111 高普考高考三級 輻射安全 輻射度量 考古題詳解

111 年・高普考・高考三級・輻射安全
試題代碼 輻射度量

第 一 題20 分

請試述下列名詞之意涵:

(一) 內轉換(internal conversion)。

(二) 宇宙射線(cosmic radiation)。

(三) 中子有效增殖因數(effective multiplication factor)。

(四) 固有能峰效率(intrinsic peak efficiency)。

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題涵蓋《輻射度量》與《核子工程導論》四大核心基礎概念:

  1. 核物理衰變與躍遷機制:內轉換(Internal Conversion)之物理本質、能量守恆關係與伴隨效應。
  2. 環境背景輻射:宇宙射線(Cosmic Radiation)之起源、初級與次級射線成分及環境影響因子。
  3. 中子物理與臨界特性:有效增殖因數(Effective Multiplication Factor, keffk_{\text{eff}})的定義、六因子物理意義及反應器臨界狀態判定。
  4. 偵檢器度量特性:固有能峰效率(Intrinsic Peak Efficiency)之數學定義、與幾何效率/全效率之關係,以及在能譜分析中的實務意義。

解題方法

本題為標準的國家考試名詞解釋申論題。作答時切忌僅以一句話帶過,應依據「物理定義 →\rightarrow 數學公式/能量關係 →\rightarrow 衍生或伴隨現象/分類 →\rightarrow 度量應用與特性」的架構完整開展,方能取得滿分評價。


各題完整詳解

(一) 內轉換(Internal Conversion, IC)

  1. 物理定義: 激發態原子核在進行退激發(De-excitation)回到基態或較低能階時,並未發射 γ\gamma 射線光子,而是透過原子核與軌道電子的庫侖交互作用,直接將躍遷能量轉移給內層軌道電子(主要為 K、L、M 層),使其克服束縛能而游離發射出原子之外。該游離出的電子稱為內轉換電子(Conversion Electron)。

  2. 能量關係與能譜特性: 內轉換電子的動能 EeE_e 為單一能量(Monoenergetic),呈現線狀能譜(Line Spectrum),其能量關係式為: Ee=Eex−BeE_e = E_{\text{ex}} - B_e 其中:

  • EexE_{\text{ex}} 為原子核躍遷能階差(相當於若發射 γ\gamma 光子時之光子能量 EγE_\gamma)。
  • BeB_e 為該軌道電子的結合能(Binding Energy)。
  1. 內轉換係數(Internal Conversion Coefficient, α\alpha): 內轉換與 γ\gamma 衰變為互相競爭的退激發途徑,競爭程度以內轉換係數表示: α=λeλγ=NeNγ=αK+αL+αM+⋯\alpha = \frac{\lambda_e}{\lambda_\gamma} = \frac{N_e}{N_\gamma} = \alpha_K + \alpha_L + \alpha_M + \cdots
  • α\alpha 隨原子序 ZZ 增大而顯著增加(約正比於 Z3∼Z4Z^3 \sim Z^4)。
  • α\alpha 隨躍遷能量 EexE_{\text{ex}} 增加而減小。
  • α\alpha 隨多極階數(Multipolarity, LL)增加而顯著上升。
  1. 伴隨輻射效應: 內層軌道電子脫離後產生電洞,外層軌道電子向下遞補時,會伴隨釋放出特性 X 射線(Characteristic X-ray)或俄歇電子(Auger Electron),在輻射度量時常構成低能區的干擾或特性鑑別依據。

(二) 宇宙射線(Cosmic Radiation)

  1. 定義與來源: 宇宙射線指來自外太空(包含銀河系深空高能事件、超新星爆炸殘骸及太陽風耀斑等)穿透至地球大氣層的高能帶電粒子與次級游離輻射,為地表天然背景輻射(Natural Background Radiation)的主要成分之一。

  2. 成分分類:

