Vd1=4−(−4)=8 VV_{d1} = 4 - (-4) = 8\ \mathrm{V}
  • 第一組共模輸入電壓:Vc1=4+(−4)2=0 VV_{c1} = \frac{4 + (-4)}{2} = 0\ \mathrm{V}
  • 代入總輸出電壓公式: 80=Ad×8+Ac×080 = A_d \times 8 + A_c \times 0 8Ad=80  ⟹  Ad=108 A_d = 80 \implies A_d = 10

步驟二:分析第二組輸入數據,求共模增益 AcA_c 已知 V1=5 VV_1 = 5\ \mathrm{V}、V2=3 VV_2 = 3\ \mathrm{V},輸出 VO=32 VV_O = 32\ \mathrm{V},將已求得之 Ad=10A_d = 10 代入:

  • 第二組差動輸入電壓:Vd2=5−3=2 VV_{d2} = 5 - 3 = 2\ \mathrm{V}
  • 第二組共模輸入電壓:Vc2=5+32=4 VV_{c2} = \frac{5 + 3}{2} = 4\ \mathrm{V}
  • 代入總輸出電壓公式:
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第 32 題2 分

有關 BJT 電晶體之敘述,下列何者有誤?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查雙極性電晶體(BJT)的基本物理構造、電路符號定義、工作模式特性以及三種基本放大組態(共射極 CE、共基極 CB、共集極 CC)之電氣特性。

  1. 電路符號規定:BJT 的圖示符號中,箭號一定標示於射極(Emitter, E),箭號方向代表順向偏壓時射極電流 IEI_E 的實際流向(由 P 型半導體指向 N 型半導體)。
  2. 組態增益比較:
  • 共射極(CE):同時具有高電壓增益與高電流增益,故功率增益最高。
  • 共基極(CB):具有高電壓增益,但電流增益 α≤1\alpha \le 1。
  • 共集極(CC):具有高電流增益,但電壓增益 Av≤1A_v \le 1。
  1. 物理結構與工作區特性:
  • 集極(Collector)區的物理面積與接合面寬度較射極(Emitter)區大,目的在於提高熱散逸能力與承受逆向偏壓時的崩潰電壓。
  • BJT 工作於順向主動區(Forward-Active Mode)時,集極電流與基極電流滿足關係式 IC=βIBI_C = \beta I_B,即 ICI_C 與 IBI_B 成正比。

解題方法

本題為概念判斷題,解題切入點為比對 BJT 的符號定義與基本電氣特性:

  1. 快速鎖定符號定義:在電子學電路符號中,BJT 的箭號固定位於「射極(Emitter)」,非集極(Collector)。故選項 (D) 敘述明顯錯誤,可直接判定為正確答案。
  2. 驗證其餘選項:
  • 比較 CE、CB、CC 三種組態之功率增益 Ap≈Av×AiA_p \approx A_v \times A_i。
  • 檢視 BJT 物理構造(集極區域面積與寬度設計)。
  • 檢視順向主動區之電流公式 IC=βIBI_C = \beta I_B。

選項分析

  • (A) 正確: 功率增益定義為電壓增益與電流增益之乘積(Ap=Av⋅AiA_p = A_v \cdot A_i)。
  • 共射極(CE):AvA_v 很大、Ai=βA_i = \beta 很大,故 ApA_p 最高。
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第 33 題2 分

如右圖所示之電路,若 hre=hoe=0h_{re}=h_{oe}=0、hie=rπ=2 kΩh_{ie}=r_\pi=2\ \mathrm{k}\Omega、hfe=β=99h_{fe}=\beta=99,則 A 點與接地間的輸入阻抗 ZiZ_i 為何?

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核心觀念

本題考查 BJT 小訊號模型中的「射極退化」對輸入阻抗的影響。

已知:

  • hie=rπ=2 kΩh_{ie}=r_{\pi}=2\ \mathrm{k}\Omega
  • hfe=β=99h_{fe}=\beta=99
  • hre=hoe=0h_{re}=h_{oe}=0
  • 基極前方串聯一個 3 kΩ3\ \mathrm{k}\Omega 電阻
  • 射極接有 2 kΩ2\ \mathrm{k}\Omega 電阻

射極電阻會反映到基極端,其等效值為 (β+1)RE(\beta+1)R_E。


解題方法

由小訊號 BJT 模型,從基極看入的輸入阻抗為

Zib=rπ+(β+1)REZ_{ib}=r_{\pi}+(\beta+1)R_E

代入數值:

