115 高普考高考三級 化學工程 材料化學(包括有機化學、無機化學) 考古題詳解

115 年・高普考・高考三級・化學工程
試題代碼 材料化學(包括有機化學、無機化學)

第 一 題25 分

某未知有機化合物之光譜資料如下:

紅外線(IR)光譜顯示:

約 1720 cm−11720\ \mathrm{cm}^{-1} 有強吸收峰;約 28502850–2960 cm−12960\ \mathrm{cm}^{-1} 有 C−H\mathrm{C-H} 伸縮吸收;約 10501050–1250 cm−11250\ \mathrm{cm}^{-1} 有強吸收峰,且未見明顯寬廣 O−H\mathrm{O-H} 吸收峰。

核磁共振氫譜(1H^{1}\mathrm{H} NMR)顯示:

約 δ=1.2 ppm\delta=1.2\ \mathrm{ppm} 有 triplet,積分為 3H3\mathrm{H};

約 δ=2.0 ppm\delta=2.0\ \mathrm{ppm} 有 singlet,積分為 3H3\mathrm{H};

約 δ=4.1 ppm\delta=4.1\ \mathrm{ppm} 有 quartet,積分為 2H2\mathrm{H}。

質譜(MS)顯示:

分子離子峰可觀察到,並有明顯碎片峰出現在與酯類裂解相關之區域。

請根據上述 IR、1H^{1}\mathrm{H} NMR 及 MS 資料,判斷此未知物可能具有何種官能基團,並建立其合理有機結構。請說明判斷依據及可能之碎裂特徵,並回答下列問題:

(一) IR 官能基判斷。(6 分)

(二) 1H^{1}\mathrm{H} NMR 化學位移、積分與裂分解析。(8 分)

(三) MS 資料與碎片判斷。(4 分)

(四) 合理結構建立與整合說明。(7 分)

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核心觀念

本題考查以紅外線光譜(IR)、氫核磁共振(1H^1\mathrm{H} NMR)及質譜(MS)互相佐證,辨認官能基並建立分子結構。解題時先用 IR 判斷主要官能基,再用 NMR 的化學位移、積分與裂分辨認氫原子環境,最後以 MS 的分子離子峰及典型裂解確認結構。

(一)IR 官能基判斷(6 分)

約 1720 cm−11720\ \mathrm{cm}^{-1} 的強吸收峰,符合酯類羰基 C=O\mathrm{C=O} 的伸縮振動。約 10501050–1250 cm−11250\ \mathrm{cm}^{-1} 的強吸收峰,則符合酯類中 C−O\mathrm{C-O} 的伸縮振動。

28502850–2960 cm−12960\ \mathrm{cm}^{-1} 的吸收為飽和烷基 C−H\mathrm{C-H} 伸縮。題目指出沒有明顯寬廣的 O−H\mathrm{O-H} 吸收,因此不支持醇或羧酸;羧酸的 O−H\mathrm{O-H} 吸收通常呈現寬廣帶形。

綜合判斷,樣品具有酯類官能基,並含有飽和烷基。

(二)1H^1\mathrm{H} NMR 化學位移、積分與裂分解析(8 分)

題目所列訊號可分為三組:

  • δ=1.2 ppm\delta=1.2\ \mathrm{ppm},triplet,積分 3H3\mathrm{H}:代表一組末端甲基 −CH3\mathrm{-CH_3},與相鄰的 −CH2−\mathrm{-CH_2-} 相連。依 n+1n+1 規則,鄰近兩個氫使訊號裂分為三重峰。
  • δ=4.1 ppm\delta=4.1\ \mathrm{ppm},quartet,積分 2H2\mathrm{H}:代表與氧相連的亞甲基 −OCH2−\mathrm{-OCH_2-}。氧原子使其化學位移移至較低場;相鄰甲基的三個氫使訊號裂分為四重峰。
  • δ=2.0 ppm\delta=2.0\ \mathrm{ppm},singlet,積分 3H3\mathrm{H}:代表羰基旁的甲基 CH3CO−\mathrm{CH_3CO-}。羰基使其化學位移下移;相鄰羰基碳沒有氫,因此不造成可觀察的鄰氫裂分,呈單峰。
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第 二 題25 分

請回答下列有關有機分子合成設計之問題:

(一) 以 benzene 為起始物,設計合成 p-bromoacetanilide 之完整合成路徑,並寫出各步驟所需試劑及主要中間產物。(15 分)

