110 地方特考三等 化學工程 物理化學(包括化工熱力學) 考古題詳解

110 年・地方特考・三等・化學工程
試題代碼 物理化學(包括化工熱力學)

第 一 題25 分

【計算需用常數】 氣體常數(gas constant):R=8.3145 J⋅K−1⋅mol−1=0.08315 bar⋅dm3⋅K−1⋅mol−1=0.08206 atm⋅dm3⋅K−1⋅mol−1R = 8.3145\text{ J}\cdot\text{K}^{-1}\cdot\text{mol}^{-1} = 0.08315\text{ bar}\cdot\text{dm}^3\cdot\text{K}^{-1}\cdot\text{mol}^{-1} = 0.08206\text{ atm}\cdot\text{dm}^3\cdot\text{K}^{-1}\cdot\text{mol}^{-1}

針對一 0.50 mole0.50\text{ mole} 理想氣體,其定容熱容(constant volume heat capacity)CV=1.5RC_V = 1.5R,RR 為氣體常數,由起始條件壓力 P=3.25 barP = 3.25\text{ bar} 與溫度 T=300 KT = 300\text{ K} 經絕熱膨脹(adiabatic expansion)過程至壓力 1.00 bar1.00\text{ bar}。

(一) 假設經由可逆絕熱膨脹(reversible adiabatic expansion)過程至 1.00 bar1.00\text{ bar},試求系統最後溫度與該膨脹過程熵變化量(entropy change)。(12 分)

(二) 設若外壓(external pressure)保持為 1.00 bar1.00\text{ bar} 條件下,系統之壓力經由絕熱膨脹(adiabatic expansion)過程下降至 1.00 bar1.00\text{ bar},試求系統最後溫度與該膨脹過程熵變化量(entropy change)。(13 分)

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核心觀念

本題比較兩種「絕熱膨脹」:

  1. 可逆絕熱膨脹:過程中系統壓力與外壓幾乎處處相等,屬於可逆過程,因此 ΔS系統=0\Delta S_{\text{系統}}=0

  2. 定外壓 1.00 bar1.00\text{ bar} 的絕熱膨脹:系統與外界壓力不相等,屬於不可逆過程。雖然 q=0q=0 但系統熵變不一定為零,必須利用理想氣體的狀態函數公式計算。

已知:

n=0.50 mol,CV=1.5Rn=0.50\text{ mol},\qquad C_V=1.5R

因此

CP=CV+R=2.5RC_P=C_V+R=2.5R

以及

γ=CPCV=2.5R1.5R=53\gamma=\frac{C_P}{C_V}=\frac{2.5R}{1.5R}=\frac{5}{3}

採用熱力學慣例:

ΔU=q+w,w=−∫Pext dV\Delta U=q+w,\qquad w=-\int P_{\text{ext}}\,dV


(一)可逆絕熱膨脹

解題方法

可逆絕熱過程滿足:

PVγ=常數PV^\gamma=\text{常數}

由理想氣體方程式可得可逆絕熱關係:

T2T1=(P2P1)(γ−1)/γ\frac{T_2}{T_1} = \left(\frac{P_2}{P_1}\right)^{(\gamma-1)/\gamma}

其中

P1=3.25 bar,T1=300 K,P2=1.00 barP_1=3.25\text{ bar},\quad T_1=300\text{ K},\quad P_2=1.00\text{ bar}

且

γ−1γ=5/3−15/3=25\frac{\gamma-1}{\gamma} = \frac{5/3-1}{5/3} = \frac{2}{5}

因此

T2=300(1.003.25)2/5T_2 = 300 \left(\frac{1.00}{3.25}\right)^{2/5} T2=300(0.307692)0.4≈187.2 KT_2 = 300(0.307692)^{0.4} \approx 187.2\text{ K}

所以系統最後溫度為:

T2≈187.2 K\boxed{T_2\approx 187.2\text{ K}}

熵變化量

熵變是狀態函數,可使用理想氣體公式:

