109 專技高考高等考試 電子工程技師 電磁學與電磁波 考古題詳解

109 年・專技高考・高等考試・電子工程技師
試題代碼 電磁學與電磁波

第 1 題25 分

如圖一所示,為一圓柱形傳輸線。內導體半徑為 aa,外導體半徑為 bb。假設內導體的電位為 V0V_0,每單位長度的帶電量為 Q0Q_0,外導體的電位為 00,兩導體之間填充介電係數為 ε0\varepsilon_0 的介電質。

(每小題 5 分,共 25 分)

(1)推導兩導體間電場分佈 E(r)E(r) 的表示式。

(2)推導兩導體間電位分佈 V(r)V(r) 的表示式。

(3)將 Q0Q_0 表達為 V0V_0、ε0\varepsilon_0、aa 及 bb 的函數。

(4)推導外導體內側電荷密度 ρ0\rho_0 的表示式。

(5)推導該傳輸線每單位長度的電容 C0C_0 表示式。

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核心觀念

本題考查同軸圓柱導體間的靜電場、電位與單位長度電容。利用圓柱對稱性,電場只有徑向分量;再以高斯定律求出 E(r)E(r),由 Er=−dV/drE_r=-dV/dr 求電位,最後套用電容定義 C0=Q0/V0C_0=Q_0/V_0。

以下假設 b>ab>a、導體足夠長而可忽略端點效應,且 Q0Q_0 表示內導體每單位長度的帶電量。

(1)兩導體間的電場分佈 E(r)E(r)

取半徑為 rr、長度為 LL 的同軸圓柱高斯面,其中 a<r<ba<r<b。由圓柱對稱性,電場大小在高斯面側面上相同,且方向為徑向。高斯定律給出

∮SE⋅dS=Er(r)(2πrL)=Qencε0=Q0Lε0.\oint_S \mathbf{E}\cdot d\mathbf{S} =E_r(r)(2\pi rL) =\frac{Q_{\mathrm{enc}}}{\varepsilon_0} =\frac{Q_0L}{\varepsilon_0}.

因此

E(r)=Q02πε0r r^,a<r<b.\boxed{\mathbf{E}(r)=\frac{Q_0}{2\pi\varepsilon_0r}\,\hat{\mathbf r},\qquad a<r<b.}

若 Q0>0Q_0>0,電場由內導體指向外導體;若 Q0<0Q_0<0,方向相反。

(2)兩導體間的電位分佈 V(r)V(r)

以外導體電位 V(b)=0V(b)=0 為參考,並使用 E=−∇V\mathbf{E}=-\nabla V:

V(r)−V(b)=−∫brE⋅dl=∫rbQ02πε0r′ dr′.V(r)-V(b)=-\int_b^r \mathbf{E}\cdot d\mathbf{l} =\int_r^b \frac{Q_0}{2\pi\varepsilon_0r'}\,dr'.

積分後得到

V(r)=Q02πε0ln⁡br,a<r<b.\boxed{V(r)=\frac{Q_0}{2\pi\varepsilon_0}\ln\frac{b}{r},\qquad a<r<b.}
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第 2 題25 分

一矩形導波管,其截面邊長分別為 aa 和 bb,且 a=2b=3 cma=2b=3\ \mathrm{cm}。該導波管內填充空氣,介電係數為 ε0\varepsilon_0、導磁係數為 μ0\mu_0。TEmnTE_{mn} 模態和 TMmnTM_{mn} 模態的截止頻率皆為

fc=1μ0ε0(m2a)2+(n2b)2.f_c=\frac{1}{\sqrt{\mu_0\varepsilon_0}} \sqrt{\left(\frac{m}{2a}\right)^2+\left(\frac{n}{2b}\right)^2}.

(1)標示截止頻率最低的三個 TEmnTE_{mn} 模態之模態指數 (m,n)(m,n)。(6 分)

(2)標示截止頻率最低的三個 TMmnTM_{mn} 模態之模態指數 (m,n)(m,n)。(6 分)

(3)計算僅一個模態可傳播的最低頻率 fmin⁡f_{\min} 和最高頻率 fmax⁡f_{\max}。(6 分)

(4)推導具有最低截止頻率的模態在頻率為 f>fmin⁡f>f_{\min} 時的群速 vgv_g 表示式。(7 分)

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核心觀念

矩形導波管各模態的截止頻率由模態指數 (m,n)(m,n) 決定。令 c=1/μ0ε0c=1/\sqrt{\mu_0\varepsilon_0},題目公式可寫成

fc,mn=c(m2a)2+(n2b)2.f_{c,mn}=c\sqrt{\left(\frac{m}{2a}\right)^2+\left(\frac{n}{2b}\right)^2}.