Zib=2 kΩ+(99+1)(2 kΩ)Z_{ib} =2\ \mathrm{k}\Omega+(99+1)(2\ \mathrm{k}\Omega) Zib=2 kΩ+200 kΩ=202 kΩZ_{ib} =2\ \mathrm{k}\Omega+200\ \mathrm{k}\Omega =202\ \mathrm{k}\Omega

A 點與基極之間另有 3 kΩ3\ \mathrm{k}\Omega 串聯電阻,因此

Zi=3 kΩ+202 kΩ=205 kΩZ_i=3\ \mathrm{k}\Omega+202\ \mathrm{k}\Omega =205\ \mathrm{k}\Omega

其中,hre=0h_{re}=0 表示反向電壓回授效應忽略;hoe=0h_{oe}=0 表示輸出導納忽略,因此 6 kΩ6\ \mathrm{k}\Omega 集極電阻不影響本題由基極看入的主要輸入阻抗計算。


選項分析

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第 34 題2 分

如右圖所示之電路,假設 hie=rπ=1000 Ωh_{ie}=r_\pi=1000\ \Omega、hfe=β=99h_{fe}=\beta=99,則其小訊號輸出阻抗 ZoZ_o 約為?

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這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查射極隨耦器(Emitter Follower)的輸出阻抗。中頻小訊號分析時:

  • 耦合電容視為短路。
  • VCCV_{CC} 為交流接地。
  • 將輸入電壓源 ViV_i 歸零,求由射極端看入的輸出阻抗。
  • 晶體管基極端被交流接地,因此射極端看入晶體管的等效電阻為
re=rπβ+1r_e=\frac{r_{\pi}}{\beta+1}

解題方法

輸入電壓源歸零後,基極為交流接地,故:

re=rπβ+1=100099+1=10 Ωr_e=\frac{r_{\pi}}{\beta+1} =\frac{1000}{99+1} =10\ \Omega

射極端同時可經由晶體管看向交流接地,也可經由射極電阻 3 kΩ3\ \text{k}\Omega 接地,因此:

Zo=re∥RE=10∥3000Z_o=r_e\parallel R_E =10\parallel 3000 Zo=10×300010+3000≈9.97 Ω≈10 ΩZ_o=\frac{10\times 3000}{10+3000} \approx 9.97\ \Omega \approx 10\ \Omega

其中 150 kΩ150\ \text{k}\Omega 電阻不影響結果,因為輸入電壓源歸零後,理想電壓源等效為短路,基極已直接成為交流接地。

選項分析

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第 35 題2 分

射極隨耦器(Emitter Follower)屬於何種負回授放大電路?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考驗負回授放大電路(Negative Feedback Amplifiers)的四種基本拓樸結構判斷,特別是「射極隨耦器」(Emitter Follower,即共集極 Common-Collector, CC 放大器)的回授型態。

負回授拓樸的判斷依據主要包含兩大部分:

  1. 輸出側取樣方式(Sampling Method):
  • 電壓取樣(並聯取樣 Shunt Sampling):將輸出電壓 vov_o 作為回授訊號取樣標的(若將輸出端接地令 vo=0v_o = 0,則回授訊號 vf=0v_f = 0)。
  • 電流取樣(串聯取樣 Series Sampling):將輸出電流 ioi_o 作為回授訊號取樣標的(若將輸出端開路令 io=0i_o = 0,則回授訊號 if=0i_f = 0)。
  1. 輸入側混合方式(Mixing Method):
  • 串聯混合(Series Mixing):回授訊號與輸入源訊號在輸入迴路中以電壓形式相加減(依據 KVL:vin=vs−vfv_{in} = v_s - v_f)。
  • 並聯混合(Shunt Mixing):回授訊號與輸入源訊號在輸入節點中以電流形式相加減(依據 KCL:iin=is−ifi_{in} = i_s - i_f)。

在國營事業與公職考試的中文稱呼中:

  • 簡稱 「串並」 代表 「輸入側串聯混合、輸出側並聯取樣」,亦即 電壓串聯負回授(Voltage-Series Feedback)。

解題方法

分析射極隨耦器(CC 放大器)的電路架構與回授訊號路徑:

  1. 輸入與輸出節點定義:
  • 輸入訊號 vsv_s 加在基極(Base, B)。
  • 輸出訊號 vov_o 取自射極(Emitter, E)。
  • 集極(Collector, C)在交流小訊號分析時為交流接地。
  1. 判斷輸出側取樣方式:
  • 射極隨耦器的輸出電壓即為射極對地電壓,即 vo=vev_o = v_e。
  • 回授訊號 vfv_f 即為射極電壓 vev_e(即 vf=vov_f = v_o)。
  • 若將輸出端對地短路(令 vo=0v_o = 0),則射極電壓 ve=0v_e = 0,導致回授訊號 vf=0v_f = 0。此特徵證明回授訊號直接擷取自輸出電壓,故輸出側為 電壓取樣(並聯取樣)。
  1. 判斷輸入側混合方式:
  • 晶體管主體(基極-射極之間)感受到的淨輸入電壓為 vbe=vb−ve=vs−vov_{be} = v_b - v_e = v_s - v_o。
  • 由輸入迴路的克希荷夫電壓定律(KVL)可知:vs=vbe+vfv_s = v_{be} + v_f(其中 vf=vov_f = v_o)。
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第 36 題2 分

在具有射極電阻及射極旁路電容的共射極放大電路中,下列敘述何者正確?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查共射極放大器中「射極電阻 RER_E」與「射極旁路電容 CEC_E」對直流工作點及交流電壓增益的影響。

判斷時必須分別建立:

  • 直流等效電路:電容視為開路。
  • 中頻交流等效電路:旁路電容視為短路。

射極電阻具有直流負回授作用,可穩定工作點;射極旁路電容則在交流時降低射極電阻對增益的負面影響。


解題方法

1. 直流分析

對直流而言,電容相當於開路,因此射極旁路電容 CEC_E 沒有直流電流通過。

直流工作點主要由偏壓電路、晶體管特性及射極電阻 RER_E 決定。射極電流增加時,射極電壓上升,使 VBEV_{BE} 降低,進而抑制集極電流增加,這就是射極電阻所形成的直流負回授。

2. 交流分析

對中頻交流而言,若 CEC_E 的容抗足夠小,可近似視為短路,使射極交流電壓接近零,射極電阻的交流負回授作用被旁路。

共射極放大器的電壓增益近似為:

  • 有射極旁路電容時:
Av≈−gm(RC∥RL)A_v \approx -g_m(R_C\parallel R_L)

其中

gm=ICVTg_m=\frac{I_C}{V_T}
  • 沒有射極旁路電容時:
Av≈−RC∥RLre+REA_v \approx -\frac{R_C\parallel R_L}{r_e+R_E}

其中

re≈VTIEr_e\approx \frac{V_T}{I_E}

由此可知,交流電壓增益會受到晶體管直流電流的影響,因為 gmg_m 與 rer_e 都由直流電流決定。


選項分析

(A) 對直流的工作點而言,旁路電容為負回授的電路

錯誤。

直流分析時,電容視為開路,旁路電容沒有作用,也不構成直流負回授。

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第 37 題2 分

下列何者是造成射極隨耦器(Emitter Follower)有良好高頻響應之原因?

這一題的完整詳解

核心觀念

射極隨耦器又稱共集極放大器(Common-Collector Amplifier),其輸入端接於基極,輸出端取自射極,集極為交流接地。

射極隨耦器的主要特性為:

  • 電壓增益接近 11,但小於 11
  • 輸入阻抗高
  • 輸出阻抗低
  • 具有良好的高頻響應
  • 可作為緩衝器使用

本題關鍵在於「米勒效應(Miller Effect)」對高頻響應的影響。

晶體管的基極—集極內部電容通常以 CμC_{\mu} 表示。若放大器電壓增益為 AvA_v,則輸入端因米勒效應所看到的等效電容約為:

Cin,M=Cμ(1−Av)C_{in,M}=C_{\mu}(1-A_v)

對於共射極放大器,AvA_v 為負值且絕對值通常很大,因此:

Cin,M=Cμ(1+∣Av∣)C_{in,M}=C_{\mu}(1+|A_v|)

輸入等效電容會大幅增加,造成高頻截止頻率降低。

射極隨耦器的電壓增益接近 11,因此:

Cin,M=Cμ(1−Av)≈CμC_{in,M}=C_{\mu}(1-A_v)\approx C_{\mu}

米勒電容不會被大幅放大,米勒效應近乎消失,因此具有良好的高頻響應。

解題方法

判斷射極隨耦器高頻性能的切入點,是觀察其電壓增益是否會造成米勒電容大幅增加。

射極隨耦器的低頻電壓增益可近似為:

Av≈RE′RE′+reA_v\approx \frac{R_E'}{R_E'+r_e}

其中:

  • RE′R_E' 為射極端所看到的等效電阻
  • re≈26 mVIEr_e\approx \dfrac{26\text{ mV}}{I_E}
  • 因為 RE′R_E' 通常遠大於 rer_e,所以 AvA_v 接近 11

因此基極—集極電容所產生的米勒等效電容為:

Cin,M=Cμ(1−Av)C_{in,M}=C_{\mu}(1-A_v)

當 Av≈1A_v\approx 1 時:

1−Av≈01-A_v\approx 0

所以米勒效應非常小,輸入端不會產生大幅增加的等效電容。由於高頻截止頻率約與等效電容成反比:

fH≈12πRinCinf_H\approx \frac{1}{2\pi R_{in}C_{in}}

等效輸入電容較小,便能使高頻截止頻率提高,改善高頻響應。

選項分析

(A) 無米勒效應

正確。

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第 38 題2 分

如右圖所示之電路,已知 Q1Q_1 FET 的 VT1=3 VV_{T1}=3\ \mathrm{V},且 K1=0.1 mA/V2K_1=0.1\ \mathrm{mA}/\mathrm{V}^2;Q2Q_2 FET 的 VT2=2 VV_{T2}=2\ \mathrm{V},且 K2=0.9 mA/V2K_2=0.9\ \mathrm{mA}/\mathrm{V}^2,試求 VoV_o 之值為何?

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這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查兩個 diode-connected FET 串聯時的電流相等,以及平方律模型:

ID=K(VGS−VT)2I_D=K(V_{GS}-V_T)^2

圖中:

  • Q1Q_1 的 source 接地、gate 與 drain 接於 VoV_o
  • Q2Q_2 的 drain 與 gate 接於 +13 V+13\text{ V},source 接於 VoV_o

兩管串聯,因此直流電流相同。

解題方法

對 Q1Q_1:

VGS1=VoV_{GS1}=V_o ID1=K1(Vo−VT1)2=0.1(Vo−3)2I_{D1}=K_1(V_o-V_{T1})^2 =0.1(V_o-3)^2

對 Q2Q_2:

VGS2=13−VoV_{GS2}=13-V_o ID2=K2(VGS2−VT2)2I_{D2}=K_2(V_{GS2}-V_{T2})^2 ID2=0.9[(13−Vo)−2]2=0.9(11−Vo)2I_{D2}=0.9[(13-V_o)-2]^2 =0.9(11-V_o)^2

因兩管串聯,ID1=ID2I_{D1}=I_{D2}:

0.1(Vo−3)2=0.9(11−Vo)20.1(V_o-3)^2=0.9(11-V_o)^2

兩邊開平方,取符合導通條件的正值:

0.1(Vo−3)=0.9(11−Vo)\sqrt{0.1}(V_o-3)=\sqrt{0.9}(11-V_o)

由於:

0.9=30.1\sqrt{0.9}=3\sqrt{0.1}

因此:

Vo−3=3(11−Vo)V_o-3=3(11-V_o) Vo−3=33−3VoV_o-3=33-3V_o 4Vo=364V_o=36 Vo=9 VV_o=9\text{ V}

選項分析

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第 39 題2 分

已知某 N 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 VGS(off)=−7 VV_{GS(\mathrm{off})}=-7\ \mathrm{V}。若此 MOSFET 工作於飽和區,且閘極對源極電壓 VGSV_{GS} 為 0 V0\ \mathrm{V} 時,汲極電流為 18 mA18\ \mathrm{mA},試問當閘極對源極電壓 VGSV_{GS} 為 −3.5 V-3.5\ \mathrm{V} 時,汲極電流 IDI_D 為何?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查 N 通道空乏型 MOSFET 在飽和區的汲極電流公式。

空乏型 MOSFET 的轉移特性可用 Shockley 方程式表示:

ID=IDSS(1−VGSVGS(off))2I_D=I_{DSS}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_{GS(\mathrm{off})}}\right)^2

其中:

  • IDSSI_{DSS}:VGS=0V_{GS}=0 時,MOSFET 工作於飽和區的汲極電流。
  • VGS(off)V_{GS(\mathrm{off})}:夾止電壓,本題為 −7 V-7\ \mathrm{V}。
  • VGSV_{GS}:閘極對源極電壓。

由題意可知:

IDSS=18 mAI_{DSS}=18\ \mathrm{mA}

解題方法

已知:

VGS(off)=−7 VV_{GS(\mathrm{off})}=-7\ \mathrm{V} VGS=−3.5 VV_{GS}=-3.5\ \mathrm{V}

代入 Shockley 方程式:

ID=18(1−−3.5−7)2mAI_D=18\left(1-\frac{-3.5}{-7}\right)^2\mathrm{mA}

先計算電壓比例:

−3.5−7=0.5\frac{-3.5}{-7}=0.5

因此:

ID=18(1−0.5)2mAI_D=18(1-0.5)^2\mathrm{mA} ID=18(0.5)2mAI_D=18(0.5)^2\mathrm{mA} ID=18×0.25mAI_D=18\times 0.25\mathrm{mA} ID=4.5 mAI_D=4.5\ \mathrm{mA}

所以正確選項為 (B)。

選項分析

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第 40 題2 分

如右圖所示,已知 rd=∞r_d=\infty、gm=5 mSg_m=5\ \mathrm{mS},則電壓增益 AVA_V 值為何?

