114 專技高考高等考試 電子工程技師 電子學 考古題詳解

114 年・專技高考・高等考試・電子工程技師
試題代碼 電子學

第 一 題20 分

下圖是一個波形整形(waveform shaping)電路,輸入訊號為正弦波,下圖中的運算放大器假設為理想。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

圖中元件標示包括 R1=10 kΩR_1=10\,\mathrm{k}\Omega、R2=10 kΩR_2=10\,\mathrm{k}\Omega、RL=10 kΩR_L=10\,\mathrm{k}\Omega、運算放大器 Op1\mathrm{Op1} 與 Op2\mathrm{Op2},以及二極體 D1D_1、D2D_2;輸入訊號為 viv_i,輸出訊號為 vov_o。

(1) 請就輸入訊號分別為正值與負值時,分別說明此電路如何運作。

(2) 請繪出此電路的輸出訊號對輸入訊號的轉移特性(transfer characteristic)曲線。

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核心觀念

本題考查運算放大器與二極體組成的精密全波整流電路。二極體導通時,運算放大器透過負回授調整輸出,使輸出節點符合回授條件;二極體截止時,該運算放大器的輸出與負載端隔離,由另一支路決定 vov_o。

二極體導通期間,理想運算放大器在線性負回授下滿足 v+≈v−v_+\approx v_-,且輸入端電流為零。圖中 R1=R2=10 kΩR_1=R_2=10\,\mathrm{k}\Omega,因此反相放大支路的增益為

−R2R1=−1.-\frac{R_2}{R_1}=-1.

解題方法

依序判斷兩顆二極體的導通狀態,再用導通支路的回授關係求 vov_o。D1D_1 導通時,Op1 將輸入電壓回授至輸出端;D2D_2 導通時,Op2 形成反相放大器。

(1) 正、負輸入時的電路運作

當 vi>0v_i>0:

Op1 的正相輸入為正,會使 D1D_1 導通。此時輸出端經 D1D_1 回授至 Op1 的反相輸入,形成電壓跟隨器,因此

vo=vi.v_o=v_i.

Op2 的反相輸入端經 R1R_1、R2R_2 接收正電壓,Op2 輸出轉為負向,使 D2D_2 截止。此時由 Op1 支路決定輸出。

當 vi<0v_i<0:

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第 二 題20 分

下圖是一個 BJT 放大器,vsv_s 是一個平均電壓為零的小訊號源,電晶體的 β\beta 值為 5050,VT=25 mVV_T=25\,\mathrm{mV},忽略歐姆效應(Early effect)。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

圖中包含輸入訊號源 vsv_s、輸入端電阻 10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega、集極電阻 10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega、負載電阻 10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega、偏壓電流源 0.2 mA0.2\,\mathrm{mA}、射極電阻 0.125 kΩ0.125\,\mathrm{k}\Omega,以及輸入、輸出與射極旁路電容。

請繪出小訊號等效電路,並計算 RiR_i、RoR_o,與小訊號增益 vo/vsv_o/v_s。

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核心觀念

這題考 BJT 共射極放大器的中頻小訊號分析。中頻時,耦合電容與圖中的射極電容視為短路;直流偏壓電流源在小訊號等效電路中視為開路。忽略 Early effect,代表 ro=∞r_o=\infty。

小訊號模型使用

gm=ICVT,rπ=βgm.g_m=\frac{I_C}{V_T},\qquad r_\pi=\frac{\beta}{g_m}.

圖中的 RiR_i 是由電晶體基極端往內看的輸入電阻,不包含訊號源串聯的 10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega 電阻。

解題方法

1. 求 gmg_m 與 rπr_\pi

直流電流源設定射極電流 IE=0.2 mAI_E=0.2\,\mathrm{mA},因此

IC=ββ+1IE=5051(0.2 mA)=0.1961 mA.I_C=\frac{\beta}{\beta+1}I_E =\frac{50}{51}(0.2\,\mathrm{mA}) =0.1961\,\mathrm{mA}.

所以

gm=0.1961 mA25 mV=7.843 mS,rπ=507.843 mS=6.375 kΩ.g_m=\frac{0.1961\,\mathrm{mA}}{25\,\mathrm{mV}} =7.843\,\mathrm{mS}, \qquad r_\pi=\frac{50}{7.843\,\mathrm{mS}} =6.375\,\mathrm{k}\Omega.

