110 專技高考高等考試 電子工程技師 電子學 考古題詳解

110 年・專技高考・高等考試・電子工程技師
試題代碼 電子學

第 一 題25 分

圖一所示放大器電路,開路增益 AA 非無限大(A≠∞A\ne\infty)。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一)推導閉迴路增益(closed-loop gain)方程式 vovi\frac{v_o}{v_i}。

(二)R1=1 kΩR_1=1\,\mathrm{k\Omega}、R2=100 kΩR_2=100\,\mathrm{k\Omega}、A=103A=10^3。當 vi=0.1 Vv_i=0.1\,\mathrm{V} 時,輸出電壓 vov_o 為何?放大器反向輸出端(標有符號「−」)的端電壓為何?

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核心觀念

本題考查有限開路增益 AA 的反相放大器。理想運算放大器的輸入端電流為零,但因 AA 有限,反相端電壓不等於零,不能直接套用「虛接地」近似。

運算放大器的輸出關係為

vo=A(v+−v−)v_o=A(v_+-v_-)

圖中非反相端接地,因此 v+=0v_+=0。令反相端電壓為 v−v_-,則

vo=−Av−v_o=-A v_-

解題方法

在反相端節點套用克希荷夫電流定律。由於輸入端電流為零,流經 R1R_1 與 R2R_2 的電流代數和為零:

v−−viR1+v−−voR2=0\frac{v_- - v_i}{R_1}+\frac{v_- - v_o}{R_2}=0

代入 vo=−Av−v_o=-A v_-:

v−−viR1+(A+1)v−R2=0\frac{v_- - v_i}{R_1}+\frac{(A+1)v_-}{R_2}=0

整理可得

v−(1R1+A+1R2)=viR1v_-\left(\frac{1}{R_1}+\frac{A+1}{R_2}\right)=\frac{v_i}{R_1}

因此

v−vi=R2R2+(A+1)R1\frac{v_-}{v_i}=\frac{R_2}{R_2+(A+1)R_1}

又因 vo=−Av−v_o=-A v_-,閉迴路增益為

vovi=−AR2R2+(A+1)R1\boxed{\frac{v_o}{v_i}=-\frac{A R_2}{R_2+(A+1)R_1}}

亦可寫成

vovi=−R2/R11+(R2/R1+1)/A\frac{v_o}{v_i} =-\frac{R_2/R_1}{1+(R_2/R_1+1)/A}

數值計算

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第 二 題25 分

圖二所示 BJT 放大器,電晶體工作於主動區。VCC=+3 VV_{CC}=+3\,\mathrm{V}、−VEE=−3 V-V_{EE}=-3\,\mathrm{V}、VBE(on)=0.7 VV_{BE(\mathrm{on})}=0.7\,\mathrm{V}、β=99\beta=99、IE=1 mAI_E=1\,\mathrm{mA}、RB=100 kΩR_B=100\,\mathrm{k\Omega}、ro=∞r_o=\infty、VT=25 mVV_T=25\,\mathrm{mV}、Rsig=50 kΩR_{\mathrm{sig}}=50\,\mathrm{k\Omega}、RL=1.3 kΩR_L=1.3\,\mathrm{k\Omega}。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

請問:

(一)電壓 VBV_B 與電阻 RER_E 為何?

(二)輸入電阻 RinR_{\mathrm{in}} 為何?

(三)小信號電壓增益 vovsig\frac{v_o}{v_{\mathrm{sig}}} 為何?

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核心觀念

本題是 BJT 共集極放大器(射極追隨器)。直流分析用基極電流與射極電流求偏壓;小信號分析則把耦合電容視為短路,將直流電源視為交流接地,並以 rπr_{\pi} 模型求輸入電阻與電壓增益。

(一)求 VBV_B 與 RER_E

由 β=99\beta=99 與 IE=1 mAI_E=1\,\mathrm{mA}:

IB=IEβ+1=1 mA100=10 μAI_B=\frac{I_E}{\beta+1} =\frac{1\,\mathrm{mA}}{100} =10\,\mathrm{\mu A}

基極經 RBR_B 接地,基極電流由地端經 RBR_B 流入電晶體,因此

VB=−IBRB=−(10 μA)(100 kΩ)=−1 VV_B=-I_B R_B =-(10\,\mathrm{\mu A})(100\,\mathrm{k\Omega}) =-1\,\mathrm{V}

射極電壓為

VE=VB−VBE(on)=−1−0.7=−1.7 VV_E=V_B-V_{BE(\mathrm{on})} =-1-0.7=-1.7\,\mathrm{V}

RER_E 兩端電壓為 VE−(−3 V)=1.3 VV_E-(-3\,\mathrm{V})=1.3\,\mathrm{V},故

RE=1.3 V1 mA=1.3 kΩR_E=\frac{1.3\,\mathrm{V}}{1\,\mathrm{mA}} =1.3\,\mathrm{k\Omega}