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這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查共源極 MOSFET 放大器的中頻電壓增益。由於源極電阻 RSR_S 旁接旁路電容,在交流小訊號分析時,源極視為交流接地,因此:

AV=−gm(RD∥RL∥rd)A_V=-g_m\left(R_D\parallel R_L\parallel r_d\right)

題目給定 rd=∞r_d=\infty,故可忽略 rdr_d 的影響。

解題方法

交流等效電路中,VDDV_{DD} 視為接地,輸出耦合電容視為短路,因此汲極端所見的負載為:

RD∥RL=15 kΩ∥30 kΩR_D\parallel R_L =15\,\text{k}\Omega\parallel30\,\text{k}\Omega =15×3015+30 kΩ=10 kΩ=\frac{15\times30}{15+30}\,\text{k}\Omega =10\,\text{k}\Omega

因此電壓增益為:

AV=−gm(RD∥RL)A_V=-g_m(R_D\parallel R_L) =−(5 mS)(10 kΩ)=−50=-(5\,\text{mS})(10\,\text{k}\Omega) =-50

所以:

選項分析

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第 41 題2 分

在 CMOS 邏輯電路中,下列敘述何者正確?

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查 CMOS(互補式金氧半導體)邏輯電路中,NMOS 與 PMOS 的互補導通特性。

以最基本的 CMOS 反相器為例,NMOS 與 PMOS 的閘極連接同一個輸入訊號:

  • NMOS:輸入為高電位時導通,輸入為低電位時關閉。
  • PMOS:輸入為低電位時導通,輸入為高電位時關閉。

因此,在穩態操作下,NMOS 與 PMOS 具有互補關係:一者導通時,另一者關閉。

解題方法

判斷 CMOS 的關鍵在於兩種 MOS 元件的導通條件相反。

對於 CMOS 反相器:

輸入NMOSPMOS輸出
低電位 00關閉導通高電位 11
高電位 11導通關閉低電位 00

以輸入為高電位為例:

  1. NMOS 的閘極電壓升高,滿足導通條件,因此 NMOS 導通。
  2. PMOS 的閘極電壓相對於其源極呈高電位,未滿足導通條件,因此 PMOS 關閉。
  3. 輸出端經由 NMOS 接地,輸出為低電位。

以輸入為低電位為例:

  1. NMOS 未達到導通所需的閘源極電壓,因此關閉。
  2. PMOS 的閘極為低電位,滿足導通條件,因此 PMOS 導通。
  3. 輸出端經由 PMOS 接至電源,輸出為高電位。

故 NMOS 與 PMOS 在穩態時一開一關。

選項分析

(A) NMOS 導通時 PMOS 關閉,NMOS 關閉時 PMOS 導通

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第 42 題2 分

如右圖所示,MOSFET 數位電路輸入與輸出的關係為何?

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核心觀念

本題考查 CMOS 數位電路的互補結構:

  • NMOS 於輸入為 11 時導通,形成下拉網路。
  • PMOS 於輸入為 00 時導通,形成上拉網路。
  • 輸出 YY 被下拉至 00 的條件,決定其反相邏輯;因此先分析 NMOS 網路最直接。

解題方法

觀察右側 NMOS 下拉網路:

  1. 右側兩個 NMOS 由 AA、BB 控制,為串聯結構,因此由 YY 導通至接地的條件為 ABAB

  2. 左側 AA、BB 控制的 NMOS 為並聯結構,使內部節點 X=A+B‾=A‾ B‾X=\overline{A+B}=\overline{A}\,\overline{B}

  3. 中央 NMOS 由 XX 控制,因此另一條下拉路徑導通的條件為 X=A‾ B‾X=\overline{A}\,\overline{B}

所以,輸出被拉低的條件為

Y=0當AB+A‾ B‾=1Y=0 \quad \text{當} \quad AB+\overline{A}\,\overline{B}=1

因此輸出邏輯為其反相:

Y=AB+A‾ B‾‾Y=\overline{AB+\overline{A}\,\overline{B}}

利用德摩根定律:

Y=(A‾+B‾)(A+B)Y=(\overline{A}+\overline{B})(A+B)

化簡得

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第 43 題2 分

如右圖所示之運算放大電路,若 OPA 為理想放大器,求輸出電壓 VoV_o 為何?