(二) 請說明上述合成路徑中,為何需先將 aniline 轉化為 acetanilide 後再進行溴化反應?並說明此步驟對反應選擇性及避免副產物生成之影響。(10 分)

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核心觀念

本題考查芳香族親電子取代反應的定位效應,以及胺基的保護策略。

苯環上的 −NHX2\ce{-NH2} 與 −NHCOCHX3\ce{-NHCOCH3} 都是鄰、對位定位基;但未保護的 −NHX2\ce{-NH2} 鹼性與活性較強,會使苯環容易過度溴化。將 aniline 轉成 acetanilide,可降低胺基對苯環的活化程度,使溴化較容易停留在單取代,且對位產物為主要產物。

解題方法

目標產物的苯環上有 −NHCOCHX3\ce{-NHCOCH3} 與 −Br\ce{-Br},兩者位於對位。合成設計先建立可供定位的乙醯胺基,再利用其鄰、對位定位效果引入溴,最後水解去除乙醯保護基,得到目標產物。

合成路徑

  1. 硝化:由 benzene 製備 nitrobenzene

試劑:濃硝酸、濃硫酸。

CX6HX6→HNOX3/HX2SOX4CX6HX5NOX2\ce{C6H6 ->[HNO3/H2SO4] C6H5NO2}

主要中間產物:nitrobenzene。

  1. 還原:由 nitrobenzene 製備 aniline

可用 Sn/HCl\ce{Sn/HCl} 或 Fe/HCl\ce{Fe/HCl} 還原,之後以 NaOH\ce{NaOH} 鹼化釋出游離胺。

CX6HX5NOX2→NaOHSn/HClCX6HX5NHX2\ce{C6H5NO2 ->[Sn/HCl][NaOH] C6H5NH2}

主要中間產物:aniline。

  1. 乙醯化保護:由 aniline 製備 acetanilide

試劑:乙酸酐 (CHX3CO)X2O\ce{(CH3CO)2O},或乙醯氯 CHX3COCl\ce{CH3COCl}。

CX6HX5NHX2→(CHX3CO)X2OCX6HX5NHCOCHX3\ce{C6H5NH2 ->[(CH3CO)2O] C6H5NHCOCH3}

主要中間產物:acetanilide。

  1. 溴化:引入對位溴

試劑:BrX2\ce{Br2},可用乙酸作溶劑;通常不需強路易士酸催化劑。

CX6HX5NHCOCHX3→BrX2p-BrCX6HX4NHCOCHX3\ce{C6H5NHCOCH3 ->[Br2] p-BrC6H4NHCOCH3}

−NHCOCHX3\ce{-NHCOCH3} 是鄰、對位定位基,對位產物為主要產物;鄰位產物因位阻較大而較少。主要中間產物:pp-bromoacetanilide。

  1. 水解去保護:製備目標產物
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第 三 題25 分

下列兩八面體錯離子:

(a) [CoF6]3−[\mathrm{CoF}_{6}]^{3-}

(b) [Co(CN)6]3−[\mathrm{Co(CN)}_{6}]^{3-}

請以配位化合物場理論與分子軌域理論,回答下列問題:

(一) 分別判斷兩錯離子中 Co 的氧化態與 dd 電子數。(4 分)

(二) 依據配位化合物場理論,以八面體場中 t2gt_{2g} 與 ege_g 軌域之能階分裂,說明兩錯離子之 dd 電子排列。(8 分)

(三) 說明兩錯離子何者為高自旋錯合物、何者為低自旋錯合物,並比較其 Δo\Delta_o 大小。(6 分)

(四) 判斷兩錯離子之未成對電子數,並說明其磁性差異。(7 分)

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核心觀念

本題考查金屬氧化態與 dd 電子數、八面體配位場的 t2gt_{2g}、ege_g 能階分裂,以及配體強弱如何影響自旋態和磁性。

八面體場中,五個 dd 軌域分裂成較低能階的 t2gt_{2g}(dxy,dxz,dyzd_{xy}, d_{xz}, d_{yz})與較高能階的 ege_g(dz2,dx2−y2d_{z^2}, d_{x^2-y^2}),兩者能隙為 Δo\Delta_o。電子填入時,須考慮配對能 PP:若 Δo<P\Delta_o<P,電子傾向先分占較高能階,形成高自旋;若 Δo>P\Delta_o>P,電子傾向先在 t2gt_{2g} 配對,形成低自旋。