2. 小訊號等效電路與 RiR_i

中頻小訊號等效電路如下。射極電容短路後,射極經 0.125 kΩ0.125\,\mathrm{k}\Omega 電阻接交流地;集極電阻與負載也都接交流地。

 Rc = 10 kΩ
交流地 ────/\/\/\────┐
 ├──── vo
 RL = 10 kΩ│
交流地 ────/\/\/\────┘
 ↓ gm·vπ
 │
vs ── Rs=10 kΩ ──● b │
 │ ● e
 rπ │
 │ /\/\/\ Re = 0.125 kΩ
 └──│
 交流地

基極輸入電阻包含射極電阻的反映值:

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第 三 題20 分

下圖是一個 MOSFET 放大器,電晶體的 VT=1.5 VV_T=1.5\,\mathrm{V}、kn′(W/L)=0.25 mA/V2k'_n(W/L)=0.25\,\mathrm{mA}/\mathrm{V}^2、VA=50 VV_A=50\,\mathrm{V},在直流偏壓分析中忽略 VAV_A 的效應。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

圖中包含 +15 V+15\,\mathrm{V} 電源、10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega 汲極電阻、10 MΩ10\,\mathrm{M}\Omega 汲極至閘極回授電阻、10 kΩ10\,\mathrm{k}\Omega 負載電阻、輸入與輸出耦合電容,以及接地的 MOSFET 源極。

(1) 請計算直流偏壓工作點 VDV_D 與 IDI_D。

(2) 請繪出小訊號等效電路,計算 RiR_i 與小訊號增益 vo/viv_o/v_i。

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核心觀念

本題考查 MOSFET 汲極至閘極回授偏壓,以及共源放大器的小訊號分析。

直流分析時,耦合電容視為開路;閘極電流為零,因此 10 MΩ10\,\mathrm{M}\Omega 回授電阻沒有直流壓降,故 VG=VDV_G=V_D。小訊號分析時,耦合電容視為短路,+15 V+15\,\mathrm{V} 電源為交流接地;又因題目給定 VA=50 VV_A=50\,\mathrm{V},小訊號模型須納入 ro=VA/IDr_o=V_A/I_D。

解題方法

(1) 直流偏壓工作點

源極接地,且直流時 VG=VDV_G=V_D,所以 VGS=VDS=VDV_{GS}=V_{DS}=V_D。若 MOSFET 工作於飽和區,電流為

ID=12kn′(W/L)(VGS−VT)2I_D=\frac{1}{2}k'_n(W/L)(V_{GS}-V_T)^2

令過驅電壓 VOV=VD−VTV_{OV}=V_D-V_T。由汲極電阻的直流電流關係,

VD=15−ID(10 kΩ)V_D=15-I_D(10\,\mathrm{k}\Omega)

以 IDI_D 的單位為 mA\mathrm{mA} 表示,代入 VT=1.5 VV_T=1.5\,\mathrm{V} 及 kn′(W/L)=0.25 mA/V2k'_n(W/L)=0.25\,\mathrm{mA/V^2}:

ID=0.125(VD−1.5)2I_D=0.125(V_D-1.5)^2

又 VD=15−10IDV_D=15-10I_D,因此

VOV=13.5−10IDV_{OV}=13.5-10I_D ID=0.125(13.5−10ID)2I_D=0.125(13.5-10I_D)^2

解得符合 VOV>0V_{OV}>0 的根為

VOV=2.911 V,ID=0.125(2.911)2=1.059 mAV_{OV}=2.911\,\mathrm{V},\qquad I_D=0.125(2.911)^2=1.059\,\mathrm{mA}

因此

VD=15−(1.059 mA)(10 kΩ)=4.411 VV_D=15-(1.059\,\mathrm{mA})(10\,\mathrm{k}\Omega) =4.411\,\mathrm{V}

飽和區條件為 VDS≥VOVV_{DS}\ge V_{OV}。此處 VDS=4.411 VV_{DS}=4.411\,\mathrm{V}、VOV=2.911 VV_{OV}=2.911\,\mathrm{V},條件成立。

(2) 小訊號等效電路、輸入電阻與增益

小訊號參數為

gm=kn′(W/L)VOV=(0.25 mA/V2)(2.911 V)=0.728 mSg_m=k'_n(W/L)V_{OV} =(0.25\,\mathrm{mA/V^2})(2.911\,\mathrm{V}) =0.728\,\mathrm{mS} ro=VAID=50 V1.059 mA=47.22 kΩr_o=\frac{V_A}{I_D} =\frac{50\,\mathrm{V}}{1.059\,\mathrm{mA}} =47.22\,\mathrm{k}\Omega
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第 四 題20 分

下圖為一個運算放大器合成的類比濾波器,假設運算放大器為理想。

(1) 請推導此濾波器轉移函數

H(s)=Vo(s)Vi(s)H(s)=\frac{V_o(s)}{V_i(s)}

並判別此濾波器屬於何種功能濾波器。

(2) 若設定元件參數如下,請以漸進線繪出此濾波器的波德大小圖與相位圖,並在圖中標出帶寬增益、轉角頻率、信號衰減率、相位變化率。

R1=10.8 kΩ,R2=10.8 kΩ,C1=0.02 μF,C2=0.01 μFR_1=10.8\,\mathrm{k}\Omega,\qquad R_2=10.8\,\mathrm{k}\Omega,\qquad C_1=0.02\,\mu\mathrm{F},\qquad C_2=0.01\,\mu\mathrm{F}