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核心觀念

本題考查理想運算放大器的反相放大器與反相加法器:

  • 理想運算放大器輸入端電流為 00。
  • 負回授下,兩輸入端電壓相等。
  • 非反相端接地,因此反相端形成虛地,電壓為 0 V0\ \mathrm{V}。
  • 反相放大器公式:
Vo=−RfRinVinV_o=-\frac{R_f}{R_{in}}V_{in}

解題方法

第一級運算放大器為反相放大器,非反相端接地:

V1=−20 kΩ5 kΩ(1 V)=−4 VV_1=-\frac{20\ \mathrm{k}\Omega}{5\ \mathrm{k}\Omega}(1\ \mathrm{V}) =-4\ \mathrm{V}

第二級為反相加法器,反相端經由 5 kΩ5\ \mathrm{k}\Omega 接收 V1V_1,並經由 10 kΩ10\ \mathrm{k}\Omega 接收 −5 V-5\ \mathrm{V},回授電阻為 10 kΩ10\ \mathrm{k}\Omega。

因此:

Vo=−10 kΩ(V15 kΩ+−5 V10 kΩ)V_o =-10\ \mathrm{k}\Omega \left( \frac{V_1}{5\ \mathrm{k}\Omega} + \frac{-5\ \mathrm{V}}{10\ \mathrm{k}\Omega} \right)

代入 V1=−4 VV_1=-4\ \mathrm{V}:

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第 44 題2 分

如右圖所示之運算放大電路,若 OPA 為理想放大器,試求輸出電壓 VoV_o 為何?

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核心觀念

本題考查理想運算放大器的兩項特性:

  1. 輸入端電流為零:i+=i−=0i_+=i_-=0。
  2. 在線性負回授狀態下,虛短路成立:V+=V−V_+=V_-。

此外,正相輸入端的兩個 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 電阻形成分壓電路。

解題方法

先求正相輸入端電壓。由圖可知,正相端經 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 接至 4 V4\,\text{V},並經另一個 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 接地,因此

V+=4(10 kΩ10 kΩ+10 kΩ)=2 VV_+ =4\left(\frac{10\,\text{k}\Omega}{10\,\text{k}\Omega+10\,\text{k}\Omega}\right) =2\,\text{V}

理想運算放大器在線性負回授下,

V−=V+=2 VV_-=V_+=2\,\text{V}

在反相輸入端套用 KCL。由於運算放大器輸入電流為零,經 15 kΩ15\,\text{k}\Omega 流入的電流必須經由 30 kΩ30\,\text{k}\Omega 回授電阻流出:

2−215 kΩ+2−Vo30 kΩ=0\frac{2-2}{15\,\text{k}\Omega} + \frac{2-V_o}{30\,\text{k}\Omega} =0

因此

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第 45 題2 分

右圖為一個三級的串級放大電路,已知該串級放大電路的總功率增益 APT=100 dBA_{PT}=100\ \mathrm{dB},試求該放大電路中的 Av3A_{v3} 為何?

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核心觀念

串級放大電路的總電壓增益為各級電壓增益的乘積;以分貝表示時,總功率增益等於各級功率增益分貝值的總和。

對第 ii 級放大器:

APi=AviAiiA_{Pi}=A_{vi}A_{ii}

因此:

APT(dB)=20log⁡Av1+Ai1(dB)+20log⁡Av2+Ai2(dB)+20log⁡Av3+Ai3(dB)A_{PT(\mathrm{dB})} =20\log A_{v1}+A_{i1(\mathrm{dB})} +20\log A_{v2}+A_{i2(\mathrm{dB})} +20\log A_{v3}+A_{i3(\mathrm{dB})}

解題方法

由圖得:

Av1=125,Ai1=20 dBA_{v1}=125,\quad A_{i1}=20\ \mathrm{dB} Av2=100,Ai2=40 dBA_{v2}=100,\quad A_{i2}=40\ \mathrm{dB} Ai3=20 dBA_{i3}=20\ \mathrm{dB}

代入總功率增益 100 dB100\ \mathrm{dB}:

100=20log⁡125+20+20log⁡100+40+20log⁡Av3+20100 =20\log125+20+20\log100+40+20\log A_{v3}+20

其中:

20log⁡125≈41.94 dB20\log125\approx41.94\ \mathrm{dB} 20log⁡100=40 dB20\log100=40\ \mathrm{dB}

所以:

100=41.94+20+40+40+20log⁡Av3+20100=41.94+20+40+40+20\log A_{v3}+20 20log⁡Av3=−61.9420\log A_{v3}=-61.94
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第 46 題2 分

如右圖所示之電路,已知 K=0.75 mA/V2K=0.75\ \mathrm{mA}/\mathrm{V}^2、臨界電壓 VT=2 VV_T=2\ \mathrm{V},試求此電路互導 gmg_m 為何?

