110 專技高考高等考試 電子工程技師 電子學 考古題詳解
第 一 題25 分
圖一所示放大器電路,開路增益 非無限大()。
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(一)推導閉迴路增益(closed-loop gain)方程式 。
(二)、、。當 時,輸出電壓 為何?放大器反向輸出端(標有符號「−」)的端電壓為何?
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核心觀念
本題考查有限開路增益 的反相放大器。理想運算放大器的輸入端電流為零,但因 有限,反相端電壓不等於零,不能直接套用「虛接地」近似。
運算放大器的輸出關係為
圖中非反相端接地,因此 。令反相端電壓為 ,則
解題方法
在反相端節點套用克希荷夫電流定律。由於輸入端電流為零,流經 與 的電流代數和為零:
代入 :
整理可得
因此
又因 ,閉迴路增益為
亦可寫成
數值計算
第 二 題25 分
圖二所示 BJT 放大器,電晶體工作於主動區。、、、、、、、、、。
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
請問:
(一)電壓 與電阻 為何?
(二)輸入電阻 為何?
(三)小信號電壓增益 為何?
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核心觀念
本題是 BJT 共集極放大器(射極追隨器)。直流分析用基極電流與射極電流求偏壓;小信號分析則把耦合電容視為短路,將直流電源視為交流接地,並以 模型求輸入電阻與電壓增益。
(一)求 與
由 與 :
基極經 接地,基極電流由地端經 流入電晶體,因此
射極電壓為
兩端電壓為 ,故
(二)求輸入電阻
交流分析時, 為交流接地,且輸出耦合電容視為短路,所以射極交流負載為
由 ,得
從基極看入電晶體的電阻為
第 三 題25 分
圖三所示回授放大器,電晶體皆操作在飽和區(saturation region),忽略電晶體通道調變效應電阻 。(註:偏壓電路沒有全部畫出,電晶體 的轉導為 。)
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(一)回授放大器型態為何(串串、並並、串並、並串)?
(二)推導回授因子(feedback factor) 表示式。
(三)推導回授增益(loop gain) 表示式,用 、、、 表示。
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核心觀念
本題考查回授放大器的拓樸判斷、回授因子,以及考慮回授分壓器負載後的迴路增益。
輸出端的 、 串聯分壓,從輸出電壓取樣;由於分壓器並接在輸出端,屬於並聯取樣。回授電壓加到電晶體閘極,輸入訊號加在源極,兩者形成 ,相當於輸入端串聯混合。
解題方法
令回授電壓為 。由分壓器可得
因此回授放大器型態為串並回授,也就是輸入串聯混合、輸出並聯取樣。
求迴路增益時,將輸入訊號源歸零,並保留回授分壓器對輸出端的負載。此時 接交流地;、 串聯後也由輸出端接至交流地,故輸出端等效電阻為
以 驅動電晶體時,電晶體的小訊號汲極電流為 ,所以
輸入源歸零時,源極為交流接地,故 。因此回授一次迴路的返回電壓為
第 四 題25 分
用 CMOS 設計下列邏輯電路,繪出電路圖與寫出布林代數表示式。
(一)NAND 閘。
(二)NOR 閘。
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核心觀念
CMOS 邏輯閘由互補的 P 型金氧半場效電晶體(PMOS)上拉網路與 N 型金氧半場效電晶體(NMOS)下拉網路構成。輸入為高電位時,NMOS 導通、PMOS 截止;輸入為低電位時,PMOS 導通、NMOS 截止。
設輸入為 ,輸出為 :
- NAND 閘:。
- NOR 閘:。
設計時,先依輸出為低電位時所需導通的條件安排 NMOS 下拉網路,再以互補方式安排 PMOS 上拉網路。串聯代表邏輯「且」,並聯代表邏輯「或」。
解題方法
(一)NAND 閘
NAND 輸出只有在 時為低電位,因此 NMOS 下拉網路須在兩個輸入皆為高電位時導通,故兩顆 NMOS 串聯。依互補網路原則,PMOS 上拉網路採兩顆 PMOS 並聯。
VDD
┌──┴──┐
P_A P_B
└──┬──┘
Y
│
N_A
│
N_B
│
GND
的閘極接輸入 ; 的閘極接輸入 。上方兩顆 PMOS 並聯,下方兩顆 NMOS 串聯。
輸出為低的條件是 NMOS 串聯支路導通,即 ,所以: