107 高普考高考三級 電信工程 電磁學 考古題詳解

107 年・高普考・高考三級・電信工程
試題代碼 電磁學

第 一 題25 分

總電荷 Q0Q_0 均勻地分布於一中空球體,中空球體的內徑為 aa、外徑為 bb、球心座標 (xc,yc,zc)=(0,0,h)(x_c,y_c,z_c)=(0,0,h)。有一無窮大的接地完全導體平面放置於 z=0z=0,如圖一所示。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) 求在球心的電場 E⃗C。(10分)\vec{E}_C。(10分)

(二) 求在 PP 點 (h,0,0)(h,0,0) 的電場 E⃗P。(10分)\vec{E}_P。(10分)

(三) 求在完全導體平面之總感應電荷 Qind。(5分)Q_{ind}。(5分)

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核心觀念

本題為靜電學極具代表性的經典考題,結合了高斯定律(Gauss's Law)、球對稱電荷分佈的場強特性、鏡像法(Method of Images)​與導體邊界條件:

  1. 球對稱電荷分佈特性:
  • 根據高斯定律,均勻分佈於中空球殼(內徑 aa、外徑 bb)的總電荷 Q0Q_0,在球體外部(R≥bR \ge b)所建立的電場與電位,等效於將全部電荷集中於球心的點電荷。
  • 在中空內部(R<aR < a),由球對稱性與高斯定律可知,球殼自身在該區域產生的電場恆為零(E⃗self=0\vec{E}_{\text{self}} = 0)。
  1. 鏡像法(Method of Images):
  • 對於放置在無窮大接地導體平面(z=0,V=0z = 0, V = 0)上方的球對稱分佈電荷 Q0Q_0(球心位於 (0,0,h)(0, 0, h)),因導體平面全處於球體外側(h>bh > b),在 z>0z > 0 區域內,導體平面的存在所產生的邊界效應,可等效為在鏡像位置 (0,0,−h)(0, 0, -h) 放置一個電量為 Q′=−Q0Q' = -Q_0 的虛擬鏡像點電荷。
  1. 導體表面邊界條件與感應電荷:
  • 理想導體表面之切向電場為零(Et=0E_t = 0),法向電場滿足 En=ρsε0E_n = \frac{\rho_s}{\varepsilon_0}。
  • 導體表面感應之總電荷可由表面電荷密度積分求得:Qind=∬ρs dSQ_{ind} = \iint \rho_s \, dS,亦可由通過導體平面的電通量由高斯定律直接判定。

解題方法

等效鏡像系統建立

由於球殼電荷為球對稱分佈,對於外部區域(z≤0z \le 0 的邊界平面),該球體產生的場等同於球心處的集中點電荷 +Q0+Q_0。 為了滿足無窮大接地平面 z=0z = 0 上電位 V=0V = 0 的邊界條件,依據鏡像法:

  • 移除接地導體平面。
  • 保留上半空間(z>0z > 0)的真實電荷分佈。
  • 在下半空間鏡像點 (0,0,−h)(0, 0, -h) 放置等量異號之鏡像電荷 Q′=−Q0Q' = -Q_0。

(一) 求在球心的電場 E⃗C\vec{E}_C

球心 CC 的座標為 (0,0,h)(0, 0, h)。根據重疊原理,球心處的總電場為真實球殼自身產生的電場 E⃗self\vec{E}_{\text{self}} 與鏡像電荷產生的電場 E⃗image\vec{E}_{\text{image}} 之合向量: E⃗C=E⃗self+E⃗image\vec{E}_C = \vec{E}_{\text{self}} + \vec{E}_{\text{image}}

  1. 球殼自身貢獻 E⃗self\vec{E}_{\text{self}}: 球心處於中空球體的內腔(r=0<ar = 0 < a),由高斯定律與球對稱性: E⃗self=0\vec{E}_{\text{self}} = 0