TEmnTE_{mn} 模態允許 m,nm,n 其中一個為 00,但不可同時為 00;TMmnTM_{mn} 模態則要求 m,nm,n 均為正整數。比較截止頻率時,只要比較平方項即可。

解題方法

由 a=2b=3 cma=2b=3\ \mathrm{cm},得

a=3 cm,b=1.5 cm.a=3\ \mathrm{cm},\qquad b=1.5\ \mathrm{cm}.

因此

fc,mn=c(m6 cm)2+(n3 cm)2=c6 cmm2+4n2.f_{c,mn} =c\sqrt{\left(\frac{m}{6\ \mathrm{cm}}\right)^2+ \left(\frac{n}{3\ \mathrm{cm}}\right)^2} =\frac{c}{6\ \mathrm{cm}}\sqrt{m^2+4n^2}.

(1)截止頻率最低的三個 TEmnTE_{mn} 模態

TETE 模態的指數可含 00。依 m2+4n2m^2+4n^2 由小到大排列:

  • TE10TE_{10}:m2+4n2=1m^2+4n^2=1
  • TE20TE_{20}:m2+4n2=4m^2+4n^2=4
  • TE01TE_{01}:m2+4n2=4m^2+4n^2=4

所以最低的三個模態為

TE10, TE20, TE01.\boxed{TE_{10},\ TE_{20},\ TE_{01}}.

TE20TE_{20} 與 TE01TE_{01} 截止頻率相同,皆為最低截止頻率的兩倍。

(2)截止頻率最低的三個 TMmnTM_{mn} 模態

TMTM 模態要求 m,n≥1m,n\geq 1。比較 m2+4n2m^2+4n^2:

  • TM11TM_{11}:1+4=51+4=5
  • TM21TM_{21}:4+4=84+4=8
  • TM31TM_{31}:9+4=139+4=13

故最低的三個模態為

TM11, TM21, TM31.\boxed{TM_{11},\ TM_{21},\ TM_{31}}.

(3)僅一個模態可傳播的頻率範圍

最低截止頻率為 TE10TE_{10}:

fmin⁡=fc,10=c2a=2.9979×1082(0.03)≈4.997×109 Hz.f_{\min}=f_{c,10} =\frac{c}{2a} =\frac{2.9979\times10^8}{2(0.03)} \approx 4.997\times10^9\ \mathrm{Hz}.

次低截止頻率由 TE20TE_{20} 與 TE01TE_{01} 共同取得:

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第 3 題25 分

如圖二所示,一平面波自介質(1)入射,該入射波的電場為

Ei=E0(32x^−12z^)cos⁡[6π×109t−10πx+3z].\mathbf{E}_i = E_0 \left( \frac{3}{2}\hat{\mathbf{x}} - \frac{1}{2}\hat{\mathbf{z}} \right) \cos\left[ 6\pi\times10^9t-10\pi x+3z \right].

介質(1)的介電係數與導磁係數分別為 ε0\varepsilon_0、μ0\mu_0;介質(2)的介電係數與導磁係數分別為 1.5ε01.5\varepsilon_0、μ0\mu_0。入射角為 60∘60^\circ。

(每小題 5 分,共 25 分)

(1)計算頻率 ff(Hz)及波長 λ\lambda(m)。

(2)計算折射角 θr\theta_r。

(3)計算反射係數 Γ\Gamma。

(4)推導反射波的電場表示式。

(5)推導折射波的電場表示式。

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核心觀念

本題考平面波的相位常數與波長、斜入射折射,以及介面上的電場與磁場邊界條件。圖中電場位於入射面 xzxz 平面,屬於平行極化(TM 極化)。

以下依照原頁掃描圖作答:圖中的入射電場為

Ei=E0(32x^−12z^)cos⁡[6π×109t−10π(x+3z)].\mathbf E_i=E_0\left(\frac{\sqrt3}{2}\hat{\mathbf x}-\frac12\hat{\mathbf z}\right) \cos\left[6\pi\times10^9t-10\pi(x+\sqrt3z)\right].

題目文字所列的電場係數與相位,和掃描圖內容不一致;以下採用掃描圖所示內容。

解題方法

(1)頻率 ff 與波長 λ\lambda

由入射波相位中的角頻率

ω=6π×109 rad/s,\omega=6\pi\times10^9\ \text{rad/s},

可得

f=ω2π=3×109 Hz.f=\frac{\omega}{2\pi}=3\times10^9\ \text{Hz}.

相位中的波數分量為 kx=10πk_x=10\pi、kz=10π3k_z=10\pi\sqrt3,故波數大小

k1=(10π)2+(10π3)2=20π rad/m.k_1=\sqrt{(10\pi)^2+(10\pi\sqrt3)^2}=20\pi\ \text{rad/m}.

因此

λ1=2πk1=0.1 m.\lambda_1=\frac{2\pi}{k_1}=0.1\ \text{m}.