  • 初級宇宙射線(Primary Cosmic Radiation): 進入大氣層前的高能粒子,主要成分為高能質子(Protons,約佔 85%~90%)、α\alpha 粒子(氦核,約佔 9%~14%),以及少量的高 ZZ 重離子(HZE particles)與電子。
  • 次級宇宙射線(Secondary Cosmic Radiation): 初級粒子與大氣層頂部的氮、氧原子核發生高能散裂反應(Spallation)與核反應後所產生的粒子瀑(Air Shower)。到達海平面時主要分為兩大成份:
  1. 硬成份(Hard component):以帶電緲子(Muon, μ±\mu^{\pm})為主,穿透力極強,佔海平面帶電通量的 70%~80%。

  2. 軟成份(Soft component):由高能電子、正電子(e±e^{\pm})及光子(γ\gamma)組成的電磁串級,容易被薄鉛屏蔽吸收。

  3. 中子成份:高能中子經大氣減速後形成的快中子與熱中子通量。

  4. 度量影響因素與宇宙成因核種:

  • 高度效應(Altitude Effect):隨海拔高度增加,大氣屏蔽層變薄,宇宙射線劑量率大致呈指數遞增(航空飛行劑量評估重點)。
  • 緯度效應(Latitude Effect):受地磁場(Geomagnetic field)偏轉屏蔽影響,地磁赤道通量最低,地磁兩極通量最高。
  • 宇宙成因核種(Cosmogenic Radionuclides):宇宙中子與大氣核反應會持續生成天然放射性核種,如 14N(n,p)14C^{14}\text{N}(n, p){}^{14}\text{C} 與 14N(n,t)12C^{14}\text{N}(n, t){}^{12}\text{C}(生成 3H^{3}\text{H}),為低背景度量重要的環境背景來源。

(三) 中子有效增殖因數(Effective Multiplication Factor, keffk_{\text{eff}})

  1. 物理定義: 在有限幾何尺寸之實際核分裂系統(如反應器爐心)中,某一世代所產生的分裂中子總數與前一世代因吸收(Absorption)及外洩(Leakage)而損失的中子總數之比值。代表中子連鎖反應自持維持或增長之能力。

  2. 數學公式與六因子公式(Six-Factor Formula): keff=第 n+1 世代產生的分裂中子數第 n 世代因吸收與洩漏而消失的中子數=k∞⋅PNLk_{\text{eff}} = \frac{\text{第 } n+1 \text{ 世代產生的分裂中子數}}{\text{第 } n \text{ 世代因吸收與洩漏而消失的中子數}} = k_\infty \cdot P_{\text{NL}} 展開為六因子公式: keff=η⋅ε⋅p⋅f⋅PFNL⋅PTNLk_{\text{eff}} = \eta \cdot \varepsilon \cdot p \cdot f \cdot P_{\text{FNL}} \cdot P_{\text{TNL}} 其中:

  • k∞k_\infty:無限介質增殖因數(四因子 η⋅ε⋅p⋅f\eta \cdot \varepsilon \cdot p \cdot f)。
  • η\eta:熱中子再生因數(Thermal fission factor)。
🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享 3 天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 二 題20 分

137Cs^{137}\mathrm{Cs} 衰變時放出 0.662 MeV0.662\ \mathrm{MeV} 的光子,此光子與物質作用產生康普頓散射(Compton scattering),光子的散射角度為 150∘150^\circ。

(一) 請計算反跳電子所獲得的能量與反跳電子的散射角度為何?

