111 專技高考高等考試 冶金工程技師 材料科學 考古題詳解

111 年・專技高考・高等考試・冶金工程技師
試題代碼 材料科學

第 一 題20 分

請說明雙晶化(Twinning)的意涵,以及分別詳述機械雙晶(Mechanical twins)和退火雙晶(Annealing twins)的主要形成原因。

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核心觀念

本題測驗晶體結構之晶格缺陷與塑性變形/熱處理組織演化之基本觀念,涉及焦點如下:

  1. 雙晶化(Twinning)的結晶學定義:剪切應變(Shear strain)、雙晶面(Twin plane / Composition plane)、雙晶方向(Twinning direction)與鏡面對稱(Mirror symmetry)關係,及其與滑移(Slip)在原子位移量與晶格方位改變上的本質差異。
  2. 機械雙晶(Mechanical / Deformation twins):由外加剪應力所驅動,主要發生於滑移系受限(如 HCP 結構無法滿足馮米席斯準則 von Mises criterion)、極低溫或高應變速率環境,以及低疊差能(SFE)之金屬中。
  3. 退火雙晶(Annealing twins):由熱活化能驅動,發生於冷加工金屬在再結晶(Recrystallization)與晶粒成長(Grain growth)之晶界遷移過程中,因 {111}\{111\} 密排面產生堆疊意外(Stacking accidents)而形成,與金屬之疊差能(Stacking Fault Energy, SFE)高低密切相關。

解題方法

本題屬標準材料科學申論題,作答時宜採「定義明確化、機制對比化、材料結構實例化」之架構循序切入:

  1. 雙晶化意涵:先給出嚴謹的幾何結晶學定義,強調「均勻剪切」、「晶格方位改變」與「鏡面對稱」,並以其與滑移(Slip)之對比突顯其特徵。
  2. 機械雙晶之成因:從力學驅動力(外加剪應力)、變形條件(應變速率、溫度)及晶體結構限制(HCP 獨立滑移系不足、低 SFE 面心立方)深入說明變形過程中的形核與成長機制。
  3. 退火雙晶之成因:從熱力學與動力學角度切入,闡明其驅動力為儲存能釋放與介面能降低,核心機制為再結晶過程中前進晶界上的堆疊錯誤,並特別強調疊差能(SFE)在面心立方(FCC)金屬中的決定性角色。

選項分析

本題為專業科目申論題,非選擇題型。試題直接評量考生對微觀組織形成機制的統整與敘述能力,答題重點分為「雙晶化之結晶學意涵」與「兩類雙晶的形成成因與控制因素」兩大核心主軸。


解題技巧

  1. 判斷竅門(驅動力與結構對應):
  • 機械雙晶:驅動力為「機械應力(外力)」;材料典型為 HCP(如 Mg、Ti、Zn,滑移系不足,用以提供 c 軸方向應變)及低溫/高速下的 BCC(如純鐵於低溫下的紐曼帶 Neumann bands)與低 SFE 之 FCC。
  • 退火雙晶:驅動力為「熱能(晶界遷移)」;材料典型為 低疊差能(Low SFE)之 FCC(如黃銅、沃斯田鐵不銹鋼),在顯微組織中呈筆直平行的帶狀(Band)。
  1. 常見陷阱與扣分盲點:
  • 混淆雙晶與滑移:滑移的原子位移為晶格向量的整數倍,滑移後兩側晶格方位不變;雙晶的原子位移是分數向量(Fractional),雙晶區與基底呈現鏡面對稱,晶格方位已徹底轉向。
  • 誤解退火雙晶之驅動力:退火雙晶並非由熱應力直接「剪切」生成,而是在冷作後加熱退火時,晶粒邊界遷移過程中發生的「結晶構造沉積/堆疊意外(Stacking fault/accident)」。
  • 忽略疊差能的影響:高疊差能金屬(如純鋁 Al,SFE≈160 mJ/m2\text{SFE} \approx 160\text{ mJ/m}^2)極難生成退火雙晶;低疊差能金屬(如黃銅 α-brass\alpha\text{-brass}、不銹鋼,SFE<20 mJ/m2\text{SFE} < 20\text{ mJ/m}^2)則極易產生退火雙晶。