ΔS=nCPln⁡T2T1−nRln⁡P2P1\Delta S = nC_P\ln\frac{T_2}{T_1} - nR\ln\frac{P_2}{P_1}

代入可逆絕熱關係:

ln⁡T2T1=γ−1γln⁡P2P1\ln\frac{T_2}{T_1} = \frac{\gamma-1}{\gamma} \ln\frac{P_2}{P_1}

由於

CPγ−1γ=RC_P\frac{\gamma-1}{\gamma}=R

故兩項完全抵消:

ΔS=0\Delta S=0

亦可直接由「可逆絕熱」定義判定:

ΔS=0 J⋅K−1\boxed{\Delta S=0\text{ J}\cdot\text{K}^{-1}}


(二)外壓固定為 1.00 bar1.00\text{ bar} 的絕熱膨脹

解題方法

此過程的外壓保持不變:

Pext=1.00 barP_{\text{ext}}=1.00\text{ bar}

系統膨脹至最後平衡時,系統壓力也為:

P2=Pext=1.00 barP_2=P_{\text{ext}}=1.00\text{ bar}

由於為絕熱過程:

q=0q=0

故第一定律為:

ΔU=w\Delta U=w

理想氣體內能變化為:

ΔU=nCV(T2−T1)\Delta U=nC_V(T_2-T_1)

定外壓膨脹功為:

w=−Pext(V2−V1)w=-P_{\text{ext}}(V_2-V_1)

又由理想氣體方程式:

V1=nRT1P1,V2=nRT2P2V_1=\frac{nRT_1}{P_1},\qquad V_2=\frac{nRT_2}{P_2}

因為 P2=PextP_2=P_{\text{ext}},所以

w=−P2(nRT2P2−nRT1P1)w = -P_2 \left( \frac{nRT_2}{P_2} - \frac{nRT_1}{P_1} \right)

整理得:

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第 二 題25 分

針對電池 Tl∣TlCl(s)∣CdCl2(0.01m)∣Cd\mathrm{Tl} \mid \mathrm{TlCl(s)} \mid \mathrm{CdCl}_2(0.01\text{m}) \mid \mathrm{Cd}:

(一) 試寫出該電池陰極及陽極的半反應式及其全反應式。(10 分)

(二) 在 25∘C25^\circ\text{C} 條件下根據下列數據: Tl++e−→TlE∘=−0.34 V\mathrm{Tl}^+ + e^- \rightarrow \mathrm{Tl} \quad E^\circ = -0.34\text{ V} Cd2++2e−→CdE∘=−0.40 V\mathrm{Cd}^{2+} + 2e^- \rightarrow \mathrm{Cd} \quad E^\circ = -0.40\text{ V} 在 25∘C25^\circ\text{C} 條件下,TlCl\mathrm{TlCl} 在水中的溶解度積(solubility product)為 1.6×10−3 mol2⋅dm−61.6 \times 10^{-3}\text{ mol}^2\cdot\text{dm}^{-6}。法拉第常數(Faraday constant, FF)=96485 C/mol= 96485\text{ C/mol}。 試求在 25∘C25^\circ\text{C} 條件下該電池的電極電位(EE)與標準電極電位(E∘E^\circ)。(15 分)

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核心觀念

本題考查:

  1. 電池陰極、陽極的判定。
  2. 不溶鹽電極 TlCl(s)/Tl\mathrm{TlCl(s)/Tl} 的半反應。
  3. 溶解度積與離子濃度的關係: Ksp=aTl+aCl−K_{sp}=a_{\mathrm{Tl^+}}a_{\mathrm{Cl^-}}
  4. 能斯特方程式: E=E∘−RTnFln⁡QE=E^\circ-\frac{RT}{nF}\ln Q

在 25∘C25^\circ\mathrm{C} 時,也可寫成: E=E∘−0.05916nlog⁡QE=E^\circ-\frac{0.05916}{n}\log Q