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

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核心觀念

此電路是單位增益 Sallen–Key 二階濾波器。理想運算放大器接成電壓跟隨器,因此輸出電壓等於非反相端電壓,且輸入端不吸收電流。利用兩個 RC 節點的 KCL,可求出轉移函數,再由分母係數判斷自然頻率、品質因數與波德圖漸近線。

解題方法

令 VAV_A 為 R1R_1、R2R_2、C1C_1 相接的節點電壓,VBV_B 為運算放大器非反相端電壓。由電壓跟隨器關係,

Vo=VBV_o=V_B

在 VBV_B 節點套用 KCL:

VB−VAR2+sC2VB=0⇒VA=VB(1+sR2C2)\frac{V_B-V_A}{R_2}+sC_2V_B=0 \quad\Rightarrow\quad V_A=V_B(1+sR_2C_2)

在 VAV_A 節點套用 KCL:

VA−ViR1+VA−VBR2+sC1(VA−Vo)=0\frac{V_A-V_i}{R_1} +\frac{V_A-V_B}{R_2} +sC_1(V_A-V_o)=0

代入 Vo=VBV_o=V_B 及 VA=VB(1+sR2C2)V_A=V_B(1+sR_2C_2),得

Vi=VB[1+sC2(R1+R2)+s2R1R2C1C2]V_i =V_B\left[1+sC_2(R_1+R_2)+s^2R_1R_2C_1C_2\right]

因此轉移函數為

H(s)=Vo(s)Vi(s)=11+sC2(R1+R2)+s2R1R2C1C2\boxed{ H(s)=\frac{V_o(s)}{V_i(s)} =\frac{1}{1+sC_2(R_1+R_2)+s^2R_1R_2C_1C_2} }

分母含有兩個極點,且 H(0)=1H(0)=1、高頻增益趨近於零,因此此電路是二階低通濾波器。

代入元件數值與波德圖

代入

R1=R2=10.8 kΩ,C1=20 nF,C2=10 nFR_1=R_2=10.8\,\mathrm{k}\Omega,\qquad C_1=20\,\mathrm{nF},\qquad C_2=10\,\mathrm{nF}

得到

H(s)=11+216×10−6s+2.3328×10−8s2H(s)=\frac{1}{1+216\times10^{-6}s+2.3328\times10^{-8}s^2}

與標準二階低通形式

H(s)=11+sQω0+(sω0)2H(s)=\frac{1}{1+\frac{s}{Q\omega_0} +\left(\frac{s}{\omega_0}\right)^2}

比較可得

ω0=1R1R2C1C2=6.548×103 rad/s\omega_0=\frac{1}{\sqrt{R_1R_2C_1C_2}} =6.548\times10^3\,\mathrm{rad/s} f0=ω02π≈1.042 kHzf_0=\frac{\omega_0}{2\pi}\approx1.042\,\mathrm{kHz} Q=R1R2C1C2C2(R1+R2)≈0.707Q=\frac{\sqrt{R_1R_2C_1C_2}}{C_2(R_1+R_2)} \approx0.707

這是二階 Butterworth 低通響應。通帶增益為 11,即 0 dB0\,\mathrm{dB};截止頻率處的實際增益為 1/21/\sqrt{2},即 −3 dB-3\,\mathrm{dB}。

大小圖漸近線

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第 五 題20 分

下圖為一個 CMOS 邏輯電路,輸入為 AA、BB,輸出為 YY,A‾\overline{A} 與 B‾\overline{B} 由外加反相器產生,反相器在此省略繪出。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(1) 請分析並列出此電路的真值表,並寫出布林代數。

(2) 請判斷此電路為何種邏輯功能,並繪出邏輯閘電路。

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核心觀念

CMOS 邏輯電路由上方的 PMOS 上拉網路與下方的 NMOS 下拉網路構成:

  • PMOS 的閘極為低電位時導通。
  • NMOS 的閘極為高電位時導通。
  • 輸出 YY 在上拉網路導通時為 11;在下拉網路導通時為 00。

圖中的兩個 PMOS 串聯支路彼此並聯,兩個 NMOS 串聯支路也彼此並聯。串聯代表條件相乘(AND),並聯代表條件相加(OR)。

解題方法

先分別判斷上拉網路與下拉網路的導通條件。

上拉網路:

左側串聯支路由 QP1Q_{P1}、QP2Q_{P2} 組成,其閘極分別接 A‾\overline A、BB。PMOS 導通條件為閘極低,因此此支路導通條件為

A‾‾⋅B‾=AB‾\overline{\overline A}\cdot\overline B=A\overline B

右側串聯支路由 QP3Q_{P3}、QP4Q_{P4} 組成,閘極分別接 AA、B‾\overline B,導通條件為

A‾⋅B‾‾=A‾B\overline A\cdot\overline{\overline B}=\overline A B

兩支路並聯,所以輸出被上拉的條件為

Y=AB‾+A‾BY=A\overline B+\overline A B

下拉網路:

左側串聯支路由 QN1Q_{N1}、QN2Q_{N2} 組成,閘極分別接 AA、BB,導通條件為 ABAB。

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