【答案】

一、雙晶化(Twinning)的意涵

  1. 結晶學定義: 雙晶化係指晶體在受到外加應力或熱處理過程中,晶格特定區域受到均勻微觀剪切(Homogeneous shear),使得該區域的原子排列與相鄰未變形的基體(Matrix),跨過特定晶面——雙晶面(Twin plane),呈現**鏡面對稱(Mirror symmetry)**的結晶學現象。該對稱交界面即為雙晶邊界(Twin boundary)。
  2. 微觀位移特徵:
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第 二 題20 分

何謂擬彈性(Pseudoelasticity)?

有一 Cu-39.8%Zn 熱彈性合金在 196 K196\ \mathrm{K} 及彈性應變範圍內,對其施加荷重(Loading)然後釋放荷重(Unloading),可獲得以下的應力-應變曲線圖,請試述其過程會發生什麼相變化?

(原卷附應力-應變曲線圖;縱軸為 Stress(MN/m2\mathrm{MN/m^2}),橫軸為 Strain(%)。)

🖼️ 本題原卷含圖表。基於試題來源之版權考量,本站不轉載原卷影像; 題目文字已完整轉錄,圖表請自行參閱考選部公告之試題原檔。

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核心觀念

擬彈性(Pseudoelasticity,又稱超彈性)是指材料在固定溫度下,受力時產生超出一般彈性變形範圍的較大應變,卸載後仍能大致恢復原形。這種恢復主要不是普通彈性變形,而是由可逆的麻田散鐵相變所造成。

圖中的 Cu-39.8%Zn 合金在 196 K196\ \mathrm{K} 下,初始為母相(β 相)。載入時,應力促使母相轉變為應力誘發麻田散鐵(stress-induced martensite, SIM);卸載時,SIM 又逆轉變回母相。麻田散鐵轉變是無擴散的協同原子位移,不需靠原子長距離擴散完成。

解題方法:依曲線階段判讀相變

  • 載入初期:母相彈性變形。 應力與應變大致呈線性增加,合金仍以母相為主。
  • 載入平台:母相轉變為 SIM。 應變明顯增加,應力增加較少;這段大變形主要來自應力誘發麻田散鐵逐漸形成、成長。
  • **載入後段:SIM 彈性變形。
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第 三 題20 分

請說明材料破裂韌性(Fracture toughness)的意涵,並詳述比較平面應力破裂韌性(Plane stress fracture toughness,KCK_C)和平面應變破裂韌性(Plane strain fracture toughness,KICK_{IC})分別與試片厚度的關係,以及試片破斷表面特徵之差異性。

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核心觀念

本題考查**線性彈性破裂力學(Linear Elastic Fracture Mechanics, LEFM)**的核心理論與應用,命題重點聚焦於以下三個面向:

  1. 破裂韌性(Fracture Toughness)之物理意涵:材料在具有銳利裂紋或缺陷時,抵抗裂紋發生不穩定擴展(脆性破裂)的能力指標。依 LEFM 理論,以臨界應力強度因子(Critical Stress Intensity Factor, KcK_c)表徵。
  2. 三向應力拘束(Constraint)與厚度效應:試片厚度(Thickness, BB)直接改變裂尖附近的應力狀態。薄件呈「平面應力(Plane Stress)」狀態,塑性區大;厚件內部受側向約束呈「平面應變(Plane Strain)」狀態,塑性區受抑制。當厚度滿足 ASTM E399 尺寸要求時,KcK_c 收斂至材料的固有常數——平面應變破裂韌性 KICK_{IC}。
  3. 破斷機制與巨觀斷口形貌特徵:由應力狀態支配的變形模式差異,導致斷口呈現剪切唇(Shear lip, 45∘45^\circ 傾斜斷裂)與平直斷面(Flat fracture, 90∘90^\circ 垂直正應力斷裂)的巨觀對比。