以題目給定之稀溶液濃度近似活度,即以濃度代替活度。


解題方法

先由標準還原電位判斷兩電極的還原傾向,再利用 CdCl2\mathrm{CdCl_2} 提供的氯離子濃度與 TlCl\mathrm{TlCl} 的溶解度積,求出 Tl+\mathrm{Tl^+} 濃度,最後分別計算兩電極電位及電池電位。


(一)陰極、陽極半反應及全反應

標準還原電位為:

ETl+/Tl∘=−0.34 VE^\circ_{\mathrm{Tl^+/Tl}}=-0.34\ \mathrm{V} ECd2+/Cd∘=−0.40 VE^\circ_{\mathrm{Cd^{2+}/Cd}}=-0.40\ \mathrm{V}

Tl+\mathrm{Tl^+} 的還原電位較高,因此 TlCl/Tl\mathrm{TlCl/Tl} 電極為陰極,發生還原反應;鎘電極為陽極,發生氧化反應。

陰極半反應

不溶鹽電極應寫成:

TlCl(s)+e−→Tl(s)+Cl−\mathrm{TlCl(s)+e^-\rightarrow Tl(s)+Cl^-}

配合電子數,寫為:

2TlCl(s)+2e−→2Tl(s)+2Cl−\mathrm{2TlCl(s)+2e^-\rightarrow 2Tl(s)+2Cl^-}

亦可先寫成 Tl++e−→Tl\mathrm{Tl^++e^-\rightarrow Tl},但由於電極中實際存在的是固態 TlCl\mathrm{TlCl},完整電池反應宜採用上述不溶鹽電極形式。

陽極半反應

Cd(s)→Cd2++2e−\mathrm{Cd(s)\rightarrow Cd^{2+}+2e^-}

全反應

相加後得:

Cd(s)+2TlCl(s)→Cd2++2Cl−+2Tl(s)\boxed{\mathrm{Cd(s)+2TlCl(s)\rightarrow Cd^{2+}+2Cl^-+2Tl(s)}}

若以溶液中的 Tl+\mathrm{Tl^+} 表示,等效的離子反應為:

Cd(s)+2Tl+→Cd2++2Tl(s)\mathrm{Cd(s)+2Tl^+\rightarrow Cd^{2+}+2Tl(s)}

(二)計算電池電位與標準電池電位

1. 求氯離子濃度

題目給定:

CdCl2=0.01 m\mathrm{CdCl_2}=0.01\ \mathrm{m}

假設完全解離:

CdCl2→Cd2++2Cl−\mathrm{CdCl_2\rightarrow Cd^{2+}+2Cl^-}

因此:

[Cd2+]=0.01 M[\mathrm{Cd^{2+}}]=0.01\ \mathrm{M} [Cl−]=2(0.01)=0.02 M[\mathrm{Cl^-}]=2(0.01)=0.02\ \mathrm{M}

2. 由溶解度積求 Tl+\mathrm{Tl^+} 濃度

對於:

TlCl(s)⇌Tl++Cl−\mathrm{TlCl(s)\rightleftharpoons Tl^++Cl^-}

溶解度積為:

Ksp=[Tl+][Cl−]K_{sp}=[\mathrm{Tl^+}][\mathrm{Cl^-}]

代入數值:

1.6×10−3=[Tl+](0.02)1.6\times10^{-3} =[\mathrm{Tl^+}](0.02)

所以:

[Tl+]=1.6×10−30.02=0.08 M[\mathrm{Tl^+}] =\frac{1.6\times10^{-3}}{0.02} =0.08\ \mathrm{M}

3. 計算鉈電極的還原電位

對反應:

Tl++e−→Tl\mathrm{Tl^++e^-\rightarrow Tl}

能斯特方程式為:

ETl=ETl+/Tl∘+0.05916log⁡[Tl+]E_{\mathrm{Tl}} =E^\circ_{\mathrm{Tl^+/Tl}} +0.05916\log[\mathrm{Tl^+}]