(二) 請詳述電子與物質作用的種類與物質原子序的關係。

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

  1. 康普頓散射(Compton Scattering)運動學:
  • 能量守恆:入射光子能量等於散射光子能量與反跳電子動能之和,E=E′+TeE = E' + T_e。
  • 動量守恆:入射光子動量等於散射光子動量向量與反跳電子動量向量之和,分解為入射線方向(平行)與垂直方向。
  • 散射光子能量公式: E′=E1+α(1−cos⁡θ)E' = \frac{E}{1 + \alpha(1 - \cos\theta)} 其中 α=Em0c2\alpha = \frac{E}{m_0 c^2}(m0c2≈0.511 MeVm_0 c^2 \approx 0.511\ \mathrm{MeV} 為電子靜止能量),θ\theta 為光子散射角。
  • 反跳電子動能: Te=E−E′=E[α(1−cos⁡θ)1+α(1−cos⁡θ)]T_e = E - E' = E \left[ \frac{\alpha(1 - \cos\theta)}{1 + \alpha(1 - \cos\theta)} \right]
  • 反跳電子散射角 ϕ\phi(相對於入射光子前進方向)與光子散射角 θ\theta 的關係式: tan⁡ϕ=E′sin⁡θE−E′cos⁡θ或cot⁡ϕ=(1+α)tan⁡(θ2)\tan\phi = \frac{E' \sin\theta}{E - E' \cos\theta} \quad \text{或} \quad \cot\phi = (1 + \alpha)\tan\left(\frac{\theta}{2}\right)
  1. 帶電粒子(電子)與物質交互作用之分類與原子序 ZZ 之依存性:
  • 非彈性碰撞(Inelastic collision with atomic electrons):引發軌道電子之激發(Excitation)與游離(Ionization),此為碰撞損失(Collision stopping power)。
  • 非彈性碰撞(Inelastic collision with atomic nuclei):電子受原子核庫侖場偏轉產生減速加速度,輻射出連續光子,稱為制動輻射(Bremsstrahlung),此為輻射損失(Radiative stopping power)。
  • 彈性庫侖散射(Elastic scattering with atomic nuclei & electrons):方向劇烈偏轉但不損失能量(主要為與原子核作用之盧瑟福散射,引發多次散射與反向散射)。
  • 正負電子對湮滅(Annihilation):若為正電子,在射程末端熱化後與介質負電子湮滅產生兩枚 0.511 MeV0.511\ \mathrm{MeV} 光子。

解題方法

(一) 計算反跳電子所獲得的能量與反跳電子的散射角度

  1. 已知參數:
  • 入射光子能量 E=0.662 MeVE = 0.662\ \mathrm{MeV}
  • 電子靜止質量能量 m0c2≈0.511 MeVm_0 c^2 \approx 0.511\ \mathrm{MeV}
  • 光子散射角 θ=150∘\theta = 150^\circ
  • 無因次能量比 α=Em0c2=0.6620.511≈1.2955\alpha = \frac{E}{m_0 c^2} = \frac{0.662}{0.511} \approx 1.2955
  1. 計算散射光子能量 E′E':
  • 計算幾何項: cos⁡150∘=−32≈−0.8660\cos 150^\circ = -\frac{\sqrt{3}}{2} \approx -0.8660 1−cos⁡150∘=1−(−0.8660)=1.86601 - \cos 150^\circ = 1 - (-0.8660) = 1.8660
  • 代入康普頓公式: E′=0.6621+1.2955×1.8660=0.6621+2.4174=0.6623.4174≈0.1937 MeV=193.7 keVE' = \frac{0.662}{1 + 1.2955 \times 1.8660} = \frac{0.662}{1 + 2.4174} = \frac{0.662}{3.4174} \approx 0.1937\ \mathrm{MeV} = 193.7\ \mathrm{keV}
  1. 計算反跳電子所獲得的能量 TeT_e:
  • 由能量守恆定律: Te=E−E′=0.662 MeV−0.1937 MeV=0.4683 MeV≈0.468 MeV=468.3 keVT_e = E - E' = 0.662\ \mathrm{MeV} - 0.1937\ \mathrm{MeV} = 0.4683\ \mathrm{MeV} \approx 0.468\ \mathrm{MeV} = 468.3\ \mathrm{keV}
  1. 計算反跳電子的散射角度 ϕ\phi:
  • 方法一(利用動量垂直分量與水平分量之比值): 由垂直方向動量守恆:pesin⁡ϕ=E′csin⁡θp_e \sin\phi = \frac{E'}{c} \sin\theta 由平行方向動量守恆:pecos⁡ϕ=Ec−E′ccos⁡θp_e \cos\phi = \frac{E}{c} - \frac{E'}{c} \cos\theta 兩式相除得: tan⁡ϕ=E′sin⁡θE−E′cos⁡θ\tan\phi = \frac{E' \sin\theta}{E - E' \cos\theta} 代入數值(sin⁡150∘=0.5\sin 150^\circ = 0.5): tan⁡ϕ=0.1937×0.50.662−0.1937×(−0.8660)=0.096850.662+0.1677=0.096850.8297≈0.1167\tan\phi = \frac{0.1937 \times 0.5}{0.662 - 0.1937 \times (-0.8660)} = \frac{0.09685}{0.662 + 0.1677} = \frac{0.09685}{0.8297} \approx 0.1167 ϕ=arctan⁡(0.1167)≈6.66∘\phi = \arctan(0.1167) \approx 6.66^\circ