解題方法

本題為標準的觀念比較型申論題,作答時應採「定義 →\rightarrow 拘束效應機制與厚度關係推導 →\rightarrow 巨觀/微觀斷口特徵比較」之邏輯架構,層次分明地展開:

  1. 先確立破裂韌性之定義與數學關係式(K=YσπaK = Y\sigma\sqrt{\pi a}),說明其在工程設計上的容限判定準則。
  2. 建立厚度效應的推導脈絡:
  • 定義平面應力與平面應變之力學邊界條件。
  • 比較裂尖塑性區尺寸(Plastic Zone Size, ryr_y 或 rpr_p)之理論差異。
  • 繪製或以文字精確描述 KcK_c 與厚度 BB 之關係曲線,並帶出 ASTM E399 的有效臨界厚度公式 B≥2.5(KIC/σy)2B \ge 2.5(K_{IC}/\sigma_y)^2。
  1. 對比兩種狀態下破斷表面(Fracture Surface)特徵:分析主導應力(最大剪應力 vs. 最大主應力)、破斷角度(45∘45^\circ vs. 90∘90^\circ)以及剪切唇(Shear Lip)之佔比。

解題技巧

  1. 判斷竅門(極值常數化):緊記 KcK_c 是「試片幾何形狀相關值」,而 KICK_{IC} 是「材料固有材料性質(Material Property)」,其關係為當 BB 足夠厚時,Kc→KICK_c \rightarrow K_{IC}(最低極限值,最保守的工程設計值)。
  2. 公式背誦關鍵:ASTM E399 試片尺寸有效性準則為高頻考點,必寫出三重要件: B, a, (W−a)≥2.5(KICσy)2B,\, a,\, (W-a) \ge 2.5\left(\frac{K_{IC}}{\sigma_y}\right)^2
  3. 塑性區大小公式輔助論證:
  • 平面應力:rp≈12π(Kσy)2r_p \approx \frac{1}{2\pi}\left(\frac{K}{\sigma_y}\right)^2
  • 平面應變:rp≈16π(Kσy)2r_p \approx \frac{1}{6\pi}\left(\frac{K}{\sigma_y}\right)^2(約為平面應力的 1/31/3),由此直接證明厚板能量吸收較低、破裂韌性較小。

【答案】

一、材料破裂韌性(Fracture Toughness)之意涵

  1. 物理定義:破裂韌性是度量材料在含有預裂紋(Pre-existing sharp crack)或內在缺陷時,抵抗裂紋發生失穩快速傳播(Catastrophic brittle failure)的阻抗能力。
  2. 力學表徵:根據線性彈性破裂力學(LEFM),受力裂紋尖端的彈性應力場強度由應力強度因子(Stress Intensity Factor, KK)描述: K=YσπaK = Y\sigma\sqrt{\pi a} 其中 YY 為幾何形狀因子,σ\sigma 為遠場施加應力,aa 為裂紋長度。
  3. 破裂準則:當施加應力使裂尖的 KK 值達到該材料在特定工作環境下的臨界值時,裂紋即自發快速擴展而導致斷裂。
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第 四 題20 分

一般多晶體金屬材料經冷作加工(Cold work)後,需以退火熱處理方式來回復冷作加工前的狀況,請詳述在退火製程期間所造成不同階段微結構的改變。

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核心觀念

金屬材料經冷作加工(Cold Work, CW)後,機械能約有 90%∼95%90\% \sim 95\% 轉化為變形熱逸散,剩餘 5%∼10%5\% \sim 10\% 則以晶體缺陷畸變能(特別是差排彈性應變能)的形式儲存於金屬內部(稱為儲存應變能,Stored Strain Energy)。此時差排密度(Dislocation Density, ρ\rho)由退火態的 1010∼1012 m−210^{10} \sim 10^{12}\ \text{m}^{-2} 驟增至 1015∼1016 m−210^{15} \sim 10^{16}\ \text{m}^{-2},晶粒沿加工方向被拉長成纖維狀,導致強度與硬度上升、延展性與導電度大幅下降,並伴隨高度殘留應力。