  2. 鏡像電荷貢獻 E⃗image\vec{E}_{\text{image}}: 鏡像電荷 Q′=−Q0Q' = -Q_0 位於 (0,0,−h)(0, 0, -h),從鏡像電荷指向球心 C(0,0,h)C(0, 0, h) 的位置向量為: R⃗C=(0,0,h)−(0,0,−h)=2ha^z\vec{R}_C = (0, 0, h) - (0, 0, -h) = 2h \hat{a}_z 其距離為 RC=2hR_C = 2h。因此鏡像電荷在球心處建立的電場為: E⃗image=Q′4πε0RC2a^z=−Q04πε0(2h)2a^z=−Q016πε0h2a^z\vec{E}_{\text{image}} = \frac{Q'}{4\pi\varepsilon_0 R_C^2} \hat{a}_z = \frac{-Q_0}{4\pi\varepsilon_0 (2h)^2} \hat{a}_z = -\frac{Q_0}{16\pi\varepsilon_0 h^2} \hat{a}_z

合成得球心電場: E⃗C=−Q016πε0h2a^z\vec{E}_C = -\frac{Q_0}{16\pi\varepsilon_0 h^2} \hat{a}_z


(二) 求在 PP 點 (h,0,0)(h, 0, 0) 的電場 E⃗P\vec{E}_P

PP 點位於接地導體平面上,座標為 (h,0,0)(h, 0, 0)。此處電場由等效實電荷 +Q0+Q_0(位於 (0,0,h)(0, 0, h))與鏡像電荷 −Q0-Q_0(位於 (0,0,−h)(0, 0, -h))共同產生:

  1. 實電荷在 PP 點產生的電場 E⃗1\vec{E}_1: 從實電荷位置 (0,0,h)(0, 0, h) 到 P(h,0,0)P(h, 0, 0) 的位移向量: R⃗1=(h−0)a^x+(0−0)a^y+(0−h)a^z=ha^x−ha^z\vec{R}_1 = (h - 0) \hat{a}_x + (0 - 0) \hat{a}_y + (0 - h) \hat{a}_z = h \hat{a}_x - h \hat{a}_z 距離大小為: R1=h2+(−h)2=2hR_1 = \sqrt{h^2 + (-h)^2} = \sqrt{2}h 電場向量為: E⃗1=Q04πε0R13R⃗1=Q04πε0(2h)3(ha^x−ha^z)=Q082πε0h2(a^x−a^z)\vec{E}_1 = \frac{Q_0}{4\pi\varepsilon_0 R_1^3} \vec{R}_1 = \frac{Q_0}{4\pi\varepsilon_0 (\sqrt{2}h)^3} (h \hat{a}_x - h \hat{a}_z) = \frac{Q_0}{8\sqrt{2}\pi\varepsilon_0 h^2} (\hat{a}_x - \hat{a}_z)
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第 二 題20 分

一無窮大的面電流置放在 z=Dz=D 的平面上,其電流密度為

K⃗=x^K0cos⁡ωt (A/m2)。\vec{K}=\hat{x}K_0\cos\omega t\ \text{(A/m}^2\text{)}。

此面電流下方 A 區有一正方形金屬環(邊長為 aa,內阻為 RR),和無窮大的接地完全導體平面(在 z=0z=0)。如圖二所示。

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(一) 求在 A 區(0<z<D0<z<D)的磁場 H⃗A。(5分)\vec{H}_A。(5分)

(二) 求在 B 區(D<zD<z)的磁場 H⃗B。(5分)\vec{H}_B。(5分)

(三) 求金屬環感應電流 IindI_{ind} 之振幅峰值大小。(10分)$

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核心觀念

  1. 鏡像法(Image Theory): 在理想完全導體(PEC,在 z=0z=0)的邊界上,切向電場必須為零(Et=0E_t = 0)。當平行於導體平面的面電流 K⃗=x^K0cos⁡ωt\vec{K} = \hat{x}K_0\cos\omega t 置於 z=Dz=D 時,依據鏡像原理,在 z=−Dz=-D 處會產生大小相等、方向相反的等效鏡像面電流: K⃗img=−K⃗=−x^K0cos⁡ωt\vec{K}_{img} = -\vec{K} = -\hat{x}K_0\cos\omega t
  2. 無窮大面電流的磁場分佈(安培環路定律): 單一置於 z=z0z=z_0 平面且沿 +x^+\hat{x} 方向流動之無窮大均勻面電流 K⃗=x^K\vec{K} = \hat{x}K,由右手定則與對稱性,其產生的磁場為: H⃗(z)={−12Ky^,z>z0+12Ky^,z<z0\vec{H}(z) = \begin{cases} -\frac{1}{2}K\hat{y}, & z > z_0 \\ +\frac{1}{2}K\hat{y}, & z < z_0 \end{cases}
  3. 法拉第電磁感應定律(Faraday's Law of Induction)與歐姆定律: 穿過閉合迴路的時變磁通量 Φ(t)=∫B⃗⋅dS⃗\Phi(t) = \int \vec{B}\cdot d\vec{S} 會在金屬環上感應出電動勢: Eind=−dΦdt\mathcal{E}_{ind} = -\frac{d\Phi}{dt} 在忽略金屬環自感(ωL≪R\omega L \ll R)的前提下,感應電流振幅由歐姆定律 I=ERI = \frac{\mathcal{E}}{R} 決定。