  • 方法二(利用角度標準轉換公式驗算): cot⁡ϕ=(1+α)tan⁡(θ2)\cot\phi = (1 + \alpha)\tan\left(\frac{\theta}{2}\right) 將 θ=150∘\theta = 150^\circ(θ2=75∘\frac{\theta}{2} = 75^\circ)代入: tan⁡75∘=2+3≈3.732\tan 75^\circ = 2 + \sqrt{3} \approx 3.732 cot⁡ϕ=(1+1.2955)×3.732=2.2955×3.732≈8.567\cot\phi = (1 + 1.2955) \times 3.732 = 2.2955 \times 3.732 \approx 8.567 tan⁡ϕ=18.567≈0.1167  ⟹  ϕ≈6.66∘\tan\phi = \frac{1}{8.567} \approx 0.1167 \implies \phi \approx 6.66^\circ


(二) 電子與物質交互作用的種類與物質原子序 ZZ 的關係

電子為輕帶電粒子,穿透物質時主要透過下列四種機制與靶物質原子交互作用,各機制與原子序 ZZ 之依存關係如下:

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享 3 天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 三 題20 分

氬氣的平均游離能為每 26.2 eV26.2\ \mathrm{eV} 產生一個離子對(ion pair),范諾因數(Fano factor)為 0.170.17。

(一) 請計算當氬氣吸收了 1 MeV1\ \mathrm{MeV} 的輻射能量,平均產生離子對的數目與標準差。

(二) 請詳細說明為何空氣不常使用於比例計數器中?

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

  1. 平均游離能(WW-value): 帶電粒子在氣體中損失能量時,每產生一個離子對(ion pair, ip)所需的平均能量以 WW 表示。若沉積總能量為 EE,則平均產生的離子對數 Nˉ\bar{N} 為: Nˉ=EW\bar{N} = \frac{E}{W}

  2. 范諾因數(Fano Factor, FF)與離子對統計漲落: 若游離事件完全互相獨立,離子對產生數將服從卜瓦松分佈(Poisson distribution),其變異數為 σ2=Nˉ\sigma^2 = \bar{N}。然而,粒子在氣體中損失能量時,能量轉移受能量守恆限制,且能量會分配於「游離」與「激發」之間,各游離事件並非完全獨立。范諾因數 FF 定義為實際觀察到的變異數與卜瓦松預測變異數之比: F=σN2Nˉ  ⟹  σN=F⋅NˉF = \frac{\sigma_N^2}{\bar{N}} \implies \sigma_N = \sqrt{F \cdot \bar{N}} 氣體探測器的 FF 值通常小於 11(約在 0.1∼0.20.1 \sim 0.2),這使得實際離子對數目的統計漲落(標準差)遠小於純卜瓦松分佈,從而大幅提升探測器的理論能量解析度。

  3. 比例計數器之充填氣體要求: 比例計數器(Proportional Counter)仰賴高電場下的「湯森突崩(Townsend avalanche)」產生氣體增幅(約 102∼10510^2 \sim 10^5 倍)。自由電子必須在朝陽極絲漂移的過程中累積足夠動能激發二次游離;因此充填氣體絕不可具強「電負性(electronegativity)」,以免在突崩前捕捉電子。


解題方法

(一) 計算平均離子對數與標準差

  1. 已知數據整理:
  • 入射輻射吸收能量:E=1 MeV=106 eVE = 1\ \mathrm{MeV} = 10^6\ \mathrm{eV}
  • 氬氣平均游離能:W=26.2 eV/ipW = 26.2\ \mathrm{eV/ip}
  • 范諾因數:F=0.17F = 0.17
  1. 計算平均離子對數目(Nˉ\bar{N}): Nˉ=EW=106 eV26.2 eV/ip≈38167.94≈38168 個(離子對)\bar{N} = \frac{E}{W} = \frac{10^6\ \mathrm{eV}}{26.2\ \mathrm{eV/ip}} \approx 38167.94 \approx 38168\ \text{個(離子對)}