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核心觀念

本題考查自偏壓 FET 的工作點分析,以及互導定義。

由於閘極電流近似為零,RG=10 MΩR_G=10\ \text{M}\Omega 上沒有電壓降,因此閘極與汲極等電位:

VG=VDV_G=V_D

FET 的平方律公式採用:

ID=K(VGS−VT)2I_D=K(V_{GS}-V_T)^2

互導為:

gm=dIDdVGS=2K(VGS−VT)g_m=\frac{dI_D}{dV_{GS}} =2K(V_{GS}-V_T)

解題方法

電路中:

  • VDD=10 VV_{DD}=10\ \text{V}
  • RD=RS=1 kΩR_D=R_S=1\ \text{k}\Omega
  • K=0.75 mA/V2K=0.75\ \text{mA}/\text{V}^2
  • VT=2 VV_T=2\ \text{V}

以 IDI_D 使用 mA 表示,則 1 kΩ1\ \text{k}\Omega 上的電壓降數值等於 IDI_D:

VD=10−IDV_D=10-I_D VS=IDV_S=I_D

因為 VG=VDV_G=V_D,所以:

VGS=VG−VS=VD−VSV_{GS}=V_G-V_S=V_D-V_S VGS=10−2IDV_{GS}=10-2I_D

代入平方律公式:

ID=0.75[(10−2ID)−2]2I_D=0.75\left[(10-2I_D)-2\right]^2 ID=0.75(8−2ID)2I_D=0.75(8-2I_D)^2

可得符合放大區工作條件的工作點:

ID=3 mAI_D=3\ \text{mA}

因此:

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第 47 題2 分

有關各類耦合電路之敘述,下列何者有誤?

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核心觀念

本題考查三種串級放大電路的耦合方式:

  1. 直接耦合(Direct Coupling)
  2. RC 耦合(RC Coupling)
  3. 變壓器耦合(Transformer Coupling)

判斷重點包括:

  • 低頻響應
  • 阻抗匹配能力
  • 電路體積與 IC 製作適用性
  • 溫度穩定性

直接耦合以導線直接連接前級與後級,沒有耦合電容或變壓器,因此可傳遞直流與極低頻訊號;但前級的直流工作點與溫度漂移會直接影響後級。


解題方法

逐項對照各種耦合電路的主要特性:

耦合方式低頻響應阻抗匹配體積與 IC 適用性溫度穩定性
直接耦合最佳,可放大直流普通最佳,適合 IC較差
RC 耦合受耦合電容限制普通尚可較佳
變壓器耦合低頻受限最佳體積較大,不利 IC視設計而定

因此,題目所問的錯誤敘述,應是將「溫度穩定性最佳」歸給直接耦合的選項。


選項分析

(A) 低頻響應最佳的電路是直接耦合串級放大電路

正確。

RC 耦合電路的低頻響應會受到耦合電容與旁路電容影響。電容阻抗為

XC=12πfCX_C=\frac{1}{2\pi fC}

當頻率降低時,XCX_C 增大,訊號傳遞能力下降。

變壓器耦合也受到鐵心磁化電感影響,低頻時感抗降低,輸出容易衰減。

直接耦合沒有串聯耦合電容,也沒有變壓器磁化電感的限制,能傳遞直流與極低頻訊號,因此低頻響應最佳。


(B) 阻抗匹配最佳的電路是變壓器耦合串級放大電路

正確。

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第 48 題2 分

如右圖所示之電路,其功能為下列何者?

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核心觀念

圖中 OPA 的反相端接地,非反相端同時接收輸入訊號 ViV_i 與輸出回授訊號 VoV_o:

  • ViV_i 經 4 kΩ4\,\text{k}\Omega 接至 ++ 端。
  • VoV_o 經 8 kΩ8\,\text{k}\Omega 回授至 ++ 端。
  • 輸出端沒有接至反相端,因此不是線性負回授放大器,而是具有正回授的比較器。
  • 正回授會產生遲滯特性,形成「史密特觸發器」,可將緩慢或變形的輸入訊號轉換成明確的高、低電位方波,因此屬於波形整形電路。

解題方法

由於 OPA 的反相端接地,故比較條件為:

V+>V−=0⇒Vo 飽和至正電源V_+ > V_- = 0 \quad\Rightarrow\quad V_o \text{ 飽和至正電源} V+<V−=0⇒Vo 飽和至負電源V_+ < V_- = 0 \quad\Rightarrow\quad V_o \text{ 飽和至負電源}

非反相端節點套用 KCL:

Vi−V+4 kΩ+Vo−V+8 kΩ=0\frac{V_i-V_+}{4\,\text{k}\Omega} + \frac{V_o-V_+}{8\,\text{k}\Omega}=0