解題方法

(一) 求 A 區(0<z<D0<z<D)的磁場 H⃗A\vec{H}_A

  1. 建立等效系統: 利用鏡像法移除 z=0z=0 的完全導體平面,系統等效為兩片無窮大面電流在無界空間中產生的磁場疊加:
  • 原始面電流:位於 z=Dz=D,電流密度 K⃗1=x^K0cos⁡ωt\vec{K}_1 = \hat{x}K_0\cos\omega t。
  • 鏡像面電流:位於 z=−Dz=-D,電流密度 K⃗img=−x^K0cos⁡ωt\vec{K}_{img} = -\hat{x}K_0\cos\omega t。
  1. 磁場疊加推導: 在 A 區(0<z<D0<z<D),場點位置介於 −D-D 與 DD 之間:
  • 對於位於 z=Dz=D 的原始電流而言,場點在其下方(z<Dz<D),其貢獻為: H⃗1=+12(K0cos⁡ωt)y^\vec{H}_1 = +\frac{1}{2}\left(K_0\cos\omega t\right)\hat{y}
  • 對於位於 z=−Dz=-D 的鏡像電流而言,場點在其上方(z>−Dz>-D),且鏡像電流方向為 −x^-\hat{x},其貢獻為: H⃗img=−12(−K0cos⁡ωt)y^=+12(K0cos⁡ωt)y^\vec{H}_{img} = -\frac{1}{2}\left(-K_0\cos\omega t\right)\hat{y} = +\frac{1}{2}\left(K_0\cos\omega t\right)\hat{y}
  • 兩者同向疊加,得 A 區磁場: H⃗A=H⃗1+H⃗img=12K0cos⁡ωt y^+12K0cos⁡ωt y^=y^K0cos⁡ωt (A/m)\vec{H}_A = \vec{H}_1 + \vec{H}_{img} = \frac{1}{2}K_0\cos\omega t\,\hat{y} + \frac{1}{2}K_0\cos\omega t\,\hat{y} = \hat{y}K_0\cos\omega t\ \text{(A/m)}

(二) 求 B 區(D<zD<z)的磁場 H⃗B\vec{H}_B

  1. 磁場疊加推導: 在 B 區(z>Dz>D),場點同時位於兩片面電流的上方(z>Dz>D 且 z>−Dz>-D):
  • 原始面電流(z=Dz=D)的磁場貢獻: H⃗1=−12(K0cos⁡ωt)y^\vec{H}_1 = -\frac{1}{2}\left(K_0\cos\omega t\right)\hat{y}
  • 鏡像面電流(z=−Dz=-D)的磁場貢獻:
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第 三 題30 分

有一平面波在海水中行進,海水的介電係數為 ε=81ε0\varepsilon=81\varepsilon_0、導電係數為 σ=1 S/m\sigma=1\ \text{S/m}、導磁係數為 μ0\mu_0。

ε0=10−936π=8.854×10−12 F/m,\varepsilon_0=\frac{10^{-9}}{36\pi}=8.854\times10^{-12}\ \text{F/m},

μ0=4π×10−7=1.256×10−6 H/m。\mu_0=4\pi\times10^{-7}=1.256\times10^{-6}\ \text{H/m}。

平面波的電場為

E⃗=x^100e−αzcos⁡(2π107t−βz)+y^20e−αzsin⁡(2π107t−βz)。\vec{E}=\hat{x}100e^{-\alpha z}\cos(2\pi10^7t-\beta z)+\hat{y}20e^{-\alpha z}\sin(2\pi10^7t-\beta z)。

註:π=3.14\pi=3.14,log⁡e≈0.43\log e\approx0.43。

(一) 求衰減係數 α。(5分)\alpha。(5分)

