109 鐵路特考高員三級 電力工程 電子學 考古題詳解

109 年・鐵路特考・高員三級・電力工程
試題代碼 電子學

第 一 題20 分

如下圖所示為一可變增益的 OP 放大器,其中 AA 為理想 OPAMP。可變電阻 R′R' 可藉由調整中間接點的位置,使其上半部的電阻為 (1−r)R′(1-r)R'、下半部的電阻為 rR′rR';rr 為調整的比例,其值介於 00 與 11 之間。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) 若調整中間接點使 r=0r=0,求增益 vo/viv_o/v_i。(7 分)

(二) 若經由設計使此電路增益 vo/viv_o/v_i 可達 −100-100 的極限值,求 R′/RR'/R 之值。(7 分)

(三) 接(二)小題,若再調整中間接點使 r=0.5r=0.5,此時增益 vo/viv_o/v_i 為多少?(6 分)

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核心觀念

理想 OPAMP 的非反相端接地,因此在負回授成立時,反相端為虛地,且 OPAMP 輸入端電流為零。利用反相端與可變電阻滑動端的節點方程,即可求出閉迴路增益。

令 x=R′/Rx=R'/R。滑動端到地的上方支路電阻為 (1−r)R′+R/2(1-r)R'+R/2,滑動端到輸出端的下方電阻為 rR′rR'。

解題方法

反相端電壓為 00。在反相端套用 KCL:

0−viR+0−vwR=0⟹vw=−vi\frac{0-v_i}{R}+\frac{0-v_w}{R}=0 \quad\Longrightarrow\quad v_w=-v_i

其中 vwv_w 為滑動端電壓。再於滑動端套用 KCL:

vwR+vw(1−r)R′+R/2+vw−vorR′=0\frac{v_w}{R} +\frac{v_w}{(1-r)R'+R/2} +\frac{v_w-v_o}{rR'}=0

代入 vw=−viv_w=-v_i,並以 x=R′/Rx=R'/R 表示,可得

vovi=−[1+rx(1+112+(1−r)x)]\boxed{\frac{v_o}{v_i} =-\left[1+rx\left(1+\frac{1}{\frac12+(1-r)x}\right)\right]}

此式適用於 r>0r>0;r=0r=0 時可直接依滑動端與輸出端短接的電路關係求解。

(一)r=0r=0 時的增益

當 r=0r=0,下半部電阻為零,滑動端與輸出端相接,所以 vo=vwv_o=v_w。又由反相端 KCL 得 vw=−viv_w=-v_i,因此

vovi=−1\boxed{\frac{v_o}{v_i}=-1}

(二)增益可達 −100-100 時的 R′/RR'/R

令 x=R′/Rx=R'/R。增益絕對值隨 rr 遞增,其可變部分為

rx(1+112+(1−r)x)rx\left(1+\frac{1}{\frac12+(1-r)x}\right)
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第 二 題20 分

如下圖所示為一使用兩個 MOSFET 所構成的放大器,電晶體的 μnCox=200 μA/V2\mu_n C_{ox}=200\ \mu\mathrm{A}/\mathrm{V}^2、Vt=0.5 VV_t=0.5\ \mathrm{V},而 (W/L)1=18(W/L)_1=18、(W/L)2=2(W/L)_2=2。I=2 mAI=2\ \mathrm{mA}。

若 Q1Q_1 與 Q2Q_2 的 VOVV_{OV} 相等,求 VOVV_{OV}、Q1Q_1 與 Q2Q_2 汲極偏壓電流,以及輸出端的直流電位。求小信號增益 vo/viv_o/v_i。(20 分)

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核心觀念

此電路由 Q1Q_1 共源放大器與二極體接法的 Q2Q_2 組成。Q1Q_1、Q2Q_2 的汲極都接在輸出端,且 Q2Q_2 的閘極與汲極相接,因此 Q2Q_2 在直流下提供偏壓,在小信號下則形成負載。

採用 MOSFET 飽和區平方律模型,忽略通道長度調變:

ID=12μnCoxWLVOV2,gm=2IDVOV.I_D=\frac{1}{2}\mu_n C_{ox}\frac WL V_{OV}^2, \qquad g_m=\frac{2I_D}{V_{OV}}.

解題方法

題目給定兩管的 VOVV_{OV} 相等,且電流源提供的總電流為 I=2 mAI=2\ \mathrm{mA}。因此,先用兩管的尺寸比求電流分配,再由總電流求 VOVV_{OV}。

兩管的電流比為:

ID1ID2=(W/L)1(W/L)2=182=9.\frac{I_{D1}}{I_{D2}} = \frac{(W/L)_1}{(W/L)_2} = \frac{18}{2} =9.

又因為 ID1+ID2=2 mAI_{D1}+I_{D2}=2\ \mathrm{mA},得到:

ID1=1.8 mA,ID2=0.2 mA.I_{D1}=1.8\ \mathrm{mA}, \qquad I_{D2}=0.2\ \mathrm{mA}.

將兩管的平方律電流相加:

2 mA=12(200 μA/V2)(18+2)VOV2.2\ \mathrm{mA} = \frac12(200\ \mu\mathrm{A}/\mathrm{V}^2)(18+2)V_{OV}^2.

因此:

VOV2=1 V2,VOV=1 V.V_{OV}^2=1\ \mathrm{V}^2, \qquad \boxed{V_{OV}=1\ \mathrm{V}}.