(2)折射角 θr\theta_r

入射波向量與界面法線(xx 方向)的夾角為 60∘60^\circ。由史涅耳定律

ε1μ1sin⁡θi=ε2μ2sin⁡θr.\sqrt{\varepsilon_1\mu_1}\sin\theta_i =\sqrt{\varepsilon_2\mu_2}\sin\theta_r.

本題 μ1=μ2=μ0\mu_1=\mu_2=\mu_0,且 ε2=1.5ε0\varepsilon_2=1.5\varepsilon_0,所以

sin⁡θr=sin⁡60∘1.5=12.\sin\theta_r =\frac{\sin60^\circ}{\sqrt{1.5}} =\frac{1}{\sqrt2}.

因此

θr=45∘.\boxed{\theta_r=45^\circ}.

(3)反射係數 Γ\Gamma

兩介質的本徵阻抗為

η1=η0,η2=η01.5.\eta_1=\eta_0,\qquad \eta_2=\frac{\eta_0}{\sqrt{1.5}}.

取圖示相容的反射電場單位方向

e^r=32x^+12z^,\hat{\mathbf e}_r=\frac{\sqrt3}{2}\hat{\mathbf x} +\frac12\hat{\mathbf z},

並令反射電場振幅為 ΓE0\Gamma E_0、折射電場振幅為 TE0T E_0。由界面切向電場連續:

−12+Γ2=−T2,T=1−Γ2.-\frac12+\frac{\Gamma}{2}=-\frac{T}{\sqrt2}, \qquad T=\frac{1-\Gamma}{\sqrt2}.

入射、反射與折射磁場的切向分量連續,得

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第 4 題25 分

如圖三所示,為一傳輸線,開關 SS 於 t=0t=0 時關閉。

(每小題 5 分,共 25 分)

(1)計算負載端(z=ℓz=\ell)的電壓波反射係數 ΓL\Gamma_L。

(2)計算電源端(z=0z=0)的電壓波反射係數 ΓS\Gamma_S。

(3)計算在 z=ℓ/2z=\ell/2、t=3 μst=3\ \mu\mathrm{s} 時的電壓。

(4)計算在 z=ℓ/2z=\ell/2、t=3 μst=3\ \mu\mathrm{s} 時的電流。

(5)計算在 z=ℓ/2z=\ell/2、t→∞t\to\infty 時的電壓。

圖三電路參數如下:

  • 電源電壓:100 V100\ \mathrm{V}
  • 電源內阻:40 Ω40\ \Omega
  • 特性阻抗:Z0=60 ΩZ_0=60\ \Omega
  • 傳輸時間:T=1 μsT=1\ \mu\mathrm{s}
  • 負載阻抗:120 Ω120\ \Omega
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核心觀念

本題考查無損傳輸線的暫態反射與多重反射。電壓波反射係數定義為

Γ=Z端−Z0Z端+Z0\Gamma=\frac{Z_{\text{端}}-Z_0}{Z_{\text{端}}+Z_0}

其中,負載端以 ZLZ_L 代入;電源端以電源內阻 RSR_S 代入。開關閉合後,電源送入傳輸線的初始入射電壓為

V0+=VSZ0RS+Z0V_0^+=V_S\frac{Z_0}{R_S+Z_0}

沿 +z+z 方向傳播的電壓波與電流波同向;沿 −z-z 方向傳播的電壓波與電流波反向。因此,某點的總電壓是兩方向電壓波相加,總電流則是兩方向電流波相減。

解題方法

先求兩端反射係數與初始入射波,再依傳輸時間排列波前到達各位置的時刻。題目給的 T=1 μsT=1\,\mu\mathrm{s} 為傳輸線單程傳輸時間,因此從一端到線段中點需時 T/2=0.5 μsT/2=0.5\,\mu\mathrm{s}。

(1)負載端電壓波反射係數

ΓL=ZL−Z0ZL+Z0=120−60120+60=13\Gamma_L=\frac{Z_L-Z_0}{Z_L+Z_0} =\frac{120-60}{120+60} =\frac13

(2)電源端電壓波反射係數

ΓS=RS−Z0RS+Z0=40−6040+60=−15\Gamma_S=\frac{R_S-Z_0}{R_S+Z_0} =\frac{40-60}{40+60} =-\frac15

(3)、(4)中點在 t=3 μst=3\,\mu\mathrm{s} 的電壓與電流

開關閉合後的初始入射波為

V0+=1006040+60=60 VV_0^+=100\frac{60}{40+60}=60\ \mathrm{V}

各波前的到達時刻與反射振幅如下:

波前事件時刻電壓波振幅
初始入射波到達中點0.5 μs0.5\,\mu\mathrm{s}+60 V+60\ \mathrm{V}
初始波到達負載並反射1 μs1\,\mu\mathrm{s}ΓL(60)=+20 V\Gamma_L(60)=+20\ \mathrm{V},向 −z-z
負載反射波到達中點1.5 μs1.5\,\mu\mathrm{s}+20 V+20\ \mathrm{V}
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