解題方法

先由配體電荷與錯離子總電荷求 Co 氧化態,再以 Co 的電子組態換算 dd 電子數。接著判斷 F−F^- 為弱場配體、CN−CN^- 為強場配體,據此比較 Δo\Delta_o 與配對能,安排 dd 電子並計算未成對電子數。

(一)Co 氧化態與 dd 電子數

兩個錯離子中,六個配體都是單價陰離子,總配體電荷為 −6-6。設 Co 氧化態為 xx:

x−6=−3⇒x=+3x-6=-3 \quad\Rightarrow\quad x=+3

中性 Co 的電子組態為 [Ar]3d74s2[\mathrm{Ar}]3d^74s^2;形成 Co3+\mathrm{Co}^{3+} 時先移除 4s4s 電子,再移除一個 3d3d 電子,因此:

Co3+:[Ar]3d6\mathrm{Co}^{3+}:[\mathrm{Ar}]3d^6

故兩個錯離子中的 Co 均為 +3+3 氧化態,且皆為 d6d^6。

(二)八面體場中的 dd 電子排列

(a) [CoF6]3−[\mathrm{CoF}_{6}]^{3-}

F−F^- 是弱場配體,造成的 Δo\Delta_o 較小,電子採高自旋排列。六個 dd 電子先各自占據五個軌域,再將第六個電子配對於 t2gt_{2g}:

t2g4eg2t_{2g}^{4}e_g^{2}

以軌域方框表示:

t2g: [↑↓] [↑] [↑]eg: [↑] [↑]t_{2g}:\ [\uparrow\downarrow]\ [\uparrow]\ [\uparrow] \qquad e_g:\ [\uparrow]\ [\uparrow]

(b) [Co(CN)6]3−[\mathrm{Co(CN)}_{6}]^{3-}

CN−CN^- 是強場配體,造成的 Δo\Delta_o 較大,電子優先在較低能的 t2gt_{2g} 軌域配對,排列為:

t2g6eg0t_{2g}^{6}e_g^{0}

軌域方框表示:

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第 四 題25 分

以分子軌域理論說明硼分子 B2\mathrm{B}_2 之電子填入方式,並寫出其分子軌域電子組態。

作答時須說明 B2\mathrm{B}_2 分子中價電子數目、適用於 B2\mathrm{B}_2 之分子軌域能階順序、電子如何依 Aufbau principle、Hund’s rule 及 Pauli exclusion principle 填入分子軌域,並據此計算其鍵級(bond order)與判斷磁性。(25 分)

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核心觀念

本題考查以分子軌域理論(MO theory)描述 B2\mathrm{B}_2 的價電子組態,並由成鍵與反鍵電子數求鍵級、判斷磁性。鍵級公式為:

鍵級=N成鍵−N反鍵2\text{鍵級}=\frac{N_{\text{成鍵}}-N_{\text{反鍵}}}{2}

其中 N成鍵N_{\text{成鍵}} 與 N反鍵N_{\text{反鍵}} 分別為成鍵分子軌域和反鍵分子軌域中的電子數。

解題方法

硼原子的原子序為 55,電子組態為 1s2 2s2 2p11s^2\,2s^2\,2p^1,每個硼原子有 33 個價電子。因此,B2\mathrm{B}_2 的價電子總數為:

3×2=63\times 2=6

對 B2\mathrm{B}_2 這類較輕的同核雙原子分子,2s2s 與 2p2p 軌域間的混成效應會使 π2p\pi_{2p} 軌域能量低於 σ2p\sigma_{2p} 軌域。其價分子軌域能階順序為:

σ2s<σ2s∗<π2px=π2py<σ2pz\sigma_{2s}<\sigma_{2s}^{*}<\pi_{2p_x}=\pi_{2p_y}<\sigma_{2p_z}

接著依序填入 66 個價電子:

  1. Aufbau principle(構築原理):電子先填入能量較低的軌域,因此先填滿 σ2s\sigma_{2s} 與 σ2s∗\sigma_{2s}^{*},共 44 個電子。
  2. Hund’s rule(洪德規則):兩個能量相同的 π2p\pi_{2p} 軌域先各自單獨占據一個電子,電子自旋平行。
  3. Pauli exclusion principle(包立不相容原理):同一軌域最多容納兩個電子,且兩電子自旋相反;本題的 π2px\pi_{2p_x} 與 π2py\pi_{2p_y} 各只有一個電子。

因此,B2\mathrm{B}_2 的價電子分子軌域組態為:

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