(二)求輸入電阻 RinR_{\mathrm{in}}

交流分析時,−VEE-V_{EE} 為交流接地,且輸出耦合電容視為短路,所以射極交流負載為

RE′=RE∥RL=1.3 kΩ∥1.3 kΩ=650 ΩR_E'=R_E\parallel R_L =1.3\,\mathrm{k\Omega}\parallel1.3\,\mathrm{k\Omega} =650\,\mathrm{\Omega}

由 IC=ββ+1IE=0.99 mAI_C=\frac{\beta}{\beta+1}I_E=0.99\,\mathrm{mA},得

gm=ICVT=0.99 mA25 mV=39.6 mSg_m=\frac{I_C}{V_T} =\frac{0.99\,\mathrm{mA}}{25\,\mathrm{mV}} =39.6\,\mathrm{mS} rπ=βgm=2.5 kΩr_{\pi}=\frac{\beta}{g_m}=2.5\,\mathrm{k\Omega}

從基極看入電晶體的電阻為

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第 三 題25 分

圖三所示回授放大器,電晶體皆操作在飽和區(saturation region),忽略電晶體通道調變效應電阻 ror_o。(註:偏壓電路沒有全部畫出,電晶體 QQ 的轉導為 gmg_m。)

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一)回授放大器型態為何(串串、並並、串並、並串)?

(二)推導回授因子(feedback factor)β\beta 表示式。

(三)推導回授增益(loop gain)AβA\beta 表示式,用 gmg_m、R1R_1、R2R_2、RDR_D 表示。

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核心觀念

本題考查回授放大器的拓樸判斷、回授因子,以及考慮回授分壓器負載後的迴路增益。

輸出端的 R2R_2、R1R_1 串聯分壓,從輸出電壓取樣;由於分壓器並接在輸出端,屬於並聯取樣。回授電壓加到電晶體閘極,輸入訊號加在源極,兩者形成 vgs=vf−viv_{gs}=v_f-v_i,相當於輸入端串聯混合。

解題方法

令回授電壓為 vfv_f。由分壓器可得

vf=βvo,β=R1R1+R2.v_f=\beta v_o,\qquad \beta=\frac{R_1}{R_1+R_2}.

因此回授放大器型態為串並回授,也就是輸入串聯混合、輸出並聯取樣。

求迴路增益時,將輸入訊號源歸零,並保留回授分壓器對輸出端的負載。此時 RDR_D 接交流地;R1R_1、R2R_2 串聯後也由輸出端接至交流地,故輸出端等效電阻為

Rout=RD∥(R1+R2).R_{\text{out}}=R_D\parallel(R_1+R_2).

以 vgsv_{gs} 驅動電晶體時,電晶體的小訊號汲極電流為 gmvgsg_m v_{gs},所以

vo=−gmvgs[RD∥(R1+R2)].v_o=-g_m v_{gs}\left[R_D\parallel(R_1+R_2)\right].

輸入源歸零時,源極為交流接地,故 vgs=vfv_{gs}=v_f。因此回授一次迴路的返回電壓為

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第 四 題25 分

用 CMOS 設計下列邏輯電路,繪出電路圖與寫出布林代數表示式。

(一)NAND 閘。

(二)NOR 閘。

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核心觀念

CMOS 邏輯閘由互補的 P 型金氧半場效電晶體(PMOS)上拉網路與 N 型金氧半場效電晶體(NMOS)下拉網路構成。輸入為高電位時,NMOS 導通、PMOS 截止;輸入為低電位時,PMOS 導通、NMOS 截止。

設輸入為 A、BA、B,輸出為 YY:

  • NAND 閘:Y=AB‾=Aˉ+BˉY=\overline{AB}=\bar A+\bar B。
  • NOR 閘:Y=A+B‾=AˉBˉY=\overline{A+B}=\bar A\bar B。

設計時,先依輸出為低電位時所需導通的條件安排 NMOS 下拉網路,再以互補方式安排 PMOS 上拉網路。串聯代表邏輯「且」,並聯代表邏輯「或」。

解題方法

(一)NAND 閘

NAND 輸出只有在 A=B=1A=B=1 時為低電位,因此 NMOS 下拉網路須在兩個輸入皆為高電位時導通,故兩顆 NMOS 串聯。依互補網路原則,PMOS 上拉網路採兩顆 PMOS 並聯。

 VDD
 ┌──┴──┐
 P_A P_B
 └──┬──┘
 Y
 │
 N_A
 │
 N_B
 │
 GND

PA、NAP_A、N_A 的閘極接輸入 AA;PB、NBP_B、N_B 的閘極接輸入 BB。上方兩顆 PMOS 並聯,下方兩顆 NMOS 串聯。

輸出為低的條件是 NMOS 串聯支路導通,即 A=B=1A=B=1,所以:

Y=AB‾=Aˉ+BˉY=\overline{AB}=\bar A+\bar B

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