Q2Q_2 的閘極與汲極相接,源極接地,所以輸出直流電位為:

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第 三 題20 分

考慮一個 OPAMP,其單增益頻率(unity-gain frequency)為 ft=106 Hzf_t=10^6\ \mathrm{Hz}。將此放大器接成有兩個輸入 v1v_1 與 v2v_2 的反相加法器,使其輸出為

vo=−20(v1+v2)v_o=-20(v_1+v_2)

(一) 畫出你設計的電路圖。(10 分)

(二) 令 v2=0v_2=0,求 vo/v1v_o/v_1 的 3 dB 截止頻率。(10 分)

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核心觀念

反相加法器利用運算放大器的反相端「虛地」與節點電流相加。若兩個輸入電阻分別為 R1、R2R_1、R_2,回授電阻為 RfR_f,則理想輸出為

vo=−Rf(v1R1+v2R2).v_o=-R_f\left(\frac{v_1}{R_1}+\frac{v_2}{R_2}\right).

本題要求 vo=−20(v1+v2)v_o=-20(v_1+v_2),因此可令 R1=R2=RR_1=R_2=R,並取 Rf=20RR_f=20R。

有限增益頻寬運算放大器的閉迴路頻寬,約為單增益頻率除以雜訊增益:

f3dB≈ft雜訊增益,雜訊增益=1+RfRin,eq.f_{3\text{dB}}\approx \frac{f_t}{\text{雜訊增益}}, \qquad \text{雜訊增益}=1+\frac{R_f}{R_{\text{in,eq}}}.

解題方法

(一)電路設計

選取 R1=R2=RR_1=R_2=R、Rf=20RR_f=20R。例如 R=10 kΩR=10\,\text{k}\Omega、Rf=200 kΩR_f=200\,\text{k}\Omega。非反相端接地,兩個輸入各經一個 RR 接至反相端,並以 RfR_f 從輸出端回授至反相端。

 Rf = 200 kΩ
 ┌────/\/\/\────┐
 │ │
v1 ── R1 = 10 kΩ ───┼── (−) │
 │ |\ │
v2 ── R2 = 10 kΩ ───┘ | \______┴── vo
 | /
 GND ──|+/

反相端為虛地,依據電流定律:

v1R+v2R=−voRf.\frac{v_1}{R}+\frac{v_2}{R}=\frac{-v_o}{R_f}.

所以

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第 四 題20 分

一個環形振盪器(ring oscillator)由九級反相器(inverters)串接而成,其振盪頻率為 20 MHz20\ \mathrm{MHz}。

(一) 求反相器的傳遞延遲時間(propagation delay time)。(10 分)

(二) 說明環形振盪器的振盪條件。同時解釋為何反相器的級數必為奇數。(10 分)

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核心觀念

環形振盪器由 NN 級反相器串接,並將末級輸出回授至首級輸入。訊號在每一級都反相,且每級具有傳播延遲;延遲使訊號無法立即到達穩態,並在環路中持續翻轉。

若每級延遲相同為 tpt_p,訊號繞行一圈需經過 NN 級延遲。完成一個完整振盪週期,須經歷一次高到低的轉換及一次低到高的轉換,因此

T=2Ntp,f=1T=12Ntp.T=2Nt_p,\qquad f=\frac{1}{T}=\frac{1}{2Nt_p}.

解題方法

已知反相器級數 N=9N=9,振盪頻率 f=20 MHzf=20\ \mathrm{MHz}。由頻率公式解出每級傳播延遲:

tp=12Nf=12×9×20×106=2.78×10−9 s.t_p=\frac{1}{2Nf} =\frac{1}{2\times9\times20\times10^6} =2.78\times10^{-9}\ \mathrm{s}.

因此,每級反相器的傳播延遲時間約為 2.78 ns2.78\ \mathrm{ns}。

環形振盪器的振盪條件

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第 五 題20 分

一個 CMOS 邏輯電路,操作的 VDD=2.5 VV_{DD}=2.5\ \mathrm{V},靜態功率消耗接近零。為了降低動態功率消耗,降低 VDDV_{DD} 至 1.8 V1.8\ \mathrm{V}。假若電路充放負載電容的電流與 VDDV_{DD} 成正比。

(一) 最高操作頻率會如何改變?(10 分)

(二) 邏輯電路的延遲與功率乘積(delay-power product)又會如何改變?(10 分)

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核心觀念

本題考查 CMOS 電路的動態功率、負載電容充放電電流與操作頻率之關係,以及延遲與功率乘積(delay-power product)。

CMOS 電路的動態功率可寫為

Pdyn=αCLVDD2fP_{\mathrm{dyn}}=\alpha C_L V_{DD}^{2} f

其中 α\alpha 為切換活動因子,CLC_L 為負載電容,ff 為操作頻率。題目指出充放負載電容的電流與 VDDV_{DD} 成正比,因此也可由平均功率 Pdyn∝VDDIfP_{\mathrm{dyn}}\propto V_{DD}I f 得到固定頻率下 Pdyn∝VDD2P_{\mathrm{dyn}}\propto V_{DD}^{2}。

負載電容的充電延遲可用

td≈CLVDDIt_d \approx \frac{C_L V_{DD}}{I}

估算。由於題目給定 I∝VDDI\propto V_{DD},因此 tdt_d 不隨 VDDV_{DD} 改變;最高操作頻率與延遲成反比,故在此前提下也不變。

解題方法

令原電源電壓為 V1=2.5 VV_1=2.5\ \mathrm{V},降低後為 V2=1.8 VV_2=1.8\ \mathrm{V},則電壓比為

r=V2V1=1.82.5=0.72r=\frac{V_2}{V_1}=\frac{1.8}{2.5}=0.72

電流與電壓成正比,所以

I2I1=r=0.72\frac{I_2}{I_1}=r=0.72
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