(二) 求此平面波在海水中的波速。(5分)

(三) 說明這平面波的極化特性。(10分)

(四) 若此平面波行進了 1 m1\ \text{m},求此平面波功率密度衰減了多少 dB?(10分)

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核心觀念

本題考核耗損性介質(Lossy Medium)中的均勻平面波傳播特性,主要涵蓋四大核心觀念與公式:

  1. 介質損耗特性判定(Loss Tangent): 藉由損耗正切 tan⁡θ=σωε\tan\theta = \frac{\sigma}{\omega\varepsilon} 判斷介質類型。當 σωε≫1\frac{\sigma}{\omega\varepsilon} \gg 1 時,可適用良導體(Good Conductor)​近似。
  2. 傳播常數與波速:
  • 複數傳播常數 γ=α+jβ=jωμ(σ+jωε)\gamma = \alpha + j\beta = \sqrt{j\omega\mu(\sigma + j\omega\varepsilon)}。
  • 良導體近似下:α≈β≈ωμσ2=πfμσ\alpha \approx \beta \approx \sqrt{\frac{\omega\mu\sigma}{2}} = \sqrt{\pi f \mu \sigma}。
  • 相速度(波速):vp=ωβv_p = \frac{\omega}{\beta}。
  1. 電磁波極化特性(Polarization): 平面波的極化由相互正交的電場分量之振幅大小與時間相位差決定。配合波行進方向,依右手定則判定旋向(旋向特性)。
  2. 功率密度衰減量(dB 計算): 時均坡印廷向量(時均功率密度)正比於電場振幅平方,其空間衰減因子為 e−2αze^{-2\alpha z}。功率衰減比換算為分貝(dB\text{dB})之公式為: Attenuation (dB)=10log⁡10(Sav(0)Sav(z))=20αzlog⁡10e\text{Attenuation (dB)} = 10 \log_{10}\left(\frac{S_{\text{av}}(0)}{S_{\text{av}}(z)}\right) = 20\alpha z \log_{10} e

解題方法

(一) 求衰減係數 α\alpha

  1. 計算角頻率 ω\omega 與介質介電係數 ε\varepsilon: 由電場表示式可知角頻率: ω=2π×107 rad/s(f=107 Hz=10 MHz)\omega = 2\pi \times 10^7\ \text{rad/s} \quad (f = 10^7\ \text{Hz} = 10\ \text{MHz}) 海水的介電係數: ε=81ε0=81×(10−936π)=94π×10−9 F/m\varepsilon = 81\varepsilon_0 = 81 \times \left(\frac{10^{-9}}{36\pi}\right) = \frac{9}{4\pi}\times 10^{-9}\ \text{F/m}

  2. 檢驗損耗正切(Loss Tangent): σωε=1(2π×107)(94π×10−9)=14.5×10−2=1004.5=2009≈22.22\frac{\sigma}{\omega\varepsilon} = \frac{1}{(2\pi \times 10^7)\left(\frac{9}{4\pi}\times 10^{-9}\right)} = \frac{1}{4.5 \times 10^{-2}} = \frac{100}{4.5} = \frac{200}{9} \approx 22.22 由於 σωε≈22.22≫1\frac{\sigma}{\omega\varepsilon} \approx 22.22 \gg 1,海水在此頻率下具備良導體特性,可採用良導體近似公式簡化運算。

  3. 計算衰減係數 α\alpha: 在良導體近似下: α≈ωμ0σ2=(2π×107)×(4π×10−7)×12=8π22=4π2=2π\alpha \approx \sqrt{\frac{\omega\mu_0\sigma}{2}} = \sqrt{\frac{(2\pi \times 10^7) \times (4\pi \times 10^{-7}) \times 1}{2}} = \sqrt{\frac{8\pi^2}{2}} = \sqrt{4\pi^2} = 2\pi 代入題目指定之 π=3.14\pi = 3.14: α=2×3.14=6.28 Np/m\alpha = 2 \times 3.14 = 6.28\ \text{Np/m}

