111 專技高考高等考試 電子工程技師 電子學 考古題詳解

111 年・專技高考・高等考試・電子工程技師
試題代碼 電子學

第 一 題20 分

如圖一所示電路,若二極體導通時採用 0.7V0.7\mathrm{V} 之定電壓模型,請分別計算:

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) 圖一(a)中的 VoV_o(3 分)、ID1I_{D1}(3 分)、ID2I_{D2}(4 分)。

(二) 圖一(b)中的 VoV_o(3 分)、ID1I_{D1}(3 分)、ID2I_{D2}(4 分)。

🖼️ 本題原卷含圖表。基於試題來源之版權考量,本站不轉載原卷影像; 題目文字已完整轉錄,圖表請自行參閱考選部公告之試題原檔。

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核心觀念

採用二極體的 0.7 V0.7\text{ V} 定電壓模型:二極體導通時,陽極電壓比陰極高 0.7 V0.7\text{ V};截止時電流為 00。先判定導通狀態,再以歐姆定律與節點電流定律求電壓、電流。

依圖示,D1D_1、D2D_2 的導通電流方向皆向下;D1D_1 的陰極接地,D2D_2 的陰極接 VoV_o。

解題方法

(一)圖一(a)

兩顆二極體導通時,D1D_1 將上方節點箝位在 0.7 V0.7\text{ V},D2D_2 再使輸出比該節點低 0.7 V0.7\text{ V}:

V上方節點=0.7 V,Vo=0 VV_{\text{上方節點}}=0.7\text{ V},\qquad V_o=0\text{ V}

流經 1 kΩ1\text{ k}\Omega 電阻的電流為

I1 kΩ=5−0.71 kΩ=4.3 mAI_{1\text{ k}\Omega}=\frac{5-0.7}{1\text{ k}\Omega}=4.3\text{ mA}

流經 5 kΩ5\text{ k}\Omega 電阻的電流為

I5 kΩ=0−(−5)5 kΩ=1.0 mAI_{5\text{ k}\Omega}=\frac{0-(-5)}{5\text{ k}\Omega}=1.0\text{ mA}

輸出節點只有 D2D_2 與 5 kΩ5\text{ k}\Omega 電阻相接,因此

ID2=1.0 mAI_{D2}=1.0\text{ mA}

在上方節點套用電流定律:

ID1=4.3−1.0=3.3 mAI_{D1}=4.3-1.0=3.3\text{ mA}

兩顆二極體電流皆為正,符合導通假設。

(二)圖一(b)

此電路若令兩顆二極體同時導通,D1D_1 會使上方節點為 0.7 V0.7\text{ V},D2D_2 使 Vo=0 VV_o=0\text{ V}。

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第 二 題20 分

如圖二所示之電路,vsv_s 為輸入的交流小訊號,BJT 操作在作用區(active region)。若 VEB=0.7VV_{EB}=0.7\mathrm{V}、β=199\beta=199、VT=25mVV_T=25\mathrm{mV},請計算下列各項參數:

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) IEI_E(5 分)。

(二) rer_e(5 分)。

(三) RinR_{in}(5 分)。

(四) vo/vsv_o/v_s(5 分)。

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核心觀念

本題考查 PNP BJT 的直流偏壓,以及射極隨耦器的小訊號參數。圖中給定 VEB=0.7 VV_{EB}=0.7\text{ V},表示射極電位比基極高 0.7 V0.7\text{ V}。求小訊號時,耦合電容 CE=∞C_E=\infty 視為短路,直流電源端則視為交流接地。

解題方法

(一)求 IEI_E

輸入訊號 vsv_s 是交流小訊號,直流分析時將訊號源的直流值設為零,因此基極經 100 kΩ100\,\text{k}\Omega 接地。PNP 電晶體的基極電流流向接地端,故

VB=100 kΩ⋅IB,VE=VB+0.7V_B=100\,\text{k}\Omega\cdot I_B,\qquad V_E=V_B+0.7

射極電流也流經 3.3 kΩ3.3\,\text{k}\Omega 電阻,因此

IE=5−VE3.3 kΩ=5−0.7−100 kΩIB3.3 kΩI_E=\frac{5-V_E}{3.3\,\text{k}\Omega} =\frac{5-0.7-100\,\text{k}\Omega I_B}{3.3\,\text{k}\Omega}

又因 β=199\beta=199,

IE=(β+1)IB=200IBI_E=(\beta+1)I_B=200I_B

代入得

4.3=760 kΩIB⟹IB=5.658 μA4.3=760\,\text{k}\Omega I_B \quad\Longrightarrow\quad I_B=5.658\,\mu\text{A}

所以

IE=200IB=1.132 mA\boxed{I_E=200I_B=1.132\,\text{mA}}

(二)求 rer_e

小訊號射極電阻為

re=VTIE=25 mV1.132 mA≈22.09 Ωr_e=\frac{V_T}{I_E} =\frac{25\,\text{mV}}{1.132\,\text{mA}} \approx \boxed{22.09\,\Omega}

(三)求 RinR_{in}

交流分析時,+5 V+5\text{ V} 端為交流接地;經耦合電容接入的 2 kΩ2\,\text{k}\Omega 負載,也與 3.3 kΩ3.3\,\text{k}\Omega 射極電阻並聯:

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第 三 題20 分

如圖三所示之回授放大電路,請計算下列各項參數:

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) 回授因子(feedback factor)β\beta(5 分)。

(二) 開路增益(open-loop gain)AVA_V(10 分)。

(三) 閉路增益(closed-loop gain)AVfA_{Vf}(5 分)。

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核心觀念

這是電壓串聯負回授電路。回授因子定義為 β=Vf/Vo\beta=V_f/V_o,開路增益定義為切開輸入回授後,前向路徑的增益;閉路增益則可用

AVf=AV1+βAVA_{Vf}=\frac{A_V}{1+\beta A_V}

計算。本題的輸入端有 2 kΩ2\,\text{k}\Omega 與 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 分壓,輸出端也有 200 Ω200\,\Omega 串聯電阻,因此計算增益時須納入這些電阻的影響。

解題方法

令 VfV_f 為回授分壓節點電壓。輸入回路中,V1V_1 是 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 電阻兩端的電壓,因此

V1=10 kΩ2 kΩ+10 kΩ(Vs−Vf)=56(Vs−Vf)V_1=\frac{10\,\text{k}\Omega}{2\,\text{k}\Omega+10\,\text{k}\Omega}(V_s-V_f) =\frac{5}{6}(V_s-V_f)

輸出端的 9 kΩ9\,\text{k}\Omega 與回授支路的 1 kΩ1\,\text{k}\Omega 串聯,等效為 10 kΩ10\,\text{k}\Omega;它與輸出負載 1 kΩ1\,\text{k}\Omega 並聯:

RL′=1 kΩ∥10 kΩ=1011 kΩR_L'=1\,\text{k}\Omega\parallel10\,\text{k}\Omega =\frac{10}{11}\,\text{k}\Omega

受控電壓源的輸出為 104V110^4V_1,經過串聯的 200 Ω200\,\Omega 後接上 RL′R_L',所以放大器本體從 V1V_1 到 VoV_o 的增益為

VoV1=104RL′200 Ω+RL′=1045061=50000061≈8196.72\frac{V_o}{V_1} =10^4\frac{R_L'}{200\,\Omega+R_L'} =10^4\frac{50}{61} =\frac{500000}{61} \approx8196.72
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第 四 題20 分

如圖四所示電路,假設運算放大器為理想元件,BJT 之 β\beta 值非常大(β=∞\beta=\infty),R1=R2=R3=R=2kΩR_1=R_2=R_3=R=2\mathrm{k}\Omega,RC=R/5R_C=R/5。若 Vs=5VV_s=5\mathrm{V},請問:

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) IC=?I_C=?(10 分)。

(二) Vo=?V_o=?(10 分)。

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本題利用理想運算放大器的負回授特性,使反相端電壓等於同相端電壓;再由 R1、R2、R3R_1、R_2、R_3 求出射極電壓與射極電流。因 β=∞\beta=\infty,基極電流為零,故 IC=IEI_C=I_E。

解題方法

同相端接 Vs=5 VV_s=5\text{ V}。在負回授正常工作時,理想運算放大器滿足

V−=V+=Vs=5 VV_-=V_+=V_s=5\text{ V}

反相端節點透過相同的 R1=R2R_1=R_2 分別接地與射極,因此該節點電壓為射極電壓的一半:

V−=VER1R1+R2=VE2V_-=V_E\frac{R_1}{R_1+R_2} = \frac{V_E}{2}

代入 V−=5 VV_-=5\text{ V},得

VE=10 VV_E=10\text{ V}

射極電阻 R3=2 kΩR_3=2\text{ k}\Omega 接地,所以

IE=VER3=10 V2 kΩ=5 mAI_E=\frac{V_E}{R_3} =\frac{10\text{ V}}{2\text{ k}\Omega} =5\text{ mA}

由 β=∞\beta=\infty,IB=0I_B=0,故 IC=IEI_C=I_E:

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第 五 題20 分

如圖五所示電路,其中 QPQ_P 的導通電阻(on-resistance)RdsP=1.2kΩR_{dsP}=1.2\mathrm{k}\Omega,QNQ_N 的導通電阻(on-resistance)RdsN=1kΩR_{dsN}=1\mathrm{k}\Omega,請分別計算:

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

(一) tPHLt_{PHL} 為何值?(10 分)。

(二) tPLHt_{PLH} 為何值?(10 分)。

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核心觀念

本題考 CMOS 反相器的傳播延遲。將導通中的 MOS 電晶體以其導通電阻表示,輸出端負載電容 CC 透過電阻充電或放電,形成一階 RC 電路。

輸出電壓由一個穩態值變化至另一個穩態值時,通過 50%50\% 電壓點所需時間為:

td=RCln⁡2≈0.693RCt_d=RC\ln 2\approx 0.693RC

其中 tPHLt_{PHL} 表示輸出由高電位降至低電位的延遲;tPLHt_{PLH} 表示輸出由低電位升至高電位的延遲。

解題方法

圖中輸出端負載電容為 C=10 fFC=10\,\mathrm{fF}。輸入上升時,QNQ_N 導通、QPQ_P 截止,輸出電容經 QNQ_N 放電;輸入下降時,QPQ_P 導通、QNQ_N 截止,輸出電容經 QPQ_P 充電。

(一)計算 tPHLt_{PHL}

輸出由高電位放電至低電位,使用 QNQ_N 的導通電阻:

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