  2. 計算離子對數目的標準差(σN\sigma_N): 代入范諾因數公式: σN=F⋅Nˉ=0.17×38167.94=6488.55≈80.55≈81 個(離子對)\sigma_N = \sqrt{F \cdot \bar{N}} = \sqrt{0.17 \times 38167.94} = \sqrt{6488.55} \approx 80.55 \approx 81\ \text{個(離子對)}


(二) 空氣不常使用於比例計數器之原因剖析

比例計數器通常採用鈍氣(如氬氣 Ar\mathrm{Ar})混合多原子猝熄氣體(如甲烷 CH4\mathrm{CH_4},即常見的 P-10\text{P-10} 氣體),極少使用空氣作為計數氣體,原因如下:

  1. 氧氣的強電負性導致電子捕捉(Electron Attachment):
  • 空氣中含有約 21%21\% 的氧氣(O2\mathrm{O_2}),氧分子具有強電負性,極易與初級游離產生的漂移電子結合,形成重負離子: e−+O2→O2−e^- + \mathrm{O}_2 \rightarrow \mathrm{O}_2^-
🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享 3 天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 四 題20 分

(一) 請說明有機閃爍體(organic scintillator)的發光原理與產生閃爍光的種類。

(二) 請說明有機閃爍體的種類、特性與用途。

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題評量考生對「輻射度量學」中有機閃爍偵檢器(Organic Scintillation Detectors)物理機制、材料分類與實務應用的完整掌握程度。核心考點包含:

  1. 發光微觀機制:有機閃爍體與無機閃爍體本質上的不同。無機閃爍體依賴晶格能帶結構(電子-電洞對、活化劑雜質能位);有機閃爍體則源自單一有機分子中 π\pi 電子系統(π\pi-electron system)之分子能階躍遷,因此在固態、液態或氣態下均具備發光能力。
  2. 分子躍遷與發光形式:雅布隆斯基能階圖(Jablonski diagram)中基態單重態(S0S_0)、激發單重態(S1,S2,…S_1, S_2, \dots)與激發三重態(T1,T2,…T_1, T_2, \dots)之間的無輻射弛豫(無輻射躍遷、振動弛豫)與輻射躍遷機制,進而區分即發螢光(Prompt Fluorescence)、延遲螢光(Delayed Fluorescence)與磷光(Phosphorescence)。
  3. 脈衝形狀鑑別(PSD, Pulse Shape Discrimination)原理:利用高游離密度粒子激發較高比例的三重態分子,經由三重態碰撞合併反應放出較高比例的慢成分(延遲螢光),作為快中子與 γ\gamma 射線鑑別的物理基礎。
  4. 材料型態與工程應用:結晶體、液體閃爍劑、塑膠閃爍體的組成成分(溶劑、第一溶質、次級波長位移劑之能量轉移機制)及其在低能純 β\beta 度量(4π4\pi 液閃)、快中子度量、高能粒子計數與大體積輻射監測門(RPM)上的實際用途。

解題方法

本題為標準的核子工程高考申論題型,答題切入點應採「微觀物理原理 →\to 光學發光分類 →\to 材料物化種類 →\to 巨觀特性分析 →\to 實務核工應用」之層次展開:

  1. 子題(一)切入點:先強調「芳香族環狀化合物 π\pi 電子分子躍遷」為核心本質;繪製或詳述能階躍遷流程(吸收激發 →\to 內部轉換 →\to 輻射放光);再清楚界定三種閃爍光(即發螢光、延遲螢光、磷光)之躍遷路徑、衰減時間尺度(ns vs. μs\mu\text{s} vs. ms)及其發光波長特性。
  2. 子題(二)切入點:將有機閃爍體分為「純晶體」、「液體閃爍體」、「塑膠閃爍體」三大主流,並補充「摻雜型閃爍體」;針對特性採用「優點(快時間響應、高氫含量、無自吸收)與限制(低 ZZ 值導致無全能光電峰、發光非線性)」對照法;最後列舉其對應之代表性核工度量用途(LSC、快中子量測、飛行時間法等)。