補充(精確值計算):若使用任意損耗介質之精確公式: α=ωμε2[1+(σωε)2−1]1/2≈6.14 Np/m\alpha = \omega\sqrt{\frac{\mu\varepsilon}{2}}\left[\sqrt{1+\left(\frac{\sigma}{\omega\varepsilon}\right)^2}-1\right]^{1/2} \approx 6.14\ \text{Np/m} 考量題目給定 ω=2π×107\omega = 2\pi\times 10^7 與 μ0=4π×10−7\mu_0 = 4\pi\times 10^{-7} 能使根號內部恰為完美平方數 4π24\pi^2,命題核心顯然採「良導體近似」,答案以 6.28 Np/m6.28\ \text{Np/m} 為主。


(二) 求此平面波在海水中的波速 vpv_p

  1. 求相位常數 β\beta: 在良導體條件下,衰減常數與相位常數近似相等: β≈α=2π rad/m\beta \approx \alpha = 2\pi\ \text{rad/m}

  2. 計算波速(相速度): vp=ωβ=2π×1072π=107 m/s=1×107 m/sv_p = \frac{\omega}{\beta} = \frac{2\pi \times 10^7}{2\pi} = 10^7\ \text{m/s} = 1 \times 10^7\ \text{m/s}

補充(精確值計算):若採用精確相位常數 β=ωμε2[1+(σωε)2+1]1/2≈6.41 rad/m\beta = \omega\sqrt{\frac{\mu\varepsilon}{2}}\left[\sqrt{1+\left(\frac{\sigma}{\omega\varepsilon}\right)^2}+1\right]^{1/2} \approx 6.41\ \text{rad/m},則 vp=2π×1076.41≈9.80×106 m/sv_p = \frac{2\pi\times 10^7}{6.41} \approx 9.80 \times 10^6\ \text{m/s}。


(三) 說明這平面波的極化特性

將電場的兩正交分量表示為餘弦標準時域形式: Ex(z,t)=100e−αzcos⁡(2π107t−βz)E_x(z, t) = 100 e^{-\alpha z}\cos(2\pi10^7t-\beta z) Ey(z,t)=20e−αzsin⁡(2π107t−βz)=20e−αzcos⁡(2π107t−βz−π2)E_y(z, t) = 20 e^{-\alpha z}\sin(2\pi10^7t-\beta z) = 20 e^{-\alpha z}\cos\left(2\pi10^7t-\beta z - \frac{\pi}{2}\right)

分析其極化型態、幾何參數及旋向如下:

  1. 極化型態判別:
  • 振幅關係:兩正交分量之初始振幅分別為 E0x=100E_{0x} = 100、E0y=20E_{0y} = 20,兩者不相等(E0x≠E0yE_{0x} \ne E_{0y})。
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第 四 題25 分

一矩形導波管由完全導體組成,a=3 cma=3\ \text{cm}、b=2 cmb=2\ \text{cm}、L=100 cmL=100\ \text{cm},管內是真空,如圖三。

行進波 TE10_{10} 的電場為

E⃗y=y^E0sin⁡(kxx)ej(2πf0t−kzz)。\vec{E}_y=\hat{y}E_0\sin(k_xx)e^{j(2\pi f_0t-k_zz)}。

導波管內量測到的波長是 8 cm8\ \text{cm}。

(一) 求 TE10_{10} 模的截止頻率 fcut。(5分)f_{cut}。(5分)

(二) 求 TE10_{10} 模的操作頻率 f0。(5分)f_0。(5分)

(三) 求在 y=0y=0 的金屬面上的感應電荷密度 ρs。(5分)\rho_s。(5分)

(四) 求磁場強度的大小 ∣H⃗∣。(10分)\lvert\vec{H}\rvert。(10分)

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核心觀念

本題評量矩形導波管(Rectangular Waveguide)傳輸 TE 模態的基礎電磁理論,核心包含以下四大物理觀念與公式:

  1. 截止參數與色散關係(Dispersion Relation):
  • 對於寬邊 aa、窄邊 bb(a>ba > b)的矩形導波管,TEmn\text{TE}_{mn} 模的截止波長為 λc,mn=2(m/a)2+(n/b)2\lambda_{c,mn} = \frac{2}{\sqrt{(m/a)^2 + (n/b)^2}}。主模(Dominant Mode)TE10\text{TE}_{10} 的截止波長為 λc=2a\lambda_c = 2a,截止頻率為 fcut=cλc=c2af_{cut} = \frac{c}{\lambda_c} = \frac{c}{2a}。
  • 導波管波長(管內波長 λg\lambda_g)、自由空間波長(操作波長 λ0\lambda_0)與截止波長(λc\lambda_c)滿足色散幾何關係式: 1λ02=1λc2+1λg2\frac{1}{\lambda_0^2} = \frac{1}{\lambda_c^2} + \frac{1}{\lambda_g^2} 或等價的波數關係式 k2=kx2+kz2k^2 = k_x^2 + k_z^2,其中 k=2πλ0=ωck = \frac{2\pi}{\lambda_0} = \frac{\omega}{c}、kx=πak_x = \frac{\pi}{a}、kz=2πλgk_z = \frac{2\pi}{\lambda_g}。
  1. 完全導體邊界條件(PEC Boundary Condition):
  • 導體表面感應面電荷密度 ρs\rho_s 與電位移線 D⃗\vec{D} 的法向分量連續性關係為: ρs=n^⋅D⃗=ε0(n^⋅E⃗)\rho_s = \hat{n} \cdot \vec{D} = \varepsilon_0 (\hat{n} \cdot \vec{E}) 其中 n^\hat{n} 為由導體表面指向導波管內部的單位法向量。
  1. 馬克士威旋度方程式(麥克斯韋旋度方程 / 法拉第定律):
  • 時諧電場與磁場的關係式為: ∇×E⃗=−jωμ0H⃗  ⟹  H⃗=−1jωμ0(∇×E⃗)\nabla \times \vec{E} = -j\omega\mu_0\vec{H} \implies \vec{H} = -\frac{1}{j\omega\mu_0}(\nabla \times \vec{E})
  1. 自由空間本質阻抗(Intrinsic Impedance):
  • 真空中 η0=μ0ε0≈120π Ω≈377 Ω\eta_0 = \sqrt{\frac{\mu_0}{\varepsilon_0}} \approx 120\pi\ \Omega \approx 377\ \Omega,c=1μ0ε0=3×108 m/sc = \frac{1}{\sqrt{\mu_0\varepsilon_0}} = 3 \times 10^8\ \text{m/s}。

解題方法

已知參數:

  • 管壁為完全導體(PEC),管內為真空:ε=ε0\varepsilon = \varepsilon_0、μ=μ0\mu = \mu_0、c=3×108 m/s=3×1010 cm/sc = 3 \times 10^8\ \text{m/s} = 3 \times 10^{10}\ \text{cm/s}。
  • 尺寸:a=3 cm=0.03 ma = 3\ \text{cm} = 0.03\ \text{m}、b=2 cm=0.02 mb = 2\ \text{cm} = 0.02\ \text{m}。
  • 管內量測波長:λg=8 cm=0.08 m\lambda_g = 8\ \text{cm} = 0.08\ \text{m}。
  • 電場:E⃗y=y^E0sin⁡(kxx)ej(2πf0t−kzz)\vec{E}_y = \hat{y} E_0 \sin(k_x x) e^{j(2\pi f_0 t - k_z z)}。

(一) 求 TE10\text{TE}_{10} 模的截止頻率 fcutf_{cut}

TE10\text{TE}_{10} 模中 m=1,n=0m=1, n=0,橫向截止波數為: kx=πa=π0.03 rad/m=100π3 rad/mk_x = \frac{\pi}{a} = \frac{\pi}{0.03}\ \text{rad/m} = \frac{100\pi}{3}\ \text{rad/m} 對應的截止波長 λc\lambda_c 為: λc=2a=2×3 cm=6 cm=0.06 m\lambda_c = 2a = 2 \times 3\ \text{cm} = 6\ \text{cm} = 0.06\ \text{m} 因此,截止頻率為: fcut=cλc=3×108 m/s0.06 m=5×109 Hz=5 GHzf_{cut} = \frac{c}{\lambda_c} = \frac{3 \times 10^8\ \text{m/s}}{0.06\ \text{m}} = 5 \times 10^9\ \text{Hz} = 5\ \text{GHz}