代入:

ETl=−0.34+0.05916log⁡(0.08)E_{\mathrm{Tl}} =-0.34+0.05916\log(0.08)

因為:

log⁡(0.08)=−1.0969\log(0.08)=-1.0969

故:

ETl=−0.34−0.0649=−0.4049 VE_{\mathrm{Tl}} =-0.34-0.0649 =-0.4049\ \mathrm{V}

因此:

ETl≈−0.405 V\boxed{E_{\mathrm{Tl}}\approx -0.405\ \mathrm{V}}

這也是 TlCl/Tl\mathrm{TlCl/Tl} 不溶鹽電極在本題條件下的電極電位。


4. 計算鎘電極的還原電位

對反應:

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第 三 題25 分

純物質 A\mathrm{A} 與純物質 B\mathrm{B} 的雙成分系統在溫度 300 K300\text{ K} 與壓力 17.0 bar17.0\text{ bar} 條件下,形成氣液兩相同平衡(vapor-liquid equilibrium),物質 A\mathrm{A} 在液相中的莫耳分率(xAx_{\mathrm{A}})為 0.0870.087,物質 B\mathrm{B} 在氣相中的成分組成可以忽略,亦即氣相可視為純物質 A\mathrm{A} 所組成,物質 A\mathrm{A} 在氣相中的莫耳分率(yAy_{\mathrm{A}})為 1.001.00。純物質 A\mathrm{A} 在溫度 300 K300\text{ K},不同壓力條件下的壓縮係數(compressibility factor, zz)的實驗數據如下:

P/barP/\text{bar}005510101717
z(=PVNRT)z \left(= \frac{PV}{NRT}\right)110.9900.9900.9800.9800.9660.966

(一) 試求純物質 A\mathrm{A} 在上述氣液兩相同平衡之液相中的逸壓(fugacity)。(15 分)

(二) 試求純物質 A\mathrm{A} 在溶劑(純物質 B\mathrm{B})中的亨利常數(Henry's constant)。(10 分)

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核心觀念

本題考查三個重點:

  1. 純物質氣體的逸度與壓縮係數 zz 的關係:
ln⁡(fP)=∫0Pz−1P dP\ln\left(\frac{f}{P}\right) =\int_0^P\frac{z-1}{P}\,dP
  1. 氣液平衡時,成分在兩相中的逸度相等: fA(L)=fA(V)f_A^{(L)}=f_A^{(V)}

  2. 稀溶液中溶質的亨利定律: fA(L)=HAxAf_A^{(L)}=H_Ax_A

其中 HAH_A 為物質 A 溶於純物質 B 時的亨利常數。


解題方法

一、由壓縮係數求氣相中 A 的逸度

對純物質 A 而言,在固定溫度下:

ln⁡(fAP)=∫0Pz−1P dP\ln\left(\frac{f_A}{P}\right) =\int_0^P\frac{z-1}{P}\,dP

由題目數據可見:

P  (bar)z−15−0.01010−0.02017−0.034\begin{array}{c|c} P\;(\text{bar}) & z-1\\ \hline 5 & -0.010\\ 10 & -0.020\\ 17 & -0.034 \end{array}

可得 zz 與 PP 呈線性關係:

z=1−0.002Pz=1-0.002P

因此:

z−1=−0.002Pz-1=-0.002P

代入逸度公式:

ln⁡(fA(V)P)=∫017−0.002PP dP\ln\left(\frac{f_A^{(V)}}{P}\right) =\int_0^{17}\frac{-0.002P}{P}\,dP =∫017−0.002 dP=−0.034=\int_0^{17}-0.002\,dP =-0.034

所以氣相逸度係數為:

ϕA(V)=fA(V)P=e−0.034=0.9666\phi_A^{(V)} =\frac{f_A^{(V)}}{P} =e^{-0.034} =0.9666

在 P=17.0 barP=17.0\text{ bar} 時:

fA(V)=PϕA(V)=17.0(0.9666)f_A^{(V)} =P\phi_A^{(V)} =17.0(0.9666) fA(V)=16.43 barf_A^{(V)}=16.43\text{ bar}