冷作金屬處於熱力學介穩態(Metastable state)。藉由退火熱處理(Annealing)提供熱活化能,金屬會經歷三個微結構特徵截然不同的階段以釋放自由能:

  1. 回復階段(Recovery):低溫熱活化擴散,差排進行同號重排與異號湮滅,形成次晶結構,釋放殘留應力。
  2. 再結晶階段(Recrystallization):達到再結晶溫度(約 0.3∼0.5 Tm0.3 \sim 0.5\ T_m,其中 TmT_m 為絕對熔點),以殘留應變能為驅動力,成核並長出無應變的全新等軸晶粒,完全取代冷作組織。
  3. 晶粒成長階段(Grain Growth):再結晶完成後持續保溫,以降低總晶界自由能為驅動力,大晶粒吞噬小晶粒發生粗化。

解題方法

本題為冶金工程技師經典申論題,評分標準著重於考生能否清楚界定各階段的「微結構演變」、「熱力學驅動力」以及「缺陷動力學機制」。

解題切入架構如下:

  1. 前置說明:定義冷作加工後的微結構初始特徵(拉長晶粒、高差排密度、高殘留應變能),奠定後續相變化的驅動背景。
  2. 三階段微結構遞變展開:
  • 逐一剖析回復(Recovery)、再結晶(Recrystallization)與晶粒成長(Grain Growth)。
  • 各階段均由「微觀組織特徵(光學顯微鏡 OM 與穿透式電子顯微鏡 TEM 尺度)」、「晶體缺陷行為(點缺陷、差排、晶界)」與「熱力學驅動力(Driving Force)」三大維度精確說明。
  1. 整合歸納:利用微結構與性質演變對照,總結整體熱處理冶金反應。

選項分析

本題為專技高考申論題(非選擇題),無選項分析。解題的核心在於層次分明地論述三階段的顯微組織變化,避免將次晶界形成(回復)與新晶粒成核(再結晶)混為一談。


解題技巧

  1. 答題關鍵名詞檢核: 閱卷委員評分必看的專業術語包含:
  • 回復期:差排攀移(Climb)、交滑移(Cross-slip)、多邊形化(Polygonization)、低角度次晶界(Low-angle Subgrain Boundary)。
  • 再結晶期:無應變等軸晶粒(Strain-free Equiaxed Grains)、高角度晶界遷移(High-angle Grain Boundary Migration)、成核與成長。
  • 晶粒成長期:總晶界能量最小化(Total Grain Boundary Energy Reduction)、曲率驅動晶界遷移。
  1. 常見盲點與防錯陷阱:
  • 盲點一:誤以為回復階段晶粒形貌會變。在光學顯微鏡(OM)下,回復階段的晶粒外形依然保持冷作後的拉長纖維狀,外觀無明顯變化;其微結構改變屬於穿透式電子顯微鏡(TEM)等級的差排胞與次晶結構。
  • 盲點二:混淆驅動力。回復與再結晶的驅動力皆為「差排儲存應變能」;但晶粒成長階段的差排已降至極低,其驅動力轉為「降低總晶界介面能量」。
  1. 評分加分亮點: 主動列出差排密度從 1015∼1016 m−210^{15} \sim 10^{16}\ \text{m}^{-2} 降至 1010∼1012 m−210^{10} \sim 10^{12}\ \text{m}^{-2} 的量級變化,並提及晶粒成長滿足 dn−d0n=Ktd^n - d_0^n = K t 動力學公式,展現扎實的材料熱力學與動力學底子。

【答案】

多晶體金屬冷作加工後,於退火熱處理期間所歷經之各階段微結構變化詳述如下:

一、冷作加工後之初始微結構狀態(Starting Microstructure)