(二) 求 TE10\text{TE}_{10} 模的操作頻率 f0f_0

由導波管色散方程式: 1λ02=1λc2+1λg2\frac{1}{\lambda_0^2} = \frac{1}{\lambda_c^2} + \frac{1}{\lambda_g^2} 代入 λc=6 cm\lambda_c = 6\ \text{cm} 與 λg=8 cm\lambda_g = 8\ \text{cm}: 1λ02=162+182=136+164=64+3636×64=1002304\frac{1}{\lambda_0^2} = \frac{1}{6^2} + \frac{1}{8^2} = \frac{1}{36} + \frac{1}{64} = \frac{64 + 36}{36 \times 64} = \frac{100}{2304} 開平方得自由空間波長: 1λ0=1048=524 cm−1  ⟹  λ0=245 cm=4.8 cm=0.048 m\frac{1}{\lambda_0} = \frac{10}{48} = \frac{5}{24}\ \text{cm}^{-1} \implies \lambda_0 = \frac{24}{5}\ \text{cm} = 4.8\ \text{cm} = 0.048\ \text{m} 進而求得操作頻率 f0f_0: f0=cλ0=3×1010 cm/s4.8 cm=6.25×109 Hz=6.25 GHzf_0 = \frac{c}{\lambda_0} = \frac{3 \times 10^{10}\ \text{cm/s}}{4.8\ \text{cm}} = 6.25 \times 10^9\ \text{Hz} = 6.25\ \text{GHz}

(三) 求在 y=0y=0 的金屬面上的感應電荷密度 ρs\rho_s

導波管內壁區域位於 0≤y≤b0 \le y \le b。在底部金屬面 y=0y=0 處,由導體表面指向介質(波管內部)的法向單位向量為 n^=+y^\hat{n} = +\hat{y}。 根據電場界面邊界條件: ρs=n^⋅D⃗=ε0(y^⋅E⃗)\rho_s = \hat{n} \cdot \vec{D} = \varepsilon_0 (\hat{y} \cdot \vec{E}) 將電場向量 E⃗=y^E0sin⁡(kxx)ej(2πf0t−kzz)\vec{E} = \hat{y} E_0 \sin(k_x x) e^{j(2\pi f_0 t - k_z z)} 代入: ρs=ε0E0sin⁡(kxx)ej(2πf0t−kzz)\rho_s = \varepsilon_0 E_0 \sin(k_x x) e^{j(2\pi f_0 t - k_z z)} 代入波數數值 kx=πa=100π3 rad/mk_x = \frac{\pi}{a} = \frac{100\pi}{3}\ \text{rad/m} 及 kz=2πλg=2π0.08=25π rad/mk_z = \frac{2\pi}{\lambda_g} = \frac{2\pi}{0.08} = 25\pi\ \text{rad/m}:

  • 複數形式(相量隨時間表示法): ρs(x,y=0,z,t)=ε0E0sin⁡(100π3x)ej(2πf0t−25πz) C/m2\rho_s(x, y=0, z, t) = \varepsilon_0 E_0 \sin\left(\frac{100\pi}{3}x\right) e^{j(2\pi f_0 t - 25\pi z)}\ \text{C/m}^2
  • 實數瞬時形式(取實部 Re{⋅}\text{Re}\{\cdot\}): ρs(x,y=0,z,t)=ε0E0sin⁡(100π3x)cos⁡(2πf0t−25πz) C/m2\rho_s(x, y=0, z, t) = \varepsilon_0 E_0 \sin\left(\frac{100\pi}{3}x\right) \cos(2\pi f_0 t - 25\pi z)\ \text{C/m}^2

(四) 求磁場強度的大小 ∣H⃗∣\lvert\vec{H}\rvert

由法拉第旋度方程式: ∇×E⃗=−jωμ0H⃗  ⟹  H⃗=−1jωμ0∇×E⃗\nabla \times \vec{E} = -j\omega\mu_0 \vec{H} \implies \vec{H} = -\frac{1}{j\omega\mu_0} \nabla \times \vec{E} 由於電場僅具 yy 分量且為 xx 與 zz 的函數: ∇×E⃗=x^(−∂Ey∂z)+z^(∂Ey∂x)\nabla \times \vec{E} = \hat{x}\left(-\frac{\partial E_y}{\partial z}\right) + \hat{z}\left(\frac{\partial E_y}{\partial x}\right) 計算偏微分: −∂Ey∂z=−(−jkz)Ey=jkzE0sin⁡(kxx)ej(ωt−kzz)-\frac{\partial E_y}{\partial z} = -(-j k_z) E_y = j k_z E_0 \sin(k_x x) e^{j(\omega t - k_z z)}

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