二、利用氣液平衡求液相中 A 的逸度

氣液兩相達平衡時:

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第 四 題25 分

下列數據是在溫度 0∘C0^\circ\text{C} 條件下,氫氣在 1.00 g1.00\text{ g} 銅上的吸附量。下列氫氣體積是在溫度 0∘C0^\circ\text{C} 與壓力 1 atm1\text{ atm} 條件下量測。該實驗數據符合 Langmuir 吸附等溫方程式。

P/atmP/\text{atm}0.0500.0500.1000.1000.150.150.2000.2000.2500.250
V/mLV/\text{mL}1.221.221.331.331.311.311.361.361.401.40

試求在 1.00 g1.00\text{ g} 銅上的氫吸附形成一單層(monolayer)的飽和吸附量與這 1.00 g1.00\text{ g} 銅所具有的總表面積。液態氫的密度(density)為 0.0708 g/cm30.0708\text{ g/cm}^3。〔亞佛加厥常數為 6.02×1023 mol−16.02 \times 10^{23}\text{ mol}^{-1}〕(25 分)

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核心觀念

Langmuir 吸附等溫式假設固體表面具有數目固定、能形成單分子層的吸附位置,吸附量可表示為

V=VmbP1+bPV=\frac{V_m bP}{1+bP}

其中:

  • VV:壓力 PP 下的吸附氣體體積
  • VmV_m:形成單層吸附時的飽和吸附量
  • bb:與吸附平衡有關的常數

將式子倒數整理為線性形式:

PV=1Vmb+PVm\frac{P}{V} = \frac{1}{V_m b}+\frac{P}{V_m}

因此以 PV\frac{P}{V} 對 PP 作圖,直線斜率為 1Vm\frac{1}{V_m},即可求得單層飽和吸附量 VmV_m。


解題方法

一、整理 PV\frac{P}{V} 數據

PP / atmVV / mLP/VP/V / atm·mL−1^{-1}
0.0501.220.04098
0.1001.330.07519
0.1501.310.11450
0.2001.360.14706
0.2501.400.17857

令

x=P,y=PVx=P,\qquad y=\frac{P}{V}

以最小平方法對上述資料作直線迴歸:

PV=a+sP\frac{P}{V}=a+sP

所得結果約為

PV=0.00714+0.6941P\frac{P}{V} = 0.00714+0.6941P

與 Langmuir 線性式比較:

PV=1Vmb+PVm\frac{P}{V} = \frac{1}{V_m b}+\frac{P}{V_m}

故直線斜率滿足

1Vm=0.6941 atm⋅mL−1\frac{1}{V_m}=0.6941\ \text{atm·mL}^{-1}

因此

Vm=10.6941≈1.44 mLV_m=\frac{1}{0.6941} \approx 1.44\ \text{mL}

所以,1.00 g1.00\ \text{g} 銅表面形成單層氫吸附時的飽和吸附量為

Vm≈1.44 mL\boxed{V_m\approx 1.44\ \text{mL}}

此體積是在 0∘C0^\circ\text{C}、1 atm1\ \text{atm} 下量得。


二、求單層吸附的氫分子數

在 0∘C0^\circ\text{C}、1 atm1\ \text{atm} 下,氣體莫耳體積為

Vmolar≈22 400 mL mol−1V_{\text{molar}}\approx 22\,400\ \text{mL mol}^{-1}

因此單層氫氣的莫耳數為

nH2=1.4422 400≈6.43×10−5 moln_{\mathrm{H_2}} = \frac{1.44}{22\,400} \approx 6.43\times10^{-5}\ \text{mol}

氫分子數為

N=nH2NA=(6.43×10−5)(6.02×1023)N = n_{\mathrm{H_2}}N_A = (6.43\times10^{-5})(6.02\times10^{23})
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