整理得:

V+=2Vi+Vo3V_+ = \frac{2V_i+V_o}{3}

由於 VoV_o 會回授至 ++ 端,輸出狀態會影響切換門檻:

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第 49 題2 分

右圖為一差動放大器。若 RC=50 kΩR_C=50\ \mathrm{k}\Omega、RE=200 kΩR_E=200\ \mathrm{k}\Omega、電晶體的小信號參數 β0=10\beta_0=10、gm=4 mSg_m=4\ \mathrm{mS},當 V1=0 VV_1=0\ \mathrm{V}、V2=3 mVV_2=3\ \mathrm{mV} 時,試求 Vo2V_{o2} 為何?

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核心觀念

本題考查 BJT 差動放大器的單端輸出分析。對 Q2 而言,小信號集極電流為

Δic2=gm(v2−ve)\Delta i_{c2}=g_m(v_2-v_e)

其中:

  • gm=4 mSg_m=4\ \mathrm{mS}
  • β0=10\beta_0=10
  • RC=50 kΩR_C=50\ \mathrm{k}\Omega
  • RE=200 kΩR_E=200\ \mathrm{k}\Omega
  • vev_e 為兩支電晶體共用射極點的小信號電壓

由於集極電阻接至交流地,輸出電壓為

vo2=−RCΔic2v_{o2}=-R_C\Delta i_{c2}

負號表示集極電流增加時,集極電壓下降。

解題方法

先由

rπ=β0gmr_\pi=\frac{\beta_0}{g_m}

求得

rπ=104 mS=2.5 kΩr_\pi=\frac{10}{4\ \mathrm{mS}}=2.5\ \mathrm{k}\Omega

每支 BJT 的小信號射極電流為

ie=β0+1rπ(vb−ve)i_e=\frac{\beta_0+1}{r_\pi}(v_b-v_e)

因此

β0+1rπ=112.5 kΩ=4.4 mS\frac{\beta_0+1}{r_\pi} =\frac{11}{2.5\ \mathrm{k}\Omega} =4.4\ \mathrm{mS}

對共用射極節點寫 KCL。因為 V1=0V_1=0、V2=3 mVV_2=3\ \mathrm{mV}:

veRE+4.4 mS(ve−0)+4.4 mS(ve−3 mV)=0\frac{v_e}{R_E} +4.4\ \mathrm{mS}(v_e-0) +4.4\ \mathrm{mS}(v_e-3\ \mathrm{mV})=0

代入 RE=200 kΩR_E=200\ \mathrm{k}\Omega:

ve200 kΩ+4.4 mS(2ve−3 mV)=0\frac{v_e}{200\ \mathrm{k}\Omega} +4.4\ \mathrm{mS}(2v_e-3\ \mathrm{mV})=0

解得

ve≈1.499 mVv_e\approx 1.499\ \mathrm{mV}

所以 Q2 的小信號集極電流為

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第 50 題2 分

右圖為一低通放大濾波器。若其電壓增益 A=−5A=-5 且高頻截止頻率 fh=7.96 Hzf_h=7.96\ \mathrm{Hz},試求電容 CFC_F 為何?

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核心觀念

本題考查「反相型低通放大器」的電壓增益與高頻截止頻率。

圖中輸入端電阻為 Rin=20 kΩR_{\mathrm{in}}=20\,\mathrm{k}\Omega,回授支路為 RFR_F 與 CFC_F 並聯。低頻時電容近似開路,因此電壓增益為:

Av=−RFRinA_v=-\frac{R_F}{R_{\mathrm{in}}}

高頻時,並聯電容使回授阻抗下降,形成低通特性,其截止頻率為:

fh=12πRFCFf_h=\frac{1}{2\pi R_F C_F}

解題方法

由已知電壓增益 A=−5A=-5:

−5=−RF20 kΩ-5=-\frac{R_F}{20\,\mathrm{k}\Omega}

因此:

RF=5(20 kΩ)=100 kΩR_F=5(20\,\mathrm{k}\Omega)=100\,\mathrm{k}\Omega

代入截止頻率公式:

7.96=12π(100×103)CF7.96=\frac{1}{2\pi(100\times10^3)C_F}

解得:

CF=12π(100×103)(7.96)C_F=\frac{1}{2\pi(100\times10^3)(7.96)} CF≈2.0×10−7 FC_F\approx 2.0\times10^{-7}\,\mathrm{F}

因為:

2.0×10−7 F=0.2 μF2.0\times10^{-7}\,\mathrm{F}=0.2\,\mu\mathrm{F}

選項分析

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