選項分析

本題為高考三級專業科目之申論與問答題,非選擇題型,故無選項辨析。評閱標準採爭點計分制,各子題作答架構與配分重點如下:

  • 子題(一)評閱爭點:能否明確指出 π\pi 電子躍遷、史托克位移(Stokes Shift,解釋透明度高、自吸收低之原因)、三重態-三重態互撞熄滅產生延遲螢光之反應式,以及即發螢光與延遲螢光在衰減時間上的數量級差異。
  • 子題(二)評閱爭點:各類閃爍體的代表物質舉例(Anthracene、Stilbene、PPO、POPOP、PVT)、能量轉移機制(溶劑至溶質)、特性優缺點(時間解析度極佳但光電截面極低)、以及在快中子/γ\gamma 鑑別和低能 β\beta 核種計數(如 3H^3\text{H}、14C^{14}\text{C})之關鍵用途。

解題技巧

  1. 關鍵反應式必寫:延遲螢光的生成機構務必寫出雙分子碰撞反應式: T1+T1→S1+S0+熱聲子T_1 + T_1 \to S_1 + S_0 + \text{熱聲子} 隨後 S1→S0S_1 \to S_0 放出螢光光子。這是解釋為何高 dE/dxdE/dx 粒子(如中子反衝質子、α\alpha 粒子)延遲成分占比特別高的關鍵。
  2. 區分螢光與磷光能階:
  • 螢光(Fluorescence):單重態至單重態(S1→S0S_1 \to S_0),自旋允許(Spin-allowed),速度極快。
  • 磷光(Phosphorescence):三重態至單重態(T1→S0T_1 \to S_0),自旋禁阻(Spin-forbidden),速度極慢且波長較長。
  1. 避免常犯陷阱:
  • 誤將無機閃爍體的「傳導帶/價帶/能隙/活化中心」套用到有機閃爍體。
  • 誤以為延遲螢光的發光波長不同於即發螢光。兩者最終皆源自 S1→S0S_1 \to S_0,因此發射光譜波長完全相同,僅衰減時間常數相差數個數量級。

【答案】

(一) 有機閃爍體的發光原理與產生閃爍光的種類

1. 發光原理

有機閃爍體多由具有苯環結構的芳香族碳氫化合物(Aromatic Hydrocarbons)構成。其發光機制屬於分子內部能階躍遷(Molecular Transitions),完全取決於單一自由分子的電子結構,而非晶格效應。其核心原理如下:

  • π\pi 電子結構與能階分佈:分子軌域中未定域化的 π\pi 電子構成發光中心。分子能階可分為單重態能階(Singlet states, 總自旋 S=0S=0,記為 S0,S1,S2,…S_0, S_1, S_2, \dots)與三重態能階(Triplet states, 總自旋 S=1S=1,記為 T1,T2,T3,…T_1, T_2, T_3, \dots)。各電子能階內部又分裂為微細的分子振動子能階(Vibrational states, 能階差約 0.15 eV0.15\text{ eV})。
  • 激發與能量弛豫過程:
  1. 入射游離輻射在材料中損失能量,將基態電子(S0S_0)激發至較高的單重態(S1,S2,…S_1, S_2, \dots)或三重態(T1,T2,…T_1, T_2, \dots)之各振動子能階。
  2. 處於高激發態的分子會在極短時間內(約 10−12 s10^{-12}\text{ s},皮秒等級),透過無輻射的**內部轉換(Internal Conversion)與振動弛豫(Vibrational Relaxation)**迅速衰減退激至第一受激單重態的最低振動能階(S10S_{10})或第一受激三重態能階(T10T_{10}),不伴隨光子輻射。
  • 輻射放光與史托克位移(Stokes Shift): 當電子由 S10S_{10} 躍遷回基態 S0S_0 的各激發振動能階(S01,S02,…S_{01}, S_{02}, \dots)時,釋放出可見光或近紫外光光子。由於發射光子的能量小於最初由基態最低能階吸收躍遷所需的激發能量,此能量差稱為史托克位移。此效應確保了發射光譜與吸收光譜互不重疊,使閃爍體對自身發出的閃爍光具有高度光學透明度,自吸收(Self-absorption)機率極低。