經冷作塑性變形後,晶粒沿主變形方向被顯著拉長呈纖維狀組織(Fibrous structure),內部產生大量變形帶(Deformation bands)與剪切帶(Shear bands)。差排密度劇增至約 1015∼1016 m−210^{15} \sim 10^{16}\ \text{m}^{-2},形成纏結複雜的差排胞(Dislocation cells),累積了高密度的彈性應變能與顯著的巨觀殘留應力。


二、第一階段:回復(Recovery)

  1. 熱力學驅動力: 儲存之彈性應變能部分釋放(約釋放冷作儲能的 10%∼20%10\% \sim 20\%)。
  2. 微結構演變與機制:
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第 五 題20 分

請詳述不銹鋼的敏化現象(Sensitization),並依不銹鋼發生敏化的機制說明安定化(Stabilization)處理可採用的方法(試列舉 5 種)。

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核心觀念

本題評量沃斯田鐵系不銹鋼(Austenitic Stainless Steel)之物理冶金相變態與腐蝕防護,核心理論涵蓋:

  1. 敏化(Sensitization)的微觀機制:在特定溫度區間(約 450∘C∼850∘C450^\circ\text{C} \sim 850^\circ\text{C})內,固溶之碳原子向晶界快速擴散,與鉻原子結合析出富鉻碳化物(主要為 Cr23C6\text{Cr}_{23}\text{C}_6)。由於基盤內鉻原子的置換型擴散速率遠低於碳原子的間隙型擴散速率(DC≫DCrD_{\text{C}} \gg D_{\text{Cr}}),導致晶界兩側形成鉻含量低於鈍化臨界值(約 12 wt%12\,\text{wt}\%)之「貧鉻區(Chromium-Depleted Zone)」。
  2. 電化學腐蝕驅動力:於腐蝕介質中,貧鉻區因喪失緻密鈍化膜(Cr2O3\text{Cr}_2\text{O}_3)之保護而呈現活化態,與大面積且處於鈍化態之晶粒內部基盤形成「大陰極、小陽極」微電池效應,引發劇烈之晶界腐蝕(Intergranular Corrosion, IGC)及晶界應力腐蝕破裂(IGSCC)。
  3. 安定化(Stabilization)與抗敏化冶金原理:基於敏化發生的熱力學與動力學條件,透過抑制碳化鉻生成驅動力、提高碳化物形成自由能差、改變化學成分固溶度或調控熱處理製程,達成防止晶界貧鉻區形成之目標。

解題方法

解析本題採「機構剖析 →\to 因果對應 →\to 對策開展」架構:

  1. 詳述敏化現象與微觀機構:
  • 清楚定義敏化熱歷程(敏化溫度區間 450∘C∼850∘C450^\circ\text{C} \sim 850^\circ\text{C}、銲接熱影響區 HAZ 銲蝕現像)。
  • 從擴散動力學(間隙擴散 vs. 置換擴散)說明碳化鉻 Cr23C6\text{Cr}_{23}\text{C}_6 於晶界形核成長。
  • 闡述「貧鉻區理論(Chromium Depletion Theory)」與材料鈍化膜完整度之關聯。
  1. 對應敏化機制歸納 5 種安定化與防敏化工程方法:
  • 機制 1(結合強碳化物元素):添加親碳力高於鉻之合金元素(Ti\text{Ti}、Nb\text{Nb}),形成穩定碳化物。
  • 機制 2(熱處理安定化退火):利用高溫均質化與優先析出特定碳化物,使殘留貧鉻區回充鉻原子。
  • 機制 3(降低熱力學驅動力):降低鋼液中碳濃度至固溶極限以下(超低碳不銹鋼)。
  • 機制 4(動力學凍結):高溫固溶處理後急冷,越過敏化成核溫區。
  • 機制 5(鉻原子長時回擴散/雙相組織輔助擴散):利用再擴散均質化消除貧鉻區,或引入擴散速率快的肥粒鐵相阻斷連續網狀腐蝕路徑。

選項分析

本題為申論問答題,針對命題之各階段理論與方法進行深度剖析:

評析項目物理冶金與電化學機制說明工程意義與評價
敏化現象本質晶粒邊界析出 Cr23C6\text{Cr}_{23}\text{C}_6,基盤因置換型擴散緩慢來不及補償消耗之鉻,造成晶界邊緣形成寬約數十奈米、[Cr]<12 wt%[\text{Cr}] < 12\,\text{wt}\% 的貧鉻帶。造成耐蝕合金在氧化性酸或氯離子環境中沿晶界剝落或破裂,失效率極高。
方法一:合金元素安定化添加強碳化物形成元素(如 Ti\text{Ti}、Nb\text{Nb}),其與碳之自由能變化量更負(ΔGTiC∘<ΔGCr23C6∘\Delta G^\circ_{\text{TiC}} < \Delta G^\circ_{\text{Cr}_{23}\text{C}_6}),優先捕捉固溶碳。典型代表為 AISI 321(加 Ti\text{Ti})與 AISI 347(加 Nb\text{Nb})。
方法二:安定化熱處理於 850∘C∼900∘C850^\circ\text{C} \sim 900^\circ\text{C} 進行退火。此溫區 Cr23C6\text{Cr}_{23}\text{C}_6 不穩定,促使碳全數與安定化元素結合,並使局部貧鉻區藉鉻擴散重新均勻化。能有效避免後續使用中產生刀刃狀腐蝕(Knife-line attack)。
方法三:超低碳化(L 級)將含碳量嚴格控制於固溶度極限之下(C≤0.03 wt%\text{C} \le 0.03\,\text{wt}\%,如 304L、316L)。從熱力學源頭消除碳化物析出趨勢,可耐受一般常規銲接熱循環。
方法四:高溫固溶化淬火加熱至 1050∘C∼1150∘C1050^\circ\text{C} \sim 1150^\circ\text{C} 促使所有晶界碳化物重溶於沃斯田鐵基盤,隨後急速水淬冷卻。凍結過飽和固溶體,阻止碳化鉻在 450∘C∼850∘C450^\circ\text{C} \sim 850^\circ\text{C} 內形核成長。
方法五:均質化擴散(消敏化)/雙相調控(1)高溫長時間保溫使晶粒內部鉻向晶界回擴散,使貧鉻區鉻濃度回升至 12 wt%12\,\text{wt}\% 以上;或(2)引入肥粒鐵相利用體心立方(BCC)高擴散係數迅速補鉻。針對已敏化構件之後期修復補救,或利用雙相不銹鋼(Duplex SS)天生高抗敏化優勢。

解題技巧

  1. 破題黃金關鍵詞:答題時務必準確寫出 「450∘C∼850∘C450^\circ\text{C} \sim 850^\circ\text{C}」、「Cr23C6\text{Cr}_{23}\text{C}_6」、「DC≫DCrD_{\text{C}} \gg D_{\text{Cr}}」、「貧鉻區(<12 wt% Cr< 12\,\text{wt}\%\,\text{Cr})」、「大陰極與小陽極微電池效應」,此為閱卷評分指標。
  2. 安定化處理的語意層次:狹義的「安定化處理(Stabilization Heat Treatment)」專指加入 Ti\text{Ti}、Nb\text{Nb} 後於 850∘C∼900∘C850^\circ\text{C} \sim 900^\circ\text{C} 進行的特定退火程序;廣義的「安定化可採用的方法」則包含一切防止或消除敏化組織的材料與熱處理工程對策。作答時需雙軌並重,既列出狹義之特定熱處理,亦列出化學調配與動力學控制法,展現架構完整度。
  3. 避免混淆溫區:
  • 敏化發生溫區:450∘C∼850∘C450^\circ\text{C} \sim 850^\circ\text{C}。
  • 安定化退火溫區:850∘C∼900∘C850^\circ\text{C} \sim 900^\circ\text{C}。
  • 固溶退火溫區:1050∘C∼1150∘C1050^\circ\text{C} \sim 1150^\circ\text{C}。

【答案】

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