2. 產生閃爍光的種類

依據激發躍遷途徑與衰減時間特性,有機閃爍光可區分為以下三類:

  • 即發螢光(Prompt Fluorescence,快成分):

  • 躍遷機制:激發態分子由最低單重態直接躍遷回基態: S1→S0+hνS_1 \to S_0 + h\nu

  • 特性:屬於量子力學自旋允許躍遷(Spin-allowed),躍遷機率極高。其衰減時間極短,典型時間常數約為 1∼3 ns1 \sim 3\text{ ns}。

  • 重要性:是有機閃爍體產生光輸出的主要來源,構成閃爍脈衝的主要快成分,決定了偵檢器優異的快速計數與時間解析度能力。

  • 延遲螢光(Delayed Fluorescence,慢成分):

  • 躍遷機制:游離輻射產生之處於長半衰期三重態(T1T_1)的分子,藉由熱擴散在局部高激發密度區域相遇,發生雙分子三重態-三重態互撞合併作用(Triplet-Triplet Annihilation): T1+T1→S1+S0+聲子(熱)T_1 + T_1 \to S_1 + S_0 + \text{聲子(熱)} 所生成的激發單重態分子 S1S_1 隨後躍遷回基態,釋放出與即發螢光波長完全相同的光子:

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享 3 天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 五 題20 分

(一) 請畫出充氣式偵檢器工作電壓與量測脈衝之關係圖。

(二) 請詳細說明可作為偵檢器系統的工作區域與其特性。

🖼️ 本題原卷含圖表。基於試題來源之版權考量,本站不轉載原卷影像; 題目文字已完整轉錄,圖表請自行參閱考選部公告之試題原檔。

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考充氣式偵檢器的氣體增益如何隨工作電壓改變,以及哪些電壓區域適合用作偵檢器。輻射在氣體中產生初級離子對;外加電壓形成的電場收集電子與正離子。電壓升高後,電子可獲得足夠能量再游離氣體,形成氣體倍增。

若輻射在氣體中產生 N0N_0 個初級離子對,單位電荷量為 ee,氣體增益為 MM,則收集到的電荷量可表示為:

Q=eN0MQ=eN_0M

低電壓時,部分離子對在被收集前復合;進入飽和區後,初級離子對幾乎全數被收集,M≈1M\approx 1;再提高電壓則會產生氣體倍增,使脈衝增大。

解題方法與關係圖

依工作電壓由低至高,依序標出復合區、游離室區、比例區、有限比例區、蓋革-彌勒區與連續放電區。縱軸表示量測脈衝大小;不同輻射產生的初級離子對數不同,因此在比例區的脈衝大小也不同。

量測脈衝大小
 ↑
 │ ┌────────── Ⅴ 蓋革-彌勒區
 │ /
 │ Ⅳ ________/
 │ /
 │ / Ⅲ 比例區
 │ α ────────────/
 │ β ───────────/
 │ ─────────────── Ⅱ 游離室區
 │ /
 │ / Ⅰ 復合區
 └────────────────────────────────────────→ 工作電壓
 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ
 連續放電

圖示為各區域的典型趨勢,非定量比例。α\alpha、β\beta 代表初級游離量不同的輻射:在比例區,初級游離量較大的輻射產生較大的脈衝;在蓋革-彌勒區,脈衝大小大致不再反映初級游離量。

可作為偵檢器系統的工作區域與特性

Ⅰ 復合區

工作電壓低,電場不足以迅速收集離子對,部分電子與正離子在到達電極前復合。隨電壓上升,收集到的電荷增加,但訊號受復合影響,不適合作為一般偵檢器的穩定工作區。

Ⅱ 游離室區(飽和區)

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享 